半导体衬底的切割方法及装置和覆膜除去方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于，均匀地除去在半导体衬底的切割迹道上呈层叠状形成的包含TEG等金属膜的覆膜，形成刻划线并沿着刻划线切割半导体衬底。本发明专利技术提供一种半导体衬底(1)的切割方法，切割半导体衬底(1)来分割元件(2)，在所述衬底上呈矩阵状地形成有多个元件(2)，在相邻的元件(2)之间设置有切割迹道，所述半导体衬底的切割方法具有：覆膜除去工序，通过使激光(5)平行地对切割迹道上形成的包含金属膜的覆膜进行多次扫描来除去覆膜；刻划工序，使刻划轮的刀刃以压接状态在除去覆膜后的半导体衬底(1)的切割迹道(3)上滚动来形成刻划线；以及断裂工序，沿着刻划线切割半导体衬底(1)从而分割成各个元件(2)。

【技术实现步骤摘要】
半导体衬底的切割方法及装置和覆膜除去方法及装置
本专利技术涉及切割半导体衬底的技术。本专利技术还涉及通过激光来除去形成在半导体衬底上的包含TEG等金属膜的覆膜的技术。
技术介绍
半导体的制造工艺分为：制造成为半导体的支承体的衬底(晶圆)的工序、在该衬底上形成电子电路来制造元件(半导体芯片)的工序、切割所制造的半导体衬底而将元件逐个切出(芯片化)的工序、以及使用该元件来组装半导体的工序。作为从半导体衬底切出元件的方法，例如可举出使用刻划轮在半导体衬底上形成刻划线，沿该刻划线切割衬底从而将元件逐个切出的方法。然而，半导体衬底的表面被划分成格子状而形成有多个区域。该格子状的线是被称为切割迹道的分割预定线。在被划分的各区域形成有元件。在切割迹道(street)的上表面形成有各种膜状的层叠物。若该膜状的层叠物残留，则在切割迹道形成刻划线之时、切割半导体衬底之时会发生异常。因此，在形成刻划线之前除去膜状的层叠物。除去该膜状的层叠物的技术例如在专利文献1～3等中被公开。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利5645593号公报；专利文献2：日本特开2013-197108号公报；专利文献3：日本专利4741822号公报。专利技术要解决的问题作为形成在半导体衬底(例如切割迹道)的上表面的各种膜状的层叠物，例如可举出包含被称为TEG(TestElementGroup：测试元件组)的测试用的电路等的金属膜、对准标记(alignmentmark)以及PI膜(偏光膜)等。切割迹道的上表面形成有层叠状的覆膜(层叠膜)。该层叠膜的层叠状态各不相同，因此变成在半导体衬底的切割迹道上具有凹凸而不均匀的状况。即，层叠膜的结构(厚度)不同。在切割迹道上，例如基本上仅形成有PI膜(厚度：2μm左右)。在切割迹道形成有对准标记的部分中，例如形成有(PI膜+SiO2)(厚度：3μm左右)。在切割迹道形成有TEG的部分(切割迹道TEG)中，例如形成有(PI膜+金属Al+SiO2)(厚度：5μm左右)。在半导体衬底上形成有图案TEG的部分中，例如形成有(PI膜+金属Al+SiO2+多晶Si+SiO2)(厚度：10μm左右)。像这样，当在半导体衬底上形成有TEG等时，其厚度变得比其他部分厚。即，在半导体衬底中，层叠膜的厚度根据部位而不同，在结构上产生差异。即便想要使用专利文献1～3等的现有技术除去在半导体衬底(例如切割迹道)上形成的TEG等，也不能够均匀地除去TEG等。例如，若提高激光的输出来除去TEG等，则即便能够除去TEG等，切割迹道的交点部的部分(仅有PI膜等的较薄的膜的部分)也被削得更深，而在进行交叉切割的情况下交点部被削得很深，深至所需要的量以上，因而不优选(参照图3)。因此，在半导体衬底形成刻划线时，有可能变成不是直线而是像虚线这样的状况。另外，在将半导体衬底断裂时成为异常开裂的原因。若要降低激光的输出来除去TEG，则不能够可靠地除去TEG。为了切割半导体衬底，需要在半导体衬底本身形成刻划线，但当在刻划线的形成位置残留TEG时，因为半导体衬底本身没有露出，所以难以在半导体衬底本身形成刻划线。若在切割迹道处，半导体衬底本身没有形成刻划线，则在沿着刻划线切割半导体衬底时，有可能产生龟裂向元件侧发展这样的异常。
技术实现思路
因此，本专利技术鉴于上述问题点，其目的在于提供一种基于激光的衬底上的覆膜除去方法及覆膜除去装置，能够均匀地除去在半导体衬底的上表面例如切割迹道上呈层叠状形成的包含TEG等金属膜的覆膜，此外还提供一种半导体衬底的切割方法及切割装置，能够在将衬底上的覆膜除去后的衬底的切割迹道上形成刻划线，沿着该刻划线来切割半导体衬底。用于解决问题的方案为达成上述目的，在本专利技术中采用了以下的技术手段。本专利技术的半导体衬底上的覆膜除去方法，其特征在于，从半导体衬底除去覆膜，在所述衬底上呈矩阵状地形成有多个元件，在相邻的所述元件之间形成有切割迹道，在所述切割迹道上形成有包含金属膜的覆膜，所述半导体衬底上的覆膜除去方法包括：向所述切割迹道照射激光，使该激光沿着在所述切割迹道内的沿该切割迹道的多个相互平行的扫描线进行多次扫描。优选的是，所述激光的照射宽度比所述切割迹道的宽度窄。优选的是，通过使所述激光进行多次扫描，由此沿着所述多个扫描线形成多个槽，在相邻的槽之间形成条状的凸状部。优选的是，在所述切割迹道彼此交叉的交叉部，在交叉的一方的切割迹道所形成的多个槽与另一方的切割迹道所形成的多个槽进行交叉，在一方的切割迹道所形成的多个槽之中相邻的一组槽与在另一方的切割迹道所形成的多个槽之中相邻的一组槽进行交叉的交叉部的中央形成凸部。优选的是，将所述多个扫描线之中的相邻的扫描线的间隔设为20μm以上。优选的是，所述半导体衬底为SiC衬底。本专利技术的半导体衬底上的覆膜除去装置，其特征在于，其用于从半导体衬底除去覆膜，在所述衬底上呈矩阵状地形成有多个元件，在相邻的所述元件之间形成有切割迹道，在所述切割迹道上形成有包含金属膜的覆膜，所述覆膜除去装置具有激光照射部，所述激光照射部向所述切割迹道照射激光，使该激光沿着所述切割迹道内的沿该切割迹道的多个相互平行的扫描线进行多次扫描。本专利技术的半导体衬底的切割方法，其特征在于，沿着切割迹道来切割半导体衬底从而分割成各个元件，在所述衬底上呈矩阵状地形成有多个元件，在相邻的所述元件之间形成有所述切割迹道，在所述切割迹道上形成有包含金属膜的覆膜，所述半导体衬底的切割方法具有：覆膜除去工序，向所述切割迹道照射激光，使该激光沿着在所述切割迹道内的沿该切割迹道的多个相互平行的扫描线进行多次扫描，从而除去所述覆膜；刻划工序，将刻划轮压接到除去所述覆膜后的所述切割迹道上而使其沿着该切割迹道滚动，从而形成刻划线；以及断裂工序，沿着所述刻划线来切割所述半导体衬底从而分割成各个元件。本专利技术的半导体衬底的切割装置，其特征在于，其沿着切割迹道来切割半导体衬底从而分割成各个元件，在所述衬底上呈矩阵状地形成有多个元件，在相邻的所述元件之间设置有所述切割迹道，在所述切割迹道上形成有包含金属膜的覆膜，所述半导体衬底的切割装置具有：激光照射部，其向所述切割迹道照射激光，使该激光沿着所述切割迹道内的沿该切割迹道的多个相互平行的扫描线进行多次扫描，来除去所述覆膜；刻划部，其将刻划轮压接到除去覆膜后的所述切割迹道上而使其沿着该切割迹道滚动，从而形成刻划线；以及断裂部，其沿着所述刻划线来切割所述半导体衬底从而分割成各个元件。专利技术效果根据本专利技术，能够均匀地除去在半导体衬底的上表面例如切割迹道上呈层叠状形成的包含TEG等金属膜的覆膜。此外，能够沿着除去覆膜后的该切割迹道来形成刻划线，沿着该刻划线来切割半导体衬底。附图说明图1是示意地示出构成本专利技术的半导体衬底的切割方法的覆膜除去工序(基于激光的半导体衬底上的覆膜除去方法)的概要的图。图2是示出使激光照射进行一次扫描来除去包含金属膜的覆膜后的状况的切割迹道的图像。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体衬底上的覆膜除去方法，其特征在于，从半导体衬底除去覆膜，在所述衬底上呈矩阵状地形成有多个元件，在相邻的所述元件之间形成有切割迹道，在所述切割迹道上形成有包含金属膜的所述覆膜，/n所述半导体衬底上的覆膜除去方法包括：/n向所述切割迹道照射激光，使该激光沿着所述切割迹道内的沿该切割迹道的多个相互平行的扫描线进行多次扫描。/n

【技术特征摘要】
20190228 JP 2019-036384;20190228 JP 2019-0363851.一种半导体衬底上的覆膜除去方法，其特征在于，从半导体衬底除去覆膜，在所述衬底上呈矩阵状地形成有多个元件，在相邻的所述元件之间形成有切割迹道，在所述切割迹道上形成有包含金属膜的所述覆膜，
所述半导体衬底上的覆膜除去方法包括：
向所述切割迹道照射激光，使该激光沿着所述切割迹道内的沿该切割迹道的多个相互平行的扫描线进行多次扫描。


2.根据权利要求1所述的半导体衬底上的覆膜除去方法，其特征在于，
所述激光的照射宽度比所述切割迹道的宽度窄。


3.根据权利要求1或2所述的半导体衬底上的覆膜除去方法，其特征在于，
通过使所述激光进行多次扫描，由此沿着所述多个扫描线形成多个槽，在相邻的槽之间形成条状的凸状部。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体衬底上的覆膜除去方法，其特征在于，
在所述切割迹道彼此交叉的交叉部，在交叉的一方的切割迹道所形成的多个槽与在另一方的切割迹道所形成的多个槽进行交叉，在一方的切割迹道所形成的多个槽之中的相邻的一组槽与在另一方的切割迹道所形成的多个槽之中的相邻的一组槽进行交叉的交叉部的中央形成凸部。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体衬底上的覆膜除去方法，其特征在于，
将所述多个扫描线之中的相邻的扫描线的间隔设为20μm以上。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体衬底上的覆膜除去方法，其特征在于，
所述半导体衬底为SiC衬底。


7.一种半导体衬底上的覆膜除去装置，其特征在于，其用...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐川雅彦，武田真和，池田刚史，宫崎宇航，
申请(专利权)人：三星钻石工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP