一种开关电源变换器的控制器制造技术

一种开关电源变换器的控制器，由控制器的过温检测电路检测控制器的温度，当温度超过过温保护阈值时控制器停止驱动功率管；当温度小于恢复阈值时，控制器延迟一段设定时间后恢复驱动功率管。由控制器的电流检测判断电路检测功率管开通时的导通电流，若导通电流小于设定值，则以第二驱动电压开通功率管；若导通电流大于设定值，则以第一驱动电压开通功率管。本实用新型专利技术的控制器适用于推挽式正激变换器和全桥式正激变换器，同时获得超强容性负载能力、低短路功耗、低峰值温度的优良特性，并且解决功率较大的应用中高温启机异常的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种开关电源变换器的控制器
本技术涉及推挽式变换器和全桥变换器的集成控制器的设计。
技术介绍
这些年随着高压BCD工艺的进一步的发展，越来越多的工艺具有低内阻的LDNMOS(LaterallyDiffusedN-MetalOxideSemiconductor，横向扩散N型金属氧化物半导体)和LDPMOS(LaterallyDiffusedP-MetalOxideSemiconductor，横向扩散P型金属氧化物半导体)管，在一些微功率开关电源中集成功率MOS管的控制器具有很大的优势，特别是在推挽式和全桥式变换器应用中集成功率管的控制器优势更加明显，因为这种拓扑结构的开关电源需要非常对称地开关功率管以避免变压器的偏磁效应，而在同一芯片上设计参数非常接近的器件正是集成电路的优点。图1是TI公司适用于推挽式变换器的集成控制器SN6505，为描述方便假设VIN＝5V，变压器各绕组匝数相同，二极管导通压降为0.7V。推挽式正激拓扑结构，在变换器刚启动时或者输出短路时，变换器的输出电压VOUT接近于零，副边绕组两端的电压VS接近输出二极管D2的导通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种开关电源变换器的控制器，其特征在于，包括过温检测电路、延迟恢复计时器、互补时序产生电路、第一与门、第二与门、推挽式MOSFET驱动电路、驱动电压产生电路、电流检测判断电路、第一NMOS管和第二NMOS管；过温检测电路检测控制器的温度，过温检测电路的输出端连接延迟恢复计时器的输入端，延迟恢复计时器的输出端分别连接第一与门的一个输入端和第二与门的一个输入端；互补时序产生电路产生逻辑互补的第一控制信号和第二控制信号，第一控制信号输入到第一与门的另一个输入端，第二控制信号输入到第二与门的另一个输入端；第一与门的输出端和第二与门的输出端连接推挽式MOSFET驱动电路的输入端；电流检测判断电路的两...

【技术特征摘要】
1.一种开关电源变换器的控制器，其特征在于，包括过温检测电路、延迟恢复计时器、互补时序产生电路、第一与门、第二与门、推挽式MOSFET驱动电路、驱动电压产生电路、电流检测判断电路、第一NMOS管和第二NMOS管；过温检测电路检测控制器的温度，过温检测电路的输出端连接延迟恢复计时器的输入端，延迟恢复计时器的输出端分别连接第一与门的一个输入端和第二与门的一个输入端；互补时序产生电路产生逻辑互补的第一控制信号和第二控制信号，第一控制信号输入到第一与门的另一个输入端，第二控制信号输入到第二与门的另一个输入端；第一与门的输出端和第二与门的输出端连接推挽式MOSFET驱动电路的输入端；电流检测判断电路的两个输入端分别连接第一NMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极，电流检测判断电路的输出端连接驱动电压产生电路的输入端；驱动电压产生电路产生驱动电压给推挽式MOSFET驱动电路；推挽...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐盛斌，
申请(专利权)人：苏州源特半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32