一种基于桥式电路的SiC MOSFET门极辅助电路制造技术

本发明专利技术公开了一种基于桥式电路的SiC MOSFET门极辅助电路，包括驱动回路、负压产生模块和串扰抑制模块；其中，驱动回路包括驱动电阻，负压产生模块由电容与齐纳二极管并联后再与电源模块串联构成，串扰抑制模块包括反并联的三极管和二极管，后与抑制电容相连，三极管基极与发射极和驱动电阻并联；各SiC MOSFET的栅极与源极之间设有驱动回路，负压产生模块与驱动回路串联，串扰抑制模块与驱动回路并联。本发明专利技术电路均由无源器件构成，结构简单；无需额外增加驱动负压电源，且驱动负压可由齐纳二极管调节，可满足各种驱动需求；有效解决串联扰动发生时的电压尖峰问题，保证器件安全。

【技术实现步骤摘要】
一种基于桥式电路的SiCMOSFET门极辅助电路
本专利技术属于电力电子领域，具体涉及一种基于桥式电路的SiCMOSFET门极辅助电路。
技术介绍
SiCMOSFET作为新型电力电子器件拥有SiC材料的众多优点，成为应用于高频、高压电路中的理想选择。但是，随着器件开关速度的不断加快，以往在桥式电路中不被重视的寄生参数成为威胁应用SiCMOSFET电路的首要因素。寄生电容在桥臂拓扑高频应用下容易产生串联扰动现象，串联扰动正压尖峰会造成器件误导通，负压尖峰会导致器件损坏，因此传统门极驱动电路已不能满足SiCMOSFET在高频下的可靠性，需要进行改进。目前，在抑制串联扰动方面，根据原理的不同可大致分为门极阻抗控制和门极电压控制两类方法，门极阻抗控制中最典型的方法是并联一个辅助电容，但是辅助电容的接入会减低器件开断速度，增大开断损耗，门极电压控制中最简单的方法是增加一个负向电压源，这利用了SiCMOSFET器件耐负压的特点。许多方案都能实现对串扰的抑制，但都有降低开断速度、控制复杂等缺点。基于此，本文提出一套基于栅源电压比较控制的门极辅助电路。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于桥式电路的SiC MOSFET门极辅助电路，其特征在于，包括驱动回路、负压产生模块和串扰抑制模块；其中，桥式电路包括多个SiC MOSFET，各SiC MOSFET分别串接于桥式电路中各依次相邻接的桥臂中，各SiC MOSFET的栅极与源极之间设有驱动回路，驱动回路与负压产生模块串联，驱动回路与串扰抑制模块并联。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于桥式电路的SiCMOSFET门极辅助电路，其特征在于，包括驱动回路、负压产生模块和串扰抑制模块；其中，桥式电路包括多个SiCMOSFET，各SiCMOSFET分别串接于桥式电路中各依次相邻接的桥臂中，各SiCMOSFET的栅极与源极之间设有驱动回路，驱动回路与负压产生模块串联，驱动回路与串扰抑制模块并联。


2.根据权利要求1所述的一种基于桥式电路的SiCMOSFET门极辅助电路，其特征在于，驱动回路包括电源模块（Vq）、脉冲模块（PWM）、第一开关管（S1）、第二开关管（S2）、驱动电阻（Rg）和驱动内阻（Rg(in)）；其中，电源模块（Vq）通过串联的第一开关管（S1）、第二开关管（S2）和驱动电阻（Rg）连接到SiCMOSFET的源极，驱动内阻（Rg(in)）的一端连接到第一开关管（S1）和第二开关管（S2）的公共端，驱动内阻（Rg(in)）的另一端连接到SiCMOSFET的栅极，脉冲模块（PWM）分别连接到第一开关管（S1）和第二开关管（S2）。


3.根据权利要求2所述的一种基于桥式电路的SiCMOSFET门极辅助电路，其特征在于，负压产生模块包括负压电阻（Rk）、负压电容（CZD）和齐纳二极管（ZD）；其中，负压电容（CZD）和齐纳二极管（ZD）并联后再串联到第二开关管（S2）和...

【专利技术属性】
技术研发人员：李珅，张宇，李先允，
申请(专利权)人：南京工程学院，
类型：发明
国别省市：江苏;32