本发明专利技术属于汽车充电机领域，具体公开了一种新型MOSFET驱动电路，包括驱动变压器T1、二极管D21，D22，D23，D24、三极管Q2，Q3，Q4，Q5以及稳压二极管D42，D44，D46，D47；驱动变压器T1的次级10脚连接电阻R50的第一端，驱动变压器T1的次级6脚连接二极管D23的3‑3脚；电阻R50的第二端连接二极管D22的负极，二极管D22的正极连接驱动变压器T1的次级9脚。本发明专利技术的驱动电路具有驱动电压转换快，关断损耗小的优点，同时降低了成产成本，以及故障发生率，从驱动变压器过来的正脉冲带有很多尖刺，通过二极管D21的1脚处的电容C78和电阻R55、R70构成的电路可以吸收那些尖刺，让到达DRVH处的脉冲波形更加纯净。
【技术实现步骤摘要】
一种新型MOSFET驱动电路
本专利技术涉及汽车充电机领域，具体为一种新型MOSFET驱动电路。
技术介绍
近年来环境污染严重，环保、节能已经成为人们热议的话题，这同时也促进了一些新能源产业的兴起，其中就包括新能源电动汽车。可靠性是衡量充电机性能好坏的一个重要指标之一，而在充电机内部，LLC驱动电路则是至关重要的一部分，其工作的状态能直接影响到充电机整机的正常输出。因此LLC驱动电路的高效及低成本的方案都是大家所寻求的。目前半桥LLC谐振或全桥变换器应用较为广泛，其驱动电路也是各式各样，但是大多数的驱动电路器件选型困难，成本高，并且驱动关断慢，关断损耗大，效率偏低。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种驱动电压转换快，关断损耗小的驱动电路。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种新型MOSFET驱动电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种新型MOSFET驱动电路，包括驱动变压器T1、二极管D21，D22，D23，D24、三极管Q2，Q3，Q4，Q5以及稳压二极管D42，D44，D46，D47，所述驱动变压器T1的次级10脚连接电阻R50的第一端，驱动变压器T1的次级6脚连接二极管D23的3-3脚；所述电阻R50的第二端连接二极管D22的负极，二极管D22的正极连接驱动变压器T1的次级9脚；所述三极管Q3的基极连接电阻R50的第二端，三极管Q3的发射极连接电阻R60的第二端，且电阻R60的第一端连接电阻R69的第二端，电阻R69的第一端连接二极管D21的3-2脚；所述二极管D21的3-3脚连接电阻R50的第一端，二极管D21的3-1脚连接电阻R55的第一端，且电阻R55的第二端连接二极管D22的正极；所述电阻R70的第二端连接电阻R55的第二端，电阻R70的第一端连接电容C78的第二端，且电容C78的第一端连接电阻R55的第一端。优选的，三极管Q3的基极连接二极管D22的负极，三极管Q2的集电极连接三极管Q3的集电极，三极管Q2的基极连接电阻R60的第二端，三极管Q2的发射极连接电阻R60的第一端。优选的，稳压二极管D42的负极连接三极管Q2的发射极，稳压二极管D42的正极连接电容C53的第二端，且电容C53的第一端连接三极管Q2的集电极；所述稳压二极管D44的正极连接电容C53的第一端，稳压二极管D44的负极连接电容C53的第二端。优选的，二极管D23的3-2脚连接电阻R65的第一端，二极管D23的3-1脚连接电阻R46的第一端，电阻R65、电阻R46的第二端分别连接电阻R68的第一端以及二极管D24的正极，且驱动变压器T1的次级7脚连接二极管D24的正极，D24的负极连接电阻R66的第二端，电阻R66的第一端连接二极管D23的3-3脚；所述电阻R68的第一端连接三极管Q4的发射极，三极管Q4的基极连接二极管D24的负极，三极管Q4的集电极连接电阻R45的第二端；所述电阻R45的第一端连接电容C79的第二端，电阻R45的第二端连接电阻R46的第二端，电容C79的第一端连接电阻R46的第一端。优选的，三极管Q4的发射极连接电阻R68的第一端，三极管Q4的基极连接Q5的发射极，三极管Q4的集电极连接三极管Q4的集电极。优选的，稳压二极管D47的负极连接三极管Q4的发射极，稳压二极管D47的正极连接电容C54的第二端，电容C54第一端连接三极管Q4的集电极，稳压二极管D46的第一端连接电容C54第一端，稳压二极管D46第二端连接电容C54第二端并接地。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术的驱动电路具有驱动电压转换快，关断损耗小的优点，同时降低了成产成本，以及故障发生率，从驱动变压器过来的正脉冲带有很多尖刺，通过二极管D21的1脚处的电容C78和电阻R55、R70构成的电路可以吸收那些尖刺，让到达DRVH（驱动MOS管G极）处的脉冲波形更加纯净，减少了功耗，提高了可靠性。附图说明图1为本专利技术的驱动电路图；图2为本专利技术实施例中的驱动MOS管电路图；图3为本专利技术实施例附图；图4为本专利技术实施例中驱动器芯片电路图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1，本专利技术提供一种技术方案：一种新型MOSFET驱动电路，包括驱动变压器T1、二极管D21，D22，D23，D24、三极管Q2，Q3，Q4，Q5以及稳压二极管D42，D44，D46，D47，所述驱动变压器T1的次级10脚连接电阻R50的第一端，驱动变压器T1的次级6脚连接二极管D23的3-3脚；所述电阻R50的第二端连接二极管D22的负极，二极管D22的正极连接驱动变压器T1的次级9脚；所述三极管Q3的基极连接电阻R50的第二端，三极管Q3的发射极连接电阻R60的第二端，且电阻R60的第一端连接电阻R69的第二端，电阻R69的第一端连接二极管D21的3-2脚；所述二极管D21的3-3脚连接电阻R50的第一端，二极管D21的3-1脚连接电阻R55的第一端，且电阻R55的第二端连接二极管D22的正极；所述电阻R70的第二端连接电阻R55的第二端，电阻R70的第一端连接电容C78的第二端，且电容C78的第一端连接电阻R55的第一端。在本实施例中，三极管Q3的基极连接二极管D22的负极，三极管Q2的集电极连接三极管Q3的集电极，三极管Q2的基极连接电阻R60的第二端，三极管Q2的发射极连接电阻R60的第一端。在本实施例中，稳压二极管D42的负极连接三极管Q2的发射极，稳压二极管D42的正极连接电容C53的第二端，且电容C53的第一端连接三极管Q2的集电极；所述稳压二极管D44的正极连接电容C53的第一端，稳压二极管D44的负极连接电容C53的第二端。在本实施例中，二极管D23的3-2脚连接电阻R65的第一端，二极管D23的3-1脚连接电阻R46的第一端，电阻R65、电阻R46的第二端分别连接电阻R68的第一端以及二极管D24的正极，且驱动变压器T1的次级7脚连接二极管D24的正极，D24的负极连接电阻R66的第二端，电阻R66的第一端连接二极管D23的3-3脚；所述电阻R68的第一端连接三极管Q4的发射极，三极管Q4的基极连接二极管D24的负极，三极管Q4的集电极连接电阻R45的第二端；所述电阻R45的第一端连接电容C79的第二端，电阻R45的第二端连接电阻R46的第二端，电容C79的第一端连接电阻R46的第一端。在本实施例中，三极管Q4的发射极连接电阻R68的第一端，三极管Q4的基极连接Q5的发射极，三极管Q4的集电极连接三极管Q4的集电极。在本实施例中，稳压二极管D47的负极连接三极管Q4的发射极，稳压二极管D47的正极连接电容C54的第二本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种新型MOSFET驱动电路，其特征在于，包括驱动变压器T1、二极管D21，D22，D23，D24、三极管Q2，Q3，Q4，Q5以及稳压二极管D42，D44，D46，D47，所述驱动变压器T1的次级10脚连接电阻R50的第一端，驱动变压器T1的次级6脚连接二极管D23的3-3脚；所述电阻R50的第二端连接二极管D22的负极，二极管D22的正极连接驱动变压器T1的次级9脚；所述三极管Q3的基极连接电阻R50的第二端，三极管Q3的发射极连接电阻R60的第二端，且电阻R60的第一端连接电阻R69的第二端，电阻R69的第一端连接二极管D21的3-2脚；所述二极管D21的3-3脚连接电阻R50的第一端，二极管D21的3-1脚连接电阻R55的第一端，且电阻R55的第二端连接二极管D22的正极；所述电阻R70的第二端连接电阻R55的第二端，电阻R70的第一端连接电容C78的第二端，且电容C78的第一端连接电阻R55的第一端。/n
【技术特征摘要】
1.一种新型MOSFET驱动电路，其特征在于，包括驱动变压器T1、二极管D21，D22，D23，D24、三极管Q2，Q3，Q4，Q5以及稳压二极管D42，D44，D46，D47，所述驱动变压器T1的次级10脚连接电阻R50的第一端，驱动变压器T1的次级6脚连接二极管D23的3-3脚；所述电阻R50的第二端连接二极管D22的负极，二极管D22的正极连接驱动变压器T1的次级9脚；所述三极管Q3的基极连接电阻R50的第二端，三极管Q3的发射极连接电阻R60的第二端，且电阻R60的第一端连接电阻R69的第二端，电阻R69的第一端连接二极管D21的3-2脚；所述二极管D21的3-3脚连接电阻R50的第一端，二极管D21的3-1脚连接电阻R55的第一端，且电阻R55的第二端连接二极管D22的正极；所述电阻R70的第二端连接电阻R55的第二端，电阻R70的第一端连接电容C78的第二端，且电容C78的第一端连接电阻R55的第一端。
2.根据权利要求1所述的一种新型MOSFET驱动电路，其特征在于：所述三极管Q3的基极连接二极管D22的负极，三极管Q2的集电极连接三极管Q3的集电极，三极管Q2的基极连接电阻R60的第二端，三极管Q2的发射极连接电阻R60的第一端。
3.根据权利要求1所述的一种新型MOSFET驱动电路，其特征在于：所述稳压二极管D42的负极连接三极管Q2的发射极，稳压二极管D42的正极连接电容C53的第二端，且电容C53的第一端连接三极管...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋东方，
申请(专利权)人：上海午阳电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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