【技术实现步骤摘要】
一种MoInSnS四元对电极、其制备方法及应用
本专利技术属于太阳能电池领域,具体涉及一种MoInSnS四元对电极、其制备方法及应用。
技术介绍
三元和四元纳米晶半导体具有带隙可调、组分环保等特点,由于在光线采集和发光应用方面的独特优势从而引起广泛关注。其中,p型半导体Cu2ZnSnS4四元硫化物具有优异的物理和化学性能,如直接带隙结构、高吸收系数,以及多种氧化态使得在氧化还原反应中具有突出的催化性能,常被用作薄膜太阳能电池的光吸收层和一种高性能对电极。与Cu2ZnSnS4类似,Cu2ZnSnSe4、Cu2FeSnS4、Cu2CoSnS4和Cu2MnSnS4四元硫化物也具有相似的结构和物理化学性质,将其用作DSSCs中的对电极,电池的光电转换效率高达8%以上,实验表明这些四元硫化物在非Pt对电极的研究方面展现出较大的应用潜力。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种MoInSnS四元对电极、其制备方法及应用。基于上述目的,本专利技术采取如下技术方案:一种MoInSnS四元对电极的制备方
【技术保护点】
1.一种MoInSnS四元对电极的制备方法,其特征在于,步骤如下:/n将四水合钼酸铵、二水合氯化亚锡、四水合三氯化铟、硫代乙酰胺加到超纯水中,超声至完全溶解,之后将上述溶液转移到装有洁净导电玻璃的反应釜中,180℃~220℃恒温反应10h~20h,待反应结束后自然冷却,开釜取出合成有MoInSnS薄膜的导电玻璃,洗涤,干燥,即得纳米薄膜MoInSnS对电极样品;其中,钼、铟、锡、硫合成摩尔数比为1:1:1:(6~6.5)。/n
【技术特征摘要】
1.一种MoInSnS四元对电极的制备方法,其特征在于,步骤如下:
将四水合钼酸铵、二水合氯化亚锡、四水合三氯化铟、硫代乙酰胺加到超纯水中,超声至完全溶解,之后将上述溶液转移到装有洁净导电玻璃的反应釜中,180℃~220℃恒温反应10h~20h,待反应结束后自然冷却,开釜取出合成有MoInSnS薄膜的导电玻璃,洗涤,干燥,即得纳米薄膜MoInSnS对电极样品;其中,钼、铟、锡、硫合成摩尔数比为1:1:1:(6~6.5)。
2.根据权利要求1所述MoInSnS四元对电极的制备方法,其特征在于,四水合三氯化铟的用量为3mmol。
3.权利要求1或2所述的制备方法制得的MoInSnS四元对电极。
4.权利要求3所述MoInSnS四元对电极在染料敏化太阳能电池中的应用,其特征在于,将染料敏化的TiO2电极和MoInSnS四元对电极组装成具有三明治...
【专利技术属性】
技术研发人员:岳根田,程仁志,谭付瑞,
申请(专利权)人:河南大学,
类型:发明
国别省市:河南;41
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