真空处理装置及支撑轴制造方法及图纸

本发明专利技术的真空处理装置进行等离子体处理，具有：电极凸缘，在腔室内与高频电源连接；簇射极板，具有与所述电极凸缘相对的第一面和与所述第一面相反侧的第二面，所述簇射极板与所述电极凸缘分离相对并与所述电极凸缘一同作为阴极；处理室，面向所述簇射极板的所述第二面，并且供被处理基板配置；和支撑轴，与所述簇射极板的所述第一面连接并支撑所述簇射极板。在所述簇射极板上形成有多个气体流路，该多个气体流路从所述电极凸缘与所述第一面之间的空间连通到所述处理室，并且具有规定的电导率，在所述支撑轴与所述簇射极板连接的部分，以所述电导率在所述簇射极板的面内方向上不发生变化的方式设置有沿所述支撑轴的轴向延伸的轴气体流路。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】真空处理装置及支撑轴
本专利技术涉及真空处理装置及支撑轴，特别是涉及适于在进行等离子体处理时的簇射极板的支撑中使用的技术。本申请基于2018年6月20日在日本申请的专利申请2018-117043号要求优先权，并且在此援引其内容。
技术介绍
作为在成膜工艺或蚀刻工艺中利用的放电方式之一，具有使用电容耦合等离子体(CCP)的方式。例如，在使用该方式的CVD(ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积)装置中，阴极和阳极相对配置，在阳极上配置有基板，向阴极供应电力。并且，通过在阴极与阳极之间产生电容耦合等离子体，在基板上形成膜。另外，为了将放电气体均匀地供给到基板上，作为阴极，有时使用设置有多个气体喷出口的簇射极板(例如，参照专利文献1)。专利文献1：日本专利公开2005-328021号公报然而，在使用簇射极板的电容耦合方式中，有时阴极和阳极越趋向大型，则基板面内的电极间距离(阴极与阳极之间的距离)的偏差越大。由此，有时基板上形成的膜的膜质在基板面内的偏差变大。为了解决该问题，有必要使簇射极板的支撑更本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种真空处理装置，进行等离子体处理，具有：/n电极凸缘，配置在腔室内，与高频电源连接；/n簇射极板，具有与所述电极凸缘相对的第一面和与所述第一面相反侧的第二面，所述簇射极板与所述电极凸缘分离相对并与所述电极凸缘一同作为阴极；/n处理室，面向所述簇射极板的所述第二面，并且供被处理基板配置；和/n支撑轴，与所述簇射极板的所述第一面连接并支撑所述簇射极板，/n在所述簇射极板上形成有多个气体流路，该多个气体流路从所述电极凸缘与所述第一面之间的空间连通到所述处理室，并且具有规定的电导率，/n在所述支撑轴与所述簇射极板连接的部分，以所述电导率在所述簇射极板的面内方向上不发生变化的方式设置有沿所述支撑轴...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180620 JP 2018-1170431.一种真空处理装置，进行等离子体处理，具有：
电极凸缘，配置在腔室内，与高频电源连接；
簇射极板，具有与所述电极凸缘相对的第一面和与所述第一面相反侧的第二面，所述簇射极板与所述电极凸缘分离相对并与所述电极凸缘一同作为阴极；
处理室，面向所述簇射极板的所述第二面，并且供被处理基板配置；和
支撑轴，与所述簇射极板的所述第一面连接并支撑所述簇射极板，
在所述簇射极板上形成有多个气体流路，该多个气体流路从所述电极凸缘与所述第一面之间的空间连通到所述处理室，并且具有规定的电导率，
在所述支撑轴与所述簇射极板连接的部分，以所述电导率在所述簇射极板的面内方向上不发生变化的方式设置有沿所述支撑轴的轴向延伸的轴气体流路。


2.根据权利要求1所述的真空处理装置，
在所述簇射极板的所述第一面上形成有凹部，
所述支撑轴被嵌入到所述凹部，
在所述支撑轴中处于所述凹部的内部的位置上设置有所述轴气体流路，
所述支撑轴具有：
流路空间，位于所述第一面的上方，并且被设置在所述支撑轴的内部，所述流路空间与所述轴气体流路连通；和
径向气体流路，与所述流路空间连通并沿所述支撑轴的径向延伸。


3.根据权利要求1或2所述的真空处理装置，
关于所述簇射极板的面内方向上的面内密度，所述轴气体流路的面内密度与在所述簇射极板中形成于连接有所述支撑轴的部分的周围的所述气体流路的面内密度相同，
所述轴气体流路具有与所述气体流路相同的电导率。


4.根据权利要求1至3中的任一项所述的真空处理装置，
关于所述簇射极板的厚度方向上的长度，所述轴气体流路的长度被设定为与位于所述支撑轴的周围的所述气体流路的长度相等。


5.根据权利要求1至4中的任一项所述的真空处理装置，
所述轴气体流路中的直径尺寸被设定为与位于所述支撑轴的周围的所述气体流路中的直径尺寸相等。


6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本良明，神保洋介，宮谷武尚，江藤谦次，阿部洋一，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：日本;JP