原子层沉积设备及3D存储器件制造技术

技术编号:25385227 阅读:49 留言:0更新日期:2020-08-25 22:53
公开了一种原子层沉积设备及3D存储器件,原子层沉积设备包括:进气管路,用于接收至少两种反应气体以及惰性气体;反应腔室,与所述进气管路连接;基座,位于所述反应腔室内,用于承载硅片以及对所述硅片进行加热;排气通道,与所述反应腔室连接,其中,所述原子层沉积设备还包括可调节控制板,位于所述反应腔室内,用于阻挡所述反应气体到达硅片表面。本申请的原子层沉积设备,通过可调节控制板控制参与硅片表面反应的反应气体,使得粘附膜可以分层生长,得到晶向一致、晶界表面积减少的粘附膜,提高了粘附膜的阻挡能力。

【技术实现步骤摘要】
原子层沉积设备及3D存储器件
本专利技术涉及半导体制造
,特别涉及一种原子层沉积设备及3D存储器件。
技术介绍
存储器件的存储密度的提高与半导体制造工艺的进步密切相关。随着半导体制造工艺的特征尺寸越来越小,存储器件的存储密度越来越高。为了进一步提高存储密度,已经开发出三维结构的存储器件(即,3D存储器件)。3D存储器件包括沿着垂直方向堆叠的多个存储单元,在单位面积的晶片上可以成倍地提高集成度,并且可以降低成本。在3D存储器件的制备工艺中,例如采用蚀刻的方法在层间绝缘层中形成空腔,然后采用金属材料(例如,W)填充空腔以形成多个层面的栅极导体,从而形成栅叠层结构。由于3D存储器件的集成度的提高,用于形成栅极导体的空腔厚度也越来越小。在填充金属材料之前,可以在空腔的内壁形成粘附膜,以改善金属材料在空腔中的填充性能和提高机械强度。在填充金属材料的步骤中,金属材料例如由金属氟化物还原生成,产生的氟可以经由粘附膜扩散至层间绝缘层中,使得不同层面的栅极导体互连,或者与沟道柱互连,仍然可能导致器件失效。期望进一步改进3D存储器件的粘附膜的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种原子层沉积设备,包括:/n进气管路,用于接收至少两种反应气体以及惰性气体;/n反应腔室,与所述进气管路连接;/n基座,位于所述反应腔室内,用于承载硅片以及对所述硅片进行加热;/n排气通道,与所述反应腔室连接,/n其中,所述原子层沉积设备还包括可调节控制板,位于所述反应腔室内,用于阻挡所述反应气体到达硅片表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种原子层沉积设备,包括:
进气管路,用于接收至少两种反应气体以及惰性气体;
反应腔室,与所述进气管路连接;
基座,位于所述反应腔室内,用于承载硅片以及对所述硅片进行加热;
排气通道,与所述反应腔室连接,
其中,所述原子层沉积设备还包括可调节控制板,位于所述反应腔室内,用于阻挡所述反应气体到达硅片表面。


2.根据权利要求1所述的原子层沉积设备,其中,所述可调节控制板包括第一板,第二板和/或第三板,其中,所述第一板位于所述基座上方,具有多个通孔,所述第二板和/或第三板分别位于所述第一板的两端,可相对于所述第一板在垂直平面上旋转。


3.根据权利要求2所述的原子层沉积设备,其中,所述第二板和/或第三板包括抬起和放下两种工作状态。


4.根据权利要求3所述的原子层沉积设备,其中,所述第二板和/或第三板处于抬起状态时,所述反应气体经由所述第一板的多个通孔到达硅片表面,在硅片表面进行反应形成薄膜层并进行生长。


5.根据权利要求3所述的原子层沉积设备,其中,所述第二板和/...

【专利技术属性】
技术研发人员:李远博宋锐李远孙祥烈
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司
类型:发明
国别省市:湖北;42

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