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一种宽带低功耗比较器电路制造技术

技术编号:25445901 阅读:67 留言:0更新日期:2020-08-28 22:32
本发明专利技术提出了一种宽带低功耗比较器电路,属于集成电路设计领域。所述电路包括一个输入跨导电路、两个中间隔离开关和一个带复位开关的输出锁存器电路。所述输出锁存器,包括两个交叉耦合的反相器、一个连接两个反相器输出端的复位开关、一个连接两个反相器负供电端到地的限流电阻、以及一个连接两个反相器负供电端到控制时钟LAT的触发加速支路,该支路由一个电阻和一个电容串联而成。本发明专利技术所提出的比较器电路适用于对宽带输入信号直接比较,通过在输出锁存器中引入电源到地通路的限流电阻,以及从触发时钟到双稳电路负供电端的触发加速支路;该比较器电路在保持单时钟触发的特征下,具有宽带、低功耗、高速的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种宽带低功耗比较器电路
本专利技术属于集成电路设计领域,特别涉及一种适用于对宽带输入信号直接比较的宽带低功耗比较器电路。
技术介绍
流水线式模数转换器(PipelineADC)由于兼具高速高精度特性,被广泛应用于通信、雷达、医疗、仪器仪表、汽车电子等领域。随着电子系统的不断发展,系统对ADC的输入带宽、速度和功耗提出了更高的要求。对于PipelineADC来说,去掉输入采样保持放大器(SHA),用第一级电路直接对输入信号采样和转换,即实现所谓的SHA-Less设计,可以降低功耗、优化噪声和提高线性度,因此,SHA-Less设计正在得到越来越多的应用。但是,SHA-Less设计存在孔径误差问题,不利于宽带输入设计。为了解决这个问题,一个可行的解决方案是采用宽跟踪带宽、确定触发时刻的比较器。现有比较器设计一如图1所示,其中,图1的(a)为电路100,图1的(b)为时钟控制下的工作时序。图1的(a)所示电路100包括一个输入跨导电路110、两个中间隔离开关101和102、以及一个输出锁存器电路120。所述输入跨导电路110,包括两个NMOS本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种宽带低功耗比较器电路,包括输入跨导电路(310)、两个中间隔离开关(301和302)以及输出锁存器电路(320);/n所述输入跨导电路(310),包括两个NMOS差分对管(311和312)和一个NMOS偏置管(313),两个所述NMOS差分对管(311和312)的源极一同接入所述NMOS偏置管(313)的漏极,两个所述NMOS差分对管(311和312)的栅极分别接入输入电压Vip和Vin,两个所述NMOS差分对管(311和312)的漏极分别通过相应的所述中间隔离开关(301和302)接入所述输出锁存器电路(320),所述NMOS偏置管(313)的源极和栅极分别接地和偏置电压Vb;/n所...

【技术特征摘要】
1.一种宽带低功耗比较器电路,包括输入跨导电路(310)、两个中间隔离开关(301和302)以及输出锁存器电路(320);
所述输入跨导电路(310),包括两个NMOS差分对管(311和312)和一个NMOS偏置管(313),两个所述NMOS差分对管(311和312)的源极一同接入所述NMOS偏置管(313)的漏极,两个所述NMOS差分对管(311和312)的栅极分别接入输入电压Vip和Vin,两个所述NMOS差分对管(311和312)的漏极分别通过相应的所述中间隔离开关(301和302)接入所述输出锁存器电路(320),所述NMOS偏置管(313)的源极和栅极分别接地和偏置电压Vb;
所述输出锁存器电路(320),包括由第一PMOS晶体管(321)和第一NMOS晶体管(323)构成的第一反相器,由第二PMOS晶体管(322)和第二NMOS晶体管(324)构成的第二反相器,且第一反相器和第二反相器交叉耦合,与第三NMOS晶体管(325)共同构成带复位的双稳态电路;所述第三NMOS晶体管(325)的漏极和源极分别连...

【专利技术属性】
技术研发人员:李福乐丁洋王晓
申请(专利权)人:清华大学
类型:发明
国别省市:北京;11

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