LDMOS功率放大器功率附加效率的仿真方法技术

本发明专利技术涉及LDMOS功率放大器技术。本发明专利技术解决了现有提取不同LDMOS器件结构的功率附加效率指标的仿真方法精度不高且较为复杂的缺点，提供了一种LDMOS功率放大器功率附加效率的仿真方法，其技术方案可概括为：将现有的固定偏置电压替换为固定偏置电流，而对于不同的器件结构，在固定偏置电流条件下，其端口阻抗基本不变，因而采用统一的匹配电路即可完成不同器件结构的LDMOS功率放大器的搭建。本发明专利技术的有益效果是，提升效率指标的仿真精度，有效降低了匹配电路的设计次数，适用于LDMOS功率放大器功率附加效率的仿真。

【技术实现步骤摘要】
LDMOS功率放大器功率附加效率的仿真方法
本专利技术涉及LDMOS功率放大器技术，特别涉及LDMOS功率放大器功率附加效率的仿真方法。
技术介绍
目前，射频电路的应用随着通讯技术的发展日趋广泛，然而，射频通讯设备伴随其内部元件集成度的增加，功耗也不可避免的出现增长。设备整机的功耗主要集中于内部功率放大器单元，如果能够提升功率放大器的工作效率，降低整机的功耗消耗，可以有效的增强电池的续航能力与电子元件的寿命。依赖于LDMOS功率器件制作成本低，易于与CMOS工艺集成等方面的优势，LDMOS功率晶体管已经作为低频段功率放大器的主导技术而备受瞩目，因此如何提升LDMOS射频功率放大器的效率指标成为亟需解决的问题。射频电路研究人员通常采用优化晶体管外部匹配电路的方法，以提升功率放大器效率。但是，LDMOS器件作为LDMOS功率放大器的核心元件，该方法并没有优化其电学特性，进而从本质上提升功率放大器的效率，存在一定的局限性。优化LDMOS器件结构，改进其高频特性是提升LDMOS功率放大器效率的有效方法之一。在论文“AnAccumulat本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.LDMOS功率放大器功率附加效率的仿真方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1、获取各LDMOS器件数据，搭建等效电学特性模型；/n步骤2、根据功率放大器的工作偏置条件，确定在固定偏置电流下，各LDMOS器件对应的偏置电压，确定其工作偏置点；/n步骤3、对任一LDMOS器件模型进行负载牵引与信号源牵引仿真，确定匹配电路，所有LDMOS器件模型均采用该匹配电路及相同的偏置电路，完成各功率放大器的设计；/n步骤4、仿真所设计的各功率放大器，得到对应的功率附加效率指标。/n

【技术特征摘要】
1.LDMOS功率放大器功率附加效率的仿真方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、获取各LDMOS器件数据，搭建等效电学特性模型；
步骤2、根据功率放大器的工作偏置条件，确定在固定偏置电流下，各LDMOS器件对应的偏置电压，确定其工作偏置点；
步骤3、对任一LDMOS器件模型进行负载牵引与信号源牵引仿真，确定匹配电路，所有LDMOS器件模型均采用该匹配电路及相同的偏置电路，完成各功率放大器的设计；
步骤4、仿真所设计的各功率放大器，得到对应的功率附加效率指标。


2.根据权利要求1所述LDMOS功率放大器功率附加效率的仿真方法，其特征在于，步骤1中，所述各LDMOS器件数据包括各LDMOS器件直流输出特性数据、转移特性数据及小信号S参数数据。


3.根据权利要求2所述LDMOS功率放大器功率附加效率的仿真方法，其特征在于，步骤1中，所述获取各LDMOS器件数据，搭建等效电学特性模型是指：获取各LDMOS器件数据，结合LDMOS器件直流输出特性数据及转移特性数据通过解析方法搭建直流等效电学特性模型，并且结合LDMOS器件的小信号S参数测试数据搭建交流小信号等效电学特性模型，直流等效电学特性模型和交流小信号等效电学特性模型组成等效电学特性模型。


4.根据权利要求3所述LDMOS功率放大器功率附加效率的仿真方法，其特征在于，
步骤1中，所述解析...

【专利技术属性】
技术研发人员：王向展，吴锦帆，陈玉翔，唐周全，于奇，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51