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本发明涉及LDMOS功率放大器技术。本发明解决了现有提取不同LDMOS器件结构的功率附加效率指标的仿真方法精度不高且较为复杂的缺点，提供了一种LDMOS功率放大器功率附加效率的仿真方法，其技术方案可概括为：将现有的固定偏置电压替换为固定偏置...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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