一种闪烁晶体及其制备方法与应用技术

本发明专利技术涉及人工闪烁晶体技术领域，特别是涉及一种闪烁晶体及其制备方法与应用。所述闪烁晶体的化学式为CsI：Tl(x)：Cu(y)，其中0.05≤x≤0.1；0.01≤y≤0.1。本发明专利技术采用共掺杂配方及改进的下降方法制备出的碘化铯晶体既能保持原有的光产额，又能有效降低余辉，特别是在辐照射线关闭后的前50ms的时间段内的余辉有显著改善，可满足高速射线成像检测需求。

【技术实现步骤摘要】
一种闪烁晶体及其制备方法与应用
本专利技术涉及人工闪烁晶体
，特别是涉及一种闪烁晶体及其制备方法与应用。
技术介绍
探测器部件主要由光电二极管和闪烁体两部分组成，是安检机、工业CT机、计算机断层扫描仪等射线探测装置中的重要组成部分。探测器中的闪烁体通过吸收高能射线后发出可见光，其性能在很大程度上影响着射线探测装置的整体性能指标和探测效果。目前的闪烁体主要是以人工晶体为主。目前世界上X射线安检设备及工业CT机中应用最广的就是碘化铯晶体。碘化铯晶体是一类具有优异性能的卤化物闪烁体，它的光输出为碘化钠晶体的85％，发光波长为550nm能与硅光二极管有效匹配，从而大大简化探测器的读出系统，再加上该晶体为立方晶系、熔点低(仅为621℃)且生长技术成熟，易于生长大尺寸晶体、价格便宜等优点，使得该材料在高能物理，安全检查、工业无损检测、核医学成像等领域有广泛应用。但是CsI：Tl的长余辉(20ms：1％～5％)特性严重影响了其在高速放射成像
的应用，由于其长余辉而导致高速X射线成像模糊、图像衬度下降以及X-CT影响产生鬼影等问题，特别是随本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种闪烁晶体，所述闪烁晶体的化学式为CsI：Tl(x)：Cu(y)，其中0.05≤x≤0.1；0.01≤y≤0.1。/n

【技术特征摘要】
1.一种闪烁晶体，所述闪烁晶体的化学式为CsI：Tl(x)：Cu(y)，其中0.05≤x≤0.1；0.01≤y≤0.1。


2.如权利要求1所述的闪烁晶体，其特征在于，所述0.06≤x≤0.08。


3.如权利要求1所述的闪烁晶体，其特征在于，所述0.02≤y≤0.07。


4.如权利要求1～3任一项权利要求所述的闪烁晶体的制备方法，包括：将碘化铯粉体、碘化亚铊和碘化亚铜的混合料加热熔融后，进一步进行晶体生长，制备获得。


5.如权利要求4所述的闪烁晶体的制备方法，其特征在于，所述碘化铯粉体和碘化亚铊的摩尔比为1：0.05～0.1；所述碘化铯粉体和碘化亚铜的摩尔比为1：0.01～0.1。


6.如权利要求4所述的闪烁晶体的制备方法，其特征在于，还包括如下技术特征的任一项或多项：
A1)将所述混合料于195～205℃反应，真空干燥后密封后熔融；
A2)所述熔融的温度为700～750℃；
A3)晶体生长过程，以速度为1.5～3.0mm/h降温到温度为600～650℃；晶体生长...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐华纯，李中波，张亮，
申请(专利权)人：上海御光新材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31