OPC建模数据的可信度的计算方法、设备和存储介质技术

本申请公开了一种OPC建模数据的可信度的计算方法、设备和存储介质，包括：计算OPC建模的测试图形的特征向量值；根据特征向量值对测试图形进行聚类，得到至少一个图形集合；对每个图形集合中的测试图形的量测数据进行统计，得到每个量测数据的可信度。本申请实现了计算机设备对OPC建模的量测数据的自动判断和识别，解决了相关技术中通过人工的方式对建模数据进行判断和识别所导致的一致性、准确度较差且耗时较长的问题，提高了对OPC建模数据进行识别的准确度和效率。

【技术实现步骤摘要】
OPC建模数据的可信度的计算方法、设备和存储介质
本申请涉及半导体集成电路制造
，具体涉及一种光学临近校正(opticalproximitycorrection，OPC)建模数据的可信度的计算方法、设备和存储介质。
技术介绍
随着光学图像失真的日益严重，为了克服光学图像失真，半导体集成电路制造工业中引入了OPC技术通过改变版图形状以补偿光学畸变效应。实现OPC的方法主要有基于规则的OPC(rule-basedOPC，ROPC)和基于模型的OPC(model-basedOPC，MOPC)。其中，MOPC是采用模型预测光刻结果，通过反馈机制修改版图形状，使预测结果接近目标结果的技术。MOPC所采用的模型，是使用一个由真实参数构建的光学物理模型为基础，加上少量占比的数学调整，去拟合达到一定数量(基本涵盖版图形状多样性)的真实光刻结果数据得到的。其中，这些用来调节模型的数据就是建模数据，建模数据的准确性和有效性对模型的准确度有着较为重要的影响。通常，由于时间和资源的限制，难以做到对所有建模数据都测量多次，因此可能出现收集到的建模数据中，有部分数据的随机误差较大，超出了准确性的要求。对于这些随机误差较大的数据，相关技术中是通过人工的方式进行判断和识别，一致性、准确度较差，且耗时较长。
技术实现思路
本申请提供了一种可信度的计算方法、设备和存储介质，可以解决相关技术中由人工对建模数据中随机误差较大的数据进行判断所导致的准确度、一致性较差且耗时较长的问题。一方面，本申请实施例提供了一种OPC建模数据的可信度的计算方法，所述方法应用于半导体集成电路制造工艺中OPC建模数据的可信度的计算，所述方法包括：计算所述OPC建模的测试图形的特征向量值；根据所述特征向量值对所述测试图形进行聚类，得到至少一个图形集合；对所述每个图形集合中的测试图形的量测数据进行统计，得到每个所述量测数据的可信度，所述量测数据是所述测试图形通过光刻后在衬底上得到图形量测得到的数据。可选的，所述计算OPC建模的测试图形的特征向量值，包括：获取量测所述测试图形的量测类型和尺寸参数；根据所述尺寸参数，通过所述量测类型指示的量测方式计算所述测试图形的高度，所述高度是所述测试图形沿量测方向垂直方向上的距离；根据所述尺寸参数，通过所述量测类型指示的量测方式所述测试图形的宽度，所述宽度是所述测试图形沿所述量测方向上的距离；根据所述尺寸参数，通过所述量测类型指示的量测方式计算所述测试图形之间的间距；计算所述测试图形的光学估计值。可选的，所述量测类型包括第一类型和第二类型，所述第一类型是量测位置的中心在所述测试图形上的量测方式，所述第二类型是量测位置的中心不在所述测试图形上的量测方式。可选的，根据所述尺寸参数，通过所述量测类型指示的量测方式计算所述测试图形的高度，包括：当所述量测类型为所述第一类型时，以所述量测位置的中心为起点，计算与所述量测方向垂直的方向上，从所述起点到所述测试图形的边界的第一距离；获取所述第一距离中的最小的距离，作为第一候选高度；当所述第一候选高度大于尺寸参数的二分之一时，确定所述高度为所述尺寸参数的二分之一；当所述第一候选高度小于尺寸参数的二分之一时，确定所述高度为所述第一候选高度。可选的，根据所述尺寸参数，通过所述量测类型指示的量测方式计算所述测试图形的高度，包括：当所述量测类型为所述第二类型时，以所述量测位置的中心沿所述量测方向上与所述测试图形的边界的最近的交点为起点，计算与所述量测方向垂直的方向上，从所述起点到所述测试图形的边界的第二距离；获取所述第二距离中的最小的距离，作为第二候选高度；当所述第二候选高度大于尺寸参数的二分之一时，确定所述高度为所述尺寸参数的二分之一；当所述第二候选高度小于尺寸参数的二分之一时，确定所述高度为所述第二候选高度。可选的，所述根据所述尺寸参数，通过所述量测类型指示的量测方式所述测试图形的宽度，包括：当所述量测类型为所述第一类型时，以所述量测位置的中心为起点，计算沿所述量测方向上，从所述起点到所述测试图形的边界的第三距离；获取所述第三距离中的最小的距离，作为第一候选宽度；当所述第一候选宽度大于尺寸参数的二分之一时，确定所述宽度为所述尺寸参数的二分之一；当所述第一候选宽度小于尺寸参数的二分之一时，确定所述宽度为所述第一候选宽度。可选的，所述根据所述尺寸参数，通过所述量测类型指示的量测方式所述测试图形的宽度，包括：当所述量测类型为所述第二类型时，以所述量测位置的中心沿所述量测方向上与所述测试图形的边界的最近的交点为起点，计算沿所述量测方向上，从所述起点到所述测试图形的边界的第四距离；获取所述第四距离中的最小的距离，作为第二候选宽度；当所述第二候选宽度大于尺寸参数的二分之一时，确定所述宽度为所述尺寸参数的二分之一；当所述第二候选宽度小于尺寸参数的二分之一时，确定所述宽度为所述第二候选宽度。可选的，所述根据尺寸参数，通过所述量测类型指示的量测方式所述测试图形之间的间距，包括：当所述量测类型为所述第一类型时，以所述量测位置的中心沿所述量测方向上与所述测试图形的边界的最近的交点为起点，计算沿所述量测方向上，从所述起点到所述测试图形的边界的第五距离；获取所述第五距离中的最小的距离，作为第一候选间距；当所述第一候选间距大于尺寸参数的二分之一时，确定所述间距为所述尺寸参数的二分之一；当所述第一候选间距小于尺寸参数的二分之一时，确定所述间距为所述第一候选间距。可选的，所述根据尺寸参数，通过所述量测类型指示的量测方式所述测试图形之间的间距，包括：当所述量测类型为所述第二类型时，以所述量测位置的中心为起点，计算沿所述量测方向上，从所述起点到所述测试图形的边界的第六距离；获取所述第六距离中的最小的距离，作为第二候选间距；当所述第二候选间距大于尺寸参数的二分之一时，确定所述间距为所述尺寸参数的二分之一；当所述第二候选间距小于尺寸参数的二分之一时，确定所述间距为所述第二候选间距。可选的，所述计算所述测试图形的光学估计值，包括：通过光学模型，计算所述量测方向与每个所述测试图形的两个交点处的归一化信号强度，将所述归一化信号强度的平均值作为所述光学估计值；其中，所述光学模型是基于光刻工艺参数，根据光学原理建立的模型。可选的，所述根据所述特征向量值对所述测试图形进行聚类，包括：将所述特征向量值相同的测试图形归为同一图形集合；且将所述特征向量值之间的差值小于差值阈值的测试图形归为同一图形集合。可选的，所述对所述每个图形集合中的测试图形的量测数据进行统计，包括：对所述每个图形集合中的测试图形的量测数据进行正态分布，根据所述量测数据和所述量测数据的平均值之差确定所述量测数据的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OPC建模数据的可信度的计算方法，其特征在于，所述方法应用于半导体集成电路制造工艺中OPC建模数据的可信度的计算，所述方法包括：/n计算所述OPC建模的测试图形的特征向量值；/n根据所述特征向量值对所述测试图形进行聚类，得到至少一个图形集合；/n对所述每个图形集合中的测试图形的量测数据进行统计，得到每个所述量测数据的可信度，所述量测数据是所述测试图形通过光刻后在衬底上得到图形量测得到的数据。/n

【技术特征摘要】
1.一种OPC建模数据的可信度的计算方法，其特征在于，所述方法应用于半导体集成电路制造工艺中OPC建模数据的可信度的计算，所述方法包括：
计算所述OPC建模的测试图形的特征向量值；
根据所述特征向量值对所述测试图形进行聚类，得到至少一个图形集合；
对所述每个图形集合中的测试图形的量测数据进行统计，得到每个所述量测数据的可信度，所述量测数据是所述测试图形通过光刻后在衬底上得到图形量测得到的数据。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述计算OPC建模的测试图形的特征向量值，包括：
获取量测所述测试图形的量测类型和尺寸参数；
根据所述尺寸参数，通过所述量测类型指示的量测方式计算所述测试图形的高度、宽度和间距中的至少一种；
计算所述测试图形的光学估计值；
其中，所述高度是所述测试图形沿量测方向垂直方向上的距离，所述宽度是所述测试图形沿所述量测方向上的距离，所述间距是所述测试图形之间沿所述量测方向上的间距。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述量测类型包括第一类型和第二类型，所述第一类型是量测位置的中心在所述测试图形上的量测方式，所述第二类型是量测位置的中心不在所述测试图形上的量测方式。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，根据所述尺寸参数，通过所述量测类型指示的量测方式计算所述测试图形的高度，包括：
当所述量测类型为所述第一类型时，以所述量测位置的中心为起点，计算与所述量测方向垂直的方向上，从所述起点到所述测试图形的边界的第一距离；
获取所述第一距离中的最小的距离，作为第一候选高度；
当所述第一候选高度大于尺寸参数的二分之一时，确定所述高度为所述尺寸参数的二分之一；
当所述第一候选高度小于尺寸参数的二分之一时，确定所述高度为所述第一候选高度。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，根据所述尺寸参数，通过所述量测类型指示的量测方式计算所述测试图形的高度，包括：
当所述量测类型为所述第二类型时，以所述量测位置的中心沿所述量测方向上与所述测试图形的边界的最近的交点为起点，计算与所述量测方向垂直的方向上，从所述起点到所述测试图形的边界的第二距离；
获取所述第二距离中的最小的距离，作为第二候选高度；
当所述第二候选高度大于尺寸参数的二分之一时，确定所述高度为所述尺寸参数的二分之一；
当所述第二候选高度小于尺寸参数的二分之一时，确定所述高度为所述第二候选高度。


6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，根据所述尺寸参数，通过所述量测类型指示的量测方式所述测试图形的宽度，包括：
当所述量测类型为所述第一类型时，以所述量测位置的中心为起点，计算沿所述量测方向上，从所述起点到所述测试图形的边界的第三距离；
获取所述第三距离中的最小的距离，作为第一候选宽度；
当所述第一候选宽度大于尺寸参数的二分之一时，确定所述宽度为所述尺寸参数的二分之一；
当所述第一候选宽度小于尺寸参数的二分之一时，确定所述宽度为所述第一候选宽度。


7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，根据所述尺寸参数，通过所述量测类型指示的量测方式所述测试图形的宽度，包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：伍思昕，金晓亮，冯佳计，袁春雨，赵嘉妮，王聪玉，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31