真空沉积装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种由工程腔室接收在连接到加热器的热交换机中进行热交换的冷却水的流入，借此在维持内部正常工程温度的同时执行特定温度的低温工程，从而在玻璃以及晶圆基板上沉积形成薄膜的真空沉积装置。本发明专利技术在包括腔室、基座、喷淋头以及加热器的真空沉积装置中，由腔室接收在连接到加热器的热交换机中进行热交换的一定温度的冷却水，借此在维持正常的工程温度的同时执行特定温度的低温工程，从而在玻璃以及晶圆基板上沉积形成薄膜。加热器采用在内部填埋螺旋形冷却水管的构成，填埋部位通过焊接防止漏水。腔室与远程等离子体发生器连接且在连接管中配备散热板，散热板采用圆筒形状的构成并通过形成多个褶皱结构而提升其表面积。

【技术实现步骤摘要】
真空沉积装置
本专利技术涉及一种真空沉积装置。本专利技术尤其涉及一种由工程腔室接收在连接到加热器的热交换机中进行热交换的冷却水的流入，借此在维持内外部正常工程温度的同时执行特定温度的低温工程，从而在玻璃以及晶圆基板上沉积形成薄膜的真空沉积装置。
技术介绍
通常作为化学气相沉积装置，主要使用等离子体化学气相沉积装置(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，以下简称为PECVD装置)。PECVD装置是通过利用工程腔室外部的高电压能量将工程气体激发到等离子体状态之后诱导工程气体之间的化学反应而在基板上形成薄膜。PECVD装置中配备有用于在真空状态的工程腔室内部对基板进行支撑的基座，从而通过工程气体的流入而在基板上形成薄膜。PECVD装置不使用热交换器，而是通过将卡盘与电阻连接之后进行电加热而使其进入高温(350℃～400℃)状态之后执行工程。但是当采用如上所述的电加热方式时，因为外部温度会变得过高，因此需要在腔室外廓配备冷却系统，从而通过降低腔室外部的温度而维持正常的腔室内部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种真空沉积装置，其特征在于：/n在包括腔室、基座、喷淋头以及加热器的真空沉积装置中，/n由上述腔室接收在连接到上述加热器的热交换机中进行热交换的一定温度的冷却水，借此在维持正常温度的同时执行特定温度的低温工程，从而在玻璃以及晶圆基板上沉积形成薄膜。/n

【技术特征摘要】
20190215 KR 10-2019-00175801.一种真空沉积装置，其特征在于：
在包括腔室、基座、喷淋头以及加热器的真空沉积装置中，
由上述腔室接收在连接到上述加热器的热交换机中进行热交换的一定温度的冷却水，借此在维持正常温度的同时执行特定温度的低温工程，从而在玻璃以及晶圆基板上沉积形成薄膜。


2.根据权利要求1所述的真空沉积装置，其特征在于：
上述腔室与热交换机为了维持腔室的工程温度而以2米以内的间隔进行安装。


3.根据权利要求1所述的真空沉积装置，其特征在于：
连接到上述热交换机的加热器为了维持工程温度而配备可利用冷却水在1秒之内调节到所需温度的冷却水管。


4.根据权利要求1所述的真空沉积装置，其特征在于：
在上述加热器的内部相互围绕的螺旋形冷却水管之间的间距为10mm以...

【专利技术属性】
技术研发人员：李都衡，
申请(专利权)人：阿普勒斯株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR