显示设备制造技术

一种显示设备(2)，其包含：基板；半导体膜(15)；无机绝缘膜(16)，形成在比所述半导体膜更上层；发光元件(ED)，形成在比所述无机绝缘膜更上层，且包含第一电极(22)以及第二电极(25)；在所述无机绝缘膜上形成有接触孔(CHa)，所述接触孔与所述第一电极的一部分重叠，在所述接触孔中，所述第一电极的一部分(22h)与所述半导体膜接触(15)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示设备
本专利技术涉及一种显示设备。
技术介绍
专利文献1公开有如下构成：在OLED(有机发光二极管)的阳极(像素电极)的下侧设有平坦化膜，将该阳极和TFT的漏极电极经由形成在平坦化膜上的接触孔连接。现有技术文献专利文献专利文献1：日本公开专利公报“特开2010-161058号公报(2010年7月22日公开)”
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题在专利文献1的构成中，即使设有平坦化膜，也无法对由漏极电极引起的凸起进行平坦化，有时会给显示带来不良影响。另外，还存在平坦化膜的形成需要成本的问题。解决问题的方案本专利技术的一形态所涉及的显示设备，其包含：基板；半导体膜；无机绝缘膜，形成在比所述半导体膜更上层；发光元件，形成在比所述无机绝缘膜更上层，且包含第一电极以及第二电极；在所述无机绝缘膜上形成有接触孔，所述接触孔与所述第一电极的一部分重叠，在所述接触孔中，所述第一电极的一部分与所述半导体膜接触。专利技术效果根据本专利技术的一形态，使得所述第一电极的一部分与所述半导体膜接触，因此无需漏极电极，从而消除由漏极电极引起的凸起给显示带来的不良影响。此外，由于也无需平坦化膜，从而有减少成本的效果。附图说明图1是表示显示设备的制造方法的一个例子的流程图。图2是表示实施方式一的显示设备的构成例的剖视图。图3是将图2的一部分放大表示的剖视图。图4是表示实施方式一的TFT层以及发光元件层的形成方法的流程图。图5是表示显示设备的参考例的剖视图。图6是表示显示设备的构成例的平面图。图7是图6的各部的剖视图。图8是表示在折弯部中的端子配线的形成工序的剖视图。图9是表示实施方式二的显示设备的构成例的剖视图。图10是表示实施方式二的TFT层以及发光元件层的形成方法的流程图。图11是表示实施方式三的显示设备的构成例的剖视图。图12是表示实施方式三的TFT层以及发光元件层的形成方法的流程图。具体实施方式以下，“同层”是指在同一个过程中形成，“下层”是指在比比较对象的层更早的过程中形成，“上层”是指在比比较对象的层更晚的过程中形成。〔实施方式一〕图1是表示显示设备的制造方法的流程图。图2是实施方式一的显示设备的显示部的剖视图。在制造显示设备的情况下，如图1以及图2所示，首先，在基板10上形成势垒层3(步骤S1)。接下来，形成TFT层4(步骤S2)。接下来，形成顶部发射型的发光元件层(例如为OLED元件层)5(步骤S3)。接下来，形成密封层6(步骤S4)。接下来，分割包含基板10、势垒层3、TFT层4、发光元件层5以及密封层6的层叠体，以获得多个显示设备2(步骤S5)。接下来，将包含光学补偿功能、触摸传感器功能以及保护功能等的功能膜(未图示)贴附在显示设备2上(步骤S6)。接下来，在显示设备2的外部连接用的端子中，安装IC芯片等的电子电路基板(未图示)(步骤S7)。此外，后述的显示设备制造装置进行所述各步骤。例如，基板10可以采用玻璃基板。势垒层(势垒膜)3是防止水、氧等的异物到达TFT层4、发光元件层5的层，例如，能够由通过CVD法形成的、氧化硅膜、氮化硅膜、或氧氮化硅膜、或这些的层叠膜构成。TFT层4包含半导体膜15、比半导体膜15更上层的无机绝缘膜16(栅极绝缘膜)、比无机绝缘膜16更上层的、栅极电极GE、栅极配线GH(与栅极电极为同一层的配线)、阳极22、源极电极SE以及源极配线SH(与源极电极为同一层的配线)，薄膜晶体管以包含半导体膜15、无机绝缘膜16以及栅极电极GE的方式构成。半导体膜15包含氧化物半导体，例如In-Ga-Zn-O系的半导体。In-Ga-Zn-O系半导体是In(铟)、Ga(镓)、Zn(锌)的三元系氧化物，In、Ga以及Zn的比例(组成比)不受特别的限制，例如，包含In：Ga：Zn＝2：2：1、In：Ga：Zn＝1：1：1、In：Ga：Zn＝1：1：2等。In-Ga-Zn-O系的半导体可以是非晶质，也可以是结晶质。无机绝缘膜16例如可以由通过CVD法来形成的氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx)膜或这些的层叠膜构成。发光元件层5包含覆盖阳极22的边缘的电极覆盖膜(堤)23、比电极覆盖膜23更上层的EL(电致发光)层24、比EL层24更上层的阴极25，在每个子像素中设有包含岛状的阳极22(第一电极)、EL层24以及阴极25(第二电极)的发光元件ED、和驱动该发光元件ED的子像素电路。电极覆盖膜23能够例如由聚酰亚胺、丙烯酸等的可涂布的有机材料构成。EL层24例如通过从下层侧起依次层叠空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子传输层以及电子注入层而构成。发光层通过蒸镀法或喷墨法针对每个子像素形成为岛状，但针对空穴注入层、空穴输送层、电子传输层以及电子注入层的一个以上的层，有时设为整面状的共通层，有时也不形成。图3是将图2的一部分放大表示的剖视图。如图2和图3所示，阳极22通过从基板10侧起依次层叠ITO膜(IndiumTinOxide，铟锡氧化物)AX(下层ITO膜)、包含Ag的合金膜AY以及ITO膜AZ(上层ITO膜)而成，并且具有光反射性。合金膜AY被两层的ITO膜AX、AZ夹在中间。栅极电极GE、栅极配线GH、阳极22、源极电极SE以及源极配线SH以同一过程(在同层而且用同一材料)形成。阴极25能够由MgAg合金(超薄膜)、ITO等的透光性的导电材料构成。在发光元件层5为OLED层的情况下，通过阳极22以及阴极25之间的驱动电流，空穴和电子在EL层24内再次结合，通过由此所产生的激子降至基态，从而光被放出。由于阳极22是光反射性的，阴极25是透光性的，从而从EL层24放出的显示光朝向上方，成为顶部发射。发光元件层5不限于构成OLED元件的情况，也可以构成无机发光二极管或量子点发光二极管。密封层6是透光性的，包含覆盖阴极25的无机密封膜26、比无机密封膜26更上层的有机密封膜27以及覆盖有机密封膜27的无机密封膜28。覆盖发光元件层5的密封层6防止水、氧等的异物向发光元件层5渗透。无机密封膜26、28分别能够以例如由CVD法形成的氧化硅膜、氮化硅膜、或氧氮化硅膜、或这些的层叠膜构成。有机密封膜27是厚度比无机密封膜26和28厚的透光性有机膜，可以由丙烯酸等的可涂布的有机材料构成。图4是表示实施方式一的TFT层以及发光元件层的形成方法的流程图。如图2以及图4所示，在图1的步骤S1之后，形成半导体膜15以及电容配线CW(步骤S2a)。此处，例如，通过还原被图案化的氧化物半导体膜的规定区域，来形成导电体即电容配线CW。扫描信号线GL形成在与电容配线CW为同一层。接下来，形成栅极绝缘膜即无机绝缘膜16(步骤S2b)。接下来，在同一工序中形成栅极电极GE、栅极配线GH、阳极22、源极电极SE以及源极配线SH(步骤S2c)。供给本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示设备，其包括：/n基板；/n半导体膜；/n无机绝缘膜，形成在比所述半导体膜更上层；以及/n发光元件，形成在比所述无机绝缘膜更上层，且包含第一电极以及第二电极，/n所述显示设备的特征在于，/n在所述无机绝缘膜上形成有接触孔，/n所述接触孔与所述第一电极的一部分重叠，在所述接触孔中，所述第一电极的一部分与所述半导体膜接触。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示设备，其包括：
基板；
半导体膜；
无机绝缘膜，形成在比所述半导体膜更上层；以及
发光元件，形成在比所述无机绝缘膜更上层，且包含第一电极以及第二电极，
所述显示设备的特征在于，
在所述无机绝缘膜上形成有接触孔，
所述接触孔与所述第一电极的一部分重叠，在所述接触孔中，所述第一电极的一部分与所述半导体膜接触。


2.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，
所述第一电极具有光反射性。


3.根据权利要求1或2所述的显示设备，其特征在于，
所述半导体膜包含氧化物半导体。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的显示设备，其特征在于，
所述第一电极从基板侧起依次层叠下层ITO膜、包含Ag的合金膜以及上层ITO膜而成。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示设备，其特征在于，包括：
电极覆盖膜，覆盖所述第一电极的边缘，且与所述接触孔重叠。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的显示设备，其特征在于，包括：
栅极电极，隔着所述无机绝缘膜与所述半导体膜重叠；以及
源极电极，与所述半导体膜接触，且与该半导体膜电连接，
所述栅极电极以及所述源极电极形成在与所述第一电极为同一层。


7.根据权利要求6所述的显示设备，其特征在于，包括：
电极覆盖膜，覆盖所述第一电极的边缘、所述栅极电极以及所述源极电极。


8.根据权利要求1至5中任一项所述的显示设备，其特征在于，包括：
栅极电极，隔着所述无机绝缘膜与所述半导体膜重叠；以及
源极电极，与所述半导体膜接触，且与该半导体膜电连接，
所述栅极电极形成在比所述第一电极更下层，所述源极电极形成在与所述第一电极为同一...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈部达，郡司辽佑，谷山博己，斋田信介，市川伸治，仲田芳浩，神村浩治，井上彬，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP