半导体装置制造用粘接片及使用其的半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种粘接片及使用其的半导体装置的制造方法，该粘接片在剥离工序之前，即使受到伴随QFN组装的热历程，也充分且稳定地粘贴，而不会从引线框的背面及密封树脂的背面剥离，也不会泄漏密封树脂，而且，在剥离工序中能够容易地剥离，不会产生粘接剂残留的残胶，或断裂。半导体装置制造用粘接片具备基材和设置于该基材的一个面的热固化型粘接剂层，能够剥离地粘贴于半导体装置的引线框或配线基板，所述半导体装置制造用粘接片中，所述粘接剂层含有含羧基的丙烯腈‑丁二烯共聚物(a)、具有下述结构式(1)的环氧树脂(b)和含2个以上马来酰亚胺基的化合物(c)，未反应的马来酰亚胺残留量为0.02～0.13。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置制造用粘接片及使用其的半导体装置的制造方法
本专利技术涉及在通过QFN(QuadFlatNon-lead，方形扁平无引线)方式组装半导体装置时适合作为掩模带使用的粘接片，及使用其的半导体装置的制造方法。本申请基于2018年2月12日在日本申请的日本特愿第2018-022641号要求优先权，并将其内容援引于此。
技术介绍
近年来，对于以移动电话为代表的IT设备的小型化、薄型化、多功能化的要求，半导体装置(半导体封装)中更高密度安装技术的必要性提高。作为满足该要求的CSP(ChipSizePackage，芯片尺寸封装)技术，QFN方式受到关注(参照专利文献1及专利文献2)。特别是在100引脚以下的少引脚类型中正在被广泛采用。其中，作为根据QFN方式的一般的QFN封装的组装方法，大致已知有下述方法。首先，在粘贴工序中，在引线框的一个面粘贴粘接片，接着，在芯片贴装工序中，在多个形成于引线框的半导体元件搭载部(焊盘部)分别搭载IC芯片等半导体元件。接着，在打线接合工序中，通过接合线将沿引线框的各半导体元件搭载部的外围配设的多个引线和半导体元件电连接。接着，在密封工序中，通过密封树脂将搭载于引线框的半导体元件密封。之后，在剥离工序中，通过将粘接片从引线框剥离，能够形成排列了多个QFN封装的QFN单元。最后，在切割工序中，通过沿各QFN封装的外围切割该QFN单元，能够制造出多个QFN封装。用于这种用途的粘接片要求：在剥离工序之前，充分且稳定地粘贴，而不会从引线框的背面及密封树脂的背面剥离，并且，在剥离工序中，能够容易地剥离，没有粘接剂残留于引线框的背面或密封树脂的背面的残胶、或粘接片断裂等不良状况。特别是近年来，为了降低半导体装置的成本，而使用由铜合金构成的引线框。这种由铜合金构成的引线框还对作为过渡金属的铜的高分子材料具有氧化劣化的催化作用，由于伴随编带工序后的QFN封装组装的热历程，粘接剂容易氧化劣化，片剥离时容易重剥离及残胶。但是，以往使用的粘接片不能充分满足能够用于由铜合金构成的引线框的实用水平。例如，以往的粘接片中，有在由耐热性膜构成的基材层叠含有丙烯腈-丁二烯共聚物和双马来酰亚胺树脂的粘接剂层的方式(参照专利文献3。)，使用该粘接片时，存在如下问题：由于编带工序后的芯片贴装固化处理、打线接合工序、树脂密封工序中施加的热，丙烯腈-丁二烯共聚物容易劣化，在剥离工序中，难以剥离，或粘接片断裂，产生残胶。专利文献1：日本特开第2003-165961号公报专利文献2：日本特开第2005-142401号公报专利文献3：日本特开第2008-095014号公报
技术实现思路
鉴于上述情况，本专利技术的课题在于提供一种粘接片及使用其的半导体装置的制造方法，该粘接片在剥离工序之前，即使受到伴随QFN组装的热历程，也充分且稳定地粘贴，而不会从引线框的背面及密封树脂的背面剥离，也不会泄漏密封树脂，而且，在剥离工序中能够容易地剥离，不会产生粘接剂残留的残胶、或断裂。本专利技术的半导体装置制造用粘接片具备基材和设置于该基材的一个面的热固化型粘接剂层，能够剥离地粘贴于半导体装置的引线框或配线基板，半导体装置制造用粘接片的特征在于，所述粘接剂层含有含羧基的丙烯腈-丁二烯共聚物(a)、具有下述结构式(1)的环氧树脂(b)和含2个以上马来酰亚胺基的化合物(c)，未反应的马来酰亚胺残留量为0.02～0.13。[化学式1]另外，所述(a)成分优选丙烯腈含量为5～50质量％、且由数均分子量算出的羧基当量为100～20000的含羧基的丙烯腈-丁二烯共聚物。相对于100质量份的所述(a)成分，所述(b)成分和所述(c)成分合计优选为20～300质量份。另外，本专利技术的半导体装置的制造方法的特征在于，是使用前述记载的半导体装置制造用粘接片的半导体装置的制造方法，包括：粘贴工序，在引线框或配线基板粘贴半导体装置制造用粘接片；芯片贴装工序，在所述引线框或配线基板搭载半导体元件；打线接合工序，使所述半导体元件和外部连接端子导通；密封工序，用密封树脂将所述半导体元件密封；以及剥离工序，在所述密封工序之后，将半导体装置制造用粘接片从引线框或配线基板剥离。根据本专利技术，能够提供一种粘接片及使用其的半导体装置的制造方法，该粘接片在剥离工序之前，即使受到伴随QFN组装的热历程，也充分且稳定地粘贴，而不会从引线框的背面及密封树脂的背面剥离，也不会泄漏密封树脂，而且，在剥离工序中能够容易地剥离，不会产生粘接剂残留的残胶，或断裂。附图说明图1是示出用于本专利技术的半导体装置的制造方法的引线框示例的俯视图。图2是描述本专利技术的半导体装置的制造方法的工序图。具体实施方式下面，对本专利技术进行详细说明。[半导体装置制造用粘接片]本专利技术的半导体装置制造用粘接片(以下称为粘接片)具备基材和设置于该基材的一个面的热固化型粘接剂层，能够剥离地粘贴于半导体装置的引线框或配线基板，其中，所述粘接剂层含有含羧基的丙烯腈-丁二烯共聚物(a)、具有下述结构式(1)的环氧树脂(b)和含2个以上马来酰亚胺基的化合物(c)，未反应的马来酰亚胺残留量为0.02～0.13，所述粘接片在通过QFN方式组装半导体装置时作为掩模带使用。[化学式2]含羧基的丙烯腈-丁二烯共聚物(a)起到适度维持加热初期的粘接剂层的熔融粘度的作用等，并且对固化的粘接剂层赋予良好的柔软性、粘接性，通过含有它，能够形成对由耐热性膜等构成的基材的密合性好、没有裂纹的粘接剂层。作为含羧基的丙烯腈-丁二烯共聚物(a)，可以没有限制地使用公知的物质，但优选丙烯腈含量为5～50质量％，更优选丙烯腈含量为10～40质量％。若丙烯腈含量低于上述范围，则在溶剂中的溶解性或与其他成分的相容性降低，因此，得到的粘接剂层的均匀性有降低的倾向。另一方面，若丙烯腈含量超过上述范围，则得到的粘接剂层对引线框或密封树脂的粘接性过度，将其用于粘接片时，有可能在剥离工序中难以剥离，或粘接片断裂。含羧基的丙烯腈-丁二烯共聚物的由数均分子量算出的羧基当量优选为100～20000的范围，更优选为200～10000。若羧基当量低于上述范围，则与其他成分的反应性过高，得到的粘接剂层的保存稳定性有降低的倾向。另一方面，若羧基当量超过上述范围，则与其他成分的反应性不足，因此，得到的粘接剂层容易变成低的B阶。结果，将其用于粘接片时，在加热初期，即粘接片的粘贴工序、芯片贴装固化处理等中，粘接片被加热时，粘接剂层低粘度化，在粘接剂层容易引起发泡或流出，存在热稳定性降低的倾向。需要说明的是，由数均分子量算出的羧基当量是指数均分子量(Mn)除以每一个分子的羧基数(官能团数)而得的值，由下式表示。羧基当量＝Mn/官能团数环氧树脂(b)和含2个以上马来酰亚胺基的化合物(c)承担粘接剂层的热固化性，通过并用它们，能够形成热稳定性好，而且，在剥本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置制造用粘接片，其特征在于，具备基材和设置于该基材的一个面的热固化型粘接剂层，能够剥离地粘贴于半导体装置的引线框或配线基板，所述粘接剂层含有含羧基的丙烯腈-丁二烯共聚物(a)、具有下述结构式(1)的环氧树脂(b)和含2个以上马来酰亚胺基的化合物(c)，未反应的马来酰亚胺残留量为0.02～0.13，/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180212 JP 2018-0226411.一种半导体装置制造用粘接片，其特征在于，具备基材和设置于该基材的一个面的热固化型粘接剂层，能够剥离地粘贴于半导体装置的引线框或配线基板，所述粘接剂层含有含羧基的丙烯腈-丁二烯共聚物(a)、具有下述结构式(1)的环氧树脂(b)和含2个以上马来酰亚胺基的化合物(c)，未反应的马来酰亚胺残留量为0.02～0.13，





2.根据权利要求1所述的半导体装置制造用粘接片，其特征在于，所述(a)成分是丙烯腈含量为5～50质量％、且由数均分子量算出的羧基当量为100～20000的含羧基的丙烯腈-丁二烯共聚物。...

【专利技术属性】
技术研发人员：近藤恭史，付文峰，松永佑规，
申请(专利权)人：株式会社巴川制纸所，
类型：发明
国别省市：日本;JP