一种缓启动电路、控制器及供电设备制造技术

本申请公开了一种缓启动电路、控制器及供电设备，该缓启动电路包括：至少两个缓启动单元和控制器，所述缓启动单元包括第一运算放大器、第一MOSFET和第一检流元件，第一运算放大器的同相输入与控制器相连,反相输入与第一检流元件的第一端相连，输出与第一MOSFET的栅极相连。第一MOSFET的源极与第一检流元件的第一端相连，漏级与负载设备相连。输入电源负极连接第一检流元件的第二端，正极连接负载设备；控制器用于向第一运算放大器提供相同的电压信号，以使该第一MOSFET的电流相同，而不受MOSFET的参数的影响。当电源功率提升，需要并联扩容时，可以满足大功率演进的需求。

【技术实现步骤摘要】
一种缓启动电路、控制器及供电设备
本申请涉及电路领域，尤其涉及一种缓启动电路、控制器及供电设备。
技术介绍
在通信系统中，有一些负载设备中存在电容，该种负载设备在上电瞬间，负载设备中的电容容易发生短路，一旦发生短路，供电回路中的电流会瞬间形成峰值，可能导致前级电路过载重启，甚至会导致供电回路上器件损坏。因此，在供电回路上增加缓启动电路是有必要的。常用的缓启动电路可以以金属氧化物半导体场效应管(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor，MOSFET)为核心部件。当负载设备接入供电回路瞬间，负载设备与MOSFET串联。MOSFET源极和漏级两端压降较高，导通电流的能力较低，可以抑制供电回路中电流升高过快。随着MOSFET源极和漏级两端压降下降，导通电流的能力变强。当缓启动完成之后，该MOSFET可以饱和导通，以降低MOSFET上的损耗。该种以MOSFET为核心部件的缓启动电路中，若采用并联的方式扩容，每一条并联的支路上都需要设置MOSFET。由于每个MOSFET的参数(如开启电压、跨导、电阻)存在个体差异，并联的MOSFET均流效果很差，在极限条件下完全不能均流，在不均流的情况下可能会超过MOSFET的安全工作区(safeoperationarea，SOA)能力。所以该种以MOSFET为核心部件的缓启动电路中，MOSFET不能直接并联扩容，随着电源功率的提升，该种以MOSFET为核心部件的缓启动电路不能满足大功率演进的需求。
技术实现思路
>本申请实施例提供了一种缓启动电路及一种控制器，该缓启动电路中，控制器可以给运算放大器相同的电压信号，可以使得MOSFET的电流相同，而不会受到MOSFET参数的影响。当电源功率提升，需要并联扩容时，可以满足大功率演进的需求。本申请第一方面提供了一种缓启动电路，该缓启动电路用于输入电源向负载设备供电过程中的启动控制，该缓启动电路包括：至少两个缓启动单元和控制器，该缓启动单元包括第一运算放大器、第一金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET和第一检流元件，该第一运算放大器的同相输入与控制器相连,该第一运算放大器的反相输入与第一检流元件的第一端相连，该第一运算放大器的输出与第一MOSFET的栅极相连，该第一MOSFET的源极与第一检流元件的第一端相连，第一MOSFET的漏级与负载设备相连，该输入电源负极连接第一检流元件的第二端，正极连接负载设备；控制器用于向该第一运算放大器提供相同的电压信号，以使第一MOSFET的电流相同。由于该缓启动电路中，控制器可以通过第一运算放大器给第一MOSFET的相同的电流，从而使得第一MOSFET中的电流不受MOSFET的参数的影响。当电源功率提升，需要并联扩容时，可以满足大功率演进的需求。可选的，结合第一方面，在第一方面的第一种可能的实现方式中，该控制器，还用于测量第一MOSFET源极和漏级之间的电压；该控制器，还用于根据第一MOSFET源极和漏级之间的电压和第一检流元件的电流确定第一MOSFET的实时功率；该控制器，还用于通过第一运算放大器调节第一MOSFET的电流，以对第一MOSFET的实时功率进行调节。该控制器可以获取到第一MOSFET的实时功率，并通过调节第一MOSFET的电流来调节第一MOSFET的实时功率，从而可以使得该第一MOSFET的实时功率满足预设功率要求。这样该控制器可以调节该第一MOSFET的实时功率，避免超过预设功率要求，可以保护第一MOSFET不被损坏。可选的，结合第一方面或第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第二种可能的实现方式中，该缓启动单元中还包括第一电容，该第一电容一端与第一运算放大器的反相输入相连，另一端与第一运算放大器的输出端相连。该第一电容可以提高缓启动电路的性能，能够使得MOSFET的电流快速、平稳的的变化。可选的，结合第一方面至第一方面的第二种可能的实现方式的任意一种可能的实现方式，在第一方面的第三种可能的实现方式中，该缓启动单元中还包括第二运算放大器，该第二运算放大器输出端与第一运算放大器的反相输入相连，该第二运算放大器的反向输入与第一检流元件的第二端相连，该第二运算放大器的同向输入与第一检流元件的第一端相连。该第二运算放大器可以对检流元件两端的电压信号进行放大，从而可以降低该检流电阻的功率消耗。本申请第二方面提供了一种控制器，该控制器用于缓启动电路，该缓启动电路用于输入电源向负载设备供电过程中的启动控制，该缓启动电路包括：至少两个缓启动单元和控制器。该缓启动单元包括第一运算放大器、第一金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET和第一检流元件，第一运算放大器的同相输入与控制器相连,第一运算放大器的反相输入与第一检流元件的第一端相连，第一运算放大器的输出与第一MOSFET的栅极相连，第一MOSFET的源极与第一检流元件的第一端相连，第一MOSFET的漏级与负载设备相连，输入电源负极连接第一检流元件的第二端，正极连接负载设备；该控制器用于向第一运算放大器提供相同的电压信号，以使该第一MOSFET的电流相同。控制器可以通过第一运算放大器给第一MOSFET的相同的电流，从而使得第一MOSFET中的电流不受MOSFET的参数的影响。当电源功率提升，需要并联扩容时，可以满足大功率演进的需求。可选的，结合第二方面，在第二方面的第一种可能的实现方式中，该控制器，还用于测量第一MOSFET源极和漏级之间的电压；该控制器，还用于根据第一MOSFET源极和漏级之间的电压和第一检流元件的电流确定第一MOSFET的实时功率；该控制器，还用于通过第一运算放大器调节第一MOSFET的电流，以对该第一MOSFET的实时功率进行调节。该控制器可以获取到第一MOSFET的实时功率，并通过调节第一MOSFET的电流来调节第一MOSFET的实时功率，从而使得该第一MOSFET的实时功率满足预设功率要求。这样该控制器可以调节该第一MOSFET的实时功率，避免超过预设功率要求，可以保护第一MOSFET不被损坏。本申请第三方面提供了一种控制器，该控制器用于缓启动电路，该缓启动电路用于输入电源向负载设备供电过程中的启动控制，该缓启动电路包括：至少两个缓启动单元、控制器。该缓启动单元包括第一运算放大器、第一金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET和第一检流元件，该第一运算放大器的同相输入与控制器相连,第一运算放大器的反相输入与第一检流元件的第一端相连，第一运算放大器的输出与第一MOSFET的栅极相连，第一MOSFET的源极与第一检流元件的第一端相连，第一MOSFET的漏级与负载设备相连，输入电源负极连接第一检流元件的第二端，正极连接负载设备；该控制器包括：电压信号提供模块，用于向第一运算放大器提供相同的电压信号，以使第一MOSFET的电流相同。该控制器中的电压信号提供模块可以通过第一运算放大器给第一MOSFET的相同的电流，从而使得第一MOSFET中的电流不受MOSFET的参数的影响。当电源功率提升，需要并联扩容时，可以满足大功率演进的需求。可选本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种缓启动电路，其特征在于，所述缓启动电路用于输入电源向负载设备供电过程中的启动控制，所述缓启动电路包括：至少两个缓启动单元和控制器，/n所述缓启动单元包括第一运算放大器、第一金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET和第一检流元件，所述第一运算放大器的同相输入与所述控制器相连,所述第一运算放大器的反相输入与所述第一检流元件的第一端相连，所述第一运算放大器的输出与所述第一MOSFET的栅极相连，所述第一MOSFET的源极与所述第一检流元件的第一端相连，所述第一MOSFET的漏级与所述负载设备相连，所述输入电源负极连接所述第一检流元件的第二端，正极连接所述负载设备；/n所述控制器用于向所述第一运算放大器提供相同的电压信号，以使所述第一MOSFET的电流相同。/n

【技术特征摘要】
1.一种缓启动电路，其特征在于，所述缓启动电路用于输入电源向负载设备供电过程中的启动控制，所述缓启动电路包括：至少两个缓启动单元和控制器，
所述缓启动单元包括第一运算放大器、第一金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET和第一检流元件，所述第一运算放大器的同相输入与所述控制器相连,所述第一运算放大器的反相输入与所述第一检流元件的第一端相连，所述第一运算放大器的输出与所述第一MOSFET的栅极相连，所述第一MOSFET的源极与所述第一检流元件的第一端相连，所述第一MOSFET的漏级与所述负载设备相连，所述输入电源负极连接所述第一检流元件的第二端，正极连接所述负载设备；
所述控制器用于向所述第一运算放大器提供相同的电压信号，以使所述第一MOSFET的电流相同。


2.根据权利要求1所述的缓启动电路，其特征在于，
所述控制器，还用于测量所述第一MOSFET源极和漏级之间的电压；
所述控制器，还用于根据所述第一MOSFET源极和漏级之间的电压和所述第一检流元件的电流确定所述第一MOSFET的实时功率；
所述控制器，还用于通过所述第一运算放大器调节所述第一MOSFET的电流，以对所述第一MOSFET的实时功率进行调节。


3.根据权利要求1或2所述的缓启动电路，其特征在于，所述缓启动单元中还包括第一电容，所述第一电容一端与所述第一运算放大器的反相输入相连，另一端与所述第一运算放大器的输出端相连。


4.根据权利要求1-3任一项所述的缓启动电路，其特征在于，所述缓启动单元中还包括第二运算放大器，所述第二运算放大器输出端与所述第一运算放大器的反相输入相连，所述第二运算放大器的反向输入与所述第一检流元件的第二端相连，所述第二运算放大器的同向输入与所述第一检流元件的第一端相连。


5.一种控制器，其特征在于，所述控制器用于缓启动电路，所述缓启动电路用于输入电源向负载设备供电过程中的启动控制，所述缓启动电路包括：至少两个缓启动单元和控制器，
所述缓启动单元包括第一运算放大器、第一金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET和第一检流元件，所述第一运算放大器的同相输入与所述控制器相连,所述第一运算放大器的反相输入与所述第一检流元件的第一端相连，所述第一运算放大器的输出与所述第一MOSFET的栅极相连，所述第一MO...

【专利技术属性】
技术研发人员：张玉超，满延杰，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44