具有散热结构的高电阻晶片及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种具有散热结构的高电阻晶片及其制作方法，其中该具有散热结构的高电阻晶片包含一高电阻晶片以及一金属结构，高电阻晶片分为一散热结构区和一元件承载区，高电阻晶片由一绝缘材料组成，金属结构仅埋入于高电阻晶片的散热结构区，其中金属结构环绕元件承载区。

【技术实现步骤摘要】
具有散热结构的高电阻晶片及其制作方法本申请是中国专利技术专利申请(申请号：201811105431.9，申请日：2018年09月21日，专利技术名称：具有散热结构的高电阻晶片及其制作方法)的分案申请。
本专利技术涉及一种协助半导体结构的散热的结构和方法，特别是涉及利用金属结构散热或是利用晶背导电垫散热的结构和方法。
技术介绍
在集成电路制作工艺方面，硅覆绝缘基底越来越受到重视，特别是在射频电路的应用方面，射频硅覆绝缘基底(RF-SOI)的应用越来越广泛，已经有逐步取代传统的外延硅的趋势。目前，硅覆绝缘基底搭配射频技术主要应用于智能型手机、Wi-Fi等无线通讯领域，3G/4G手机用的射频器件，目前大部分已经从传统的化合物半导体升级到射频硅覆绝缘基底技术。硅覆绝缘基底是指在硅基底上形成绝缘体的意思，原理就是在硅基底内，加入绝缘体物质，以进行阻抗值的调整，达到射频元件特性的提升。现今手机将步入5G的世代，射频硅覆绝缘基底的电阻值需要更加提升，然而电阻值提升之后，在操作时容易造成芯片过热，使得射频元件发生问题。专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用晶背导电垫散热的半导体结构，其特征在于，该半导体结构包含：/n元件晶片，包含正面和背面；/n晶体管，设置于该正面，其中该晶体管包含栅极结构、源极和漏极；/n层间介电层，设置于该正面，并且覆盖该晶体管；/n第一金属层和第二金属层，设置于该层间介电层内；/n第一导电插塞，位于该层间介电层中并且接触该源极和该第一金属层；/n第二导电插塞，位于该层间介电层中并且接触该漏极和该第二金属层；/n晶背栅极、源极导电垫和漏极导电垫设置于该背面，其中该晶背栅极的上表面、该源极导电垫的上表面和该漏极导电垫的上表面切齐；/n第一穿孔插塞，穿透该元件晶片以接触该第一金属层，该第一穿孔插塞接触该源极导电垫以...

【技术特征摘要】
1.一种利用晶背导电垫散热的半导体结构，其特征在于，该半导体结构包含：
元件晶片，包含正面和背面；
晶体管，设置于该正面，其中该晶体管包含栅极结构、源极和漏极；
层间介电层，设置于该正面，并且覆盖该晶体管；
第一金属层和第二金属层，设置于该层间介电层内；
第一导电插塞，位于该层间介电层中并且接触该源极和该第一金属层；
第二导电插塞，位于该层间介电层中并且接触该漏极和该第二金属层；
晶背栅极、源极导电垫和漏极导电垫设置于该背面，其中该晶背栅极的上表面、该源极导电垫的上表面和该漏极导电垫的上表面切齐；
第一穿孔插塞，穿透该元件晶片以接触该第一金属层，该第一穿孔插塞接触该源极导电垫以电连接该源极导电垫和该源极；以及
第二穿孔插塞，穿透该元件晶片以接触该第二金属层，该第二穿孔插塞接触该漏极导电垫以电连接该漏极导电垫和该漏极。


2.如权利要求1所述的利用晶背导电垫散热的半导体结构，其中该漏极导电垫和该漏极重叠，该源极导电垫和该源极重叠。


3.如权利要求1所述的利用晶背导电垫散热的半导体结构，另包含浅沟槽绝缘，设置于该晶体管的周围，该源极导电垫覆盖该浅沟槽绝缘。


4.如权利要求1所述的利用晶背导电垫散热的半导体结构，另包含：
第三导电插塞、第四导电插塞和第五导电插塞设置于该背面，其中该第三导电插塞接触该源极导电垫，该第四导电插塞接触该晶背栅极，该第五导电插塞接触该漏极导电垫；以及
第一导电垫、第二导电垫和第三导电垫设置于该于该背面，其中该第一导电垫接触该第三导电插塞，该第二导电垫接触该第四导电插塞，该第三导电垫接触该第五导电插塞。


5.如权利要求1所述的利用晶背导电垫散热的半导体结构，其中该元件晶片包含元件区和边缘区，该边缘区环绕该元件区，该晶体管设置于该元件区。


6.如权利要求5所述的利用晶背导电垫散热的半导体结构，另包含：
高电阻晶片，包含散热结构区和元件承载区，其中该高电阻晶片由绝缘材料组成；
金属结构，仅埋入于该高电阻晶片的该散热结构区，其中该金属结构环绕该元件承载区；
介电层，接触并包覆该高电阻晶片，其中该介电层和在该正面上的该层间介电层接合，该散热结构区和该边缘区重叠，该元件区和该元件承载区完全重叠。


7.如权利要求5所述的利用晶背导电垫散热的半导体结构，另包含：
高电阻晶片，由绝缘材料组成；
介电...

【专利技术属性】
技术研发人员：马瑞吉，杨国裕，林家辉，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71