一种兰姆波谐振器结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种兰姆波谐振器结构，包括衬底、单晶薄板以及叉指电极，所述衬底上表面具有具有空气腔，所述单晶薄板覆盖在所述衬底上并密封住所述空气腔，所述单晶薄板上表面设有叉指电极。采用表面空腔牺牲层结构，避免体硅工艺的可靠性问题，相比传统的SAW滤波器频率更高、机电耦合系数更高、功率容量更好；相比BAW‑FBAR滤波器，可实现的相对带宽更宽，可达10％以上。该技术可应用于目前的X‑BAR技术。

【技术实现步骤摘要】
一种兰姆波谐振器结构及其制备方法
本专利技术涉及通信设备领域，具体涉及一种兰姆波谐振器结构及其制备方法。
技术介绍
射频前端是通信中重要的信号处理部分，滤波器作为射频前端的核心元器件，其性能关系整个系统的性能好坏。SAW/BAW滤波器由于体积小、选择性好、成本低的压倒性优势，在2G、2.5G、3G、4G-LTE等传统网络的射频前端中，已经处于无可撼动地位。但是随着5G技术的发展，频段数目的增加，3.5GHz以上高频频段已经大幅度使用，传统的SAW滤波器声速为4000m/s，直接限制了其应用频率在3GHz以内。要实现该频段的滤波器，需要采用0.25μm以下的光刻工艺制作，其功率容量、信号带宽、插入损耗等已经不能满足5G用高频、高功率的要求；同时可以采用与半导体工艺兼容的硅材料作为衬底，未来有望于半导体集成。采用BAW/FBAR技术制作的滤波器能够满足高频、高功率的要求，但BAW/FBAR的带宽限制在4％以内，且成本较高，迫切需要成本更低、性能更好的滤波器满足5G射频前端的要求。而谐振器作为滤波器的基本组成单元，直接决定了滤波器的性能，因此需要寻找本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种兰姆波谐振器结构，其特征在于，包括衬底(1)、单晶薄板(2)以及叉指电极(4)，所述衬底(1)上表面具有空气腔(3)，所述单晶薄板(2)覆盖在所述衬底(1)上并密封住所述空气腔(3)，所述单晶薄板(2)上表面设有所述叉指电极(4)。/n

【技术特征摘要】
1.一种兰姆波谐振器结构，其特征在于，包括衬底(1)、单晶薄板(2)以及叉指电极(4)，所述衬底(1)上表面具有空气腔(3)，所述单晶薄板(2)覆盖在所述衬底(1)上并密封住所述空气腔(3)，所述单晶薄板(2)上表面设有所述叉指电极(4)。


2.根据权利要求1所述一种兰姆波谐振器结构，其特征在于，还包括过渡层(7)，所述过渡层(7)夹设于所述衬底(1)和所述单晶薄板(2)之间。


3.根据权利要求1-2任一项所述一种兰姆波谐振器结构，其特征在于，所述单晶薄板(2)材料由铌酸锂或者钽酸锂单晶薄板材料制成。


4.根据权利要求1-2任一项所述一种兰姆波谐振器结构，其特征在于，所述衬底(1)由硅、二氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮化铝、三氧化二铝、砷化镓、氮化镓中一种或者多种材料制成。


5.根据权利要求1-2任一项所述一种兰姆波谐振器结构，其特征在于，所述叉指电极(4)的线条宽度为0.25-5微米,所述叉指电极(4)通过切指加权处理。


6.根据权利要求1-2任一项所述一种兰姆波谐振器结构，其特征在于，所述单晶薄板(2)厚度为0.05-5μm，所述单晶薄板(2)上下表面粗糙度在1nm以内。


7.一种如权利要求2-...

【专利技术属性】
技术研发人员：史向龙，苏波，
申请(专利权)人：北京航天微电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11