微腔刻蚀基底盛放装置及微腔刻蚀系统制造方法及图纸

本申请涉及一种微腔刻蚀基底盛放装置及微腔刻蚀系统。上述微腔刻蚀基底盛放装置，包括基座、置片架以及旋转控制单元。所述置片架可转动的设置于所述基座，所述置片架开设有置片槽，所述置片槽用于放置基底材料。所述旋转控制单元与所述置片架连接，用于控制所述置片架以预设转速进行旋转。刻蚀使用时，将上述微腔刻蚀基底盛放装置放到刻蚀腔中，并在所述置片槽中放入准备进行氟化氙刻蚀的基底材料，启动所述旋转控制单元，以使得基底材料在置片架的带动下匀速缓慢旋转。基底材料的旋转使得氟化氙气体能较为均匀的接触正在刻蚀的微腔，可有效提升在低湿度、高氟化氙浓度下微腔刻蚀的圆度，从而使环芯微腔有较高的Q值。

【技术实现步骤摘要】
微腔刻蚀基底盛放装置及微腔刻蚀系统
本申请涉及半导体光电子器件
，特别是涉及一种微腔刻蚀基底盛放装置及微腔刻蚀系统。
技术介绍
环芯型微腔的关键参数品质因子Q受其硅基支撑柱体圆度的影响。在形成硅基支撑柱的过程中，一般使用氟化氙粉末作为干法刻蚀的原料，通过氮气加压，使其均匀弥散在圆形刻蚀腔内，并均匀的和硅基进行接触，从而刻蚀掉部分硅基，形成硅基支撑柱。而在该过程中，硅基支撑柱的圆度会受到两个方面的影响：氟化氙粉末弥散的均匀程度、硅片自身的非对称性；这两者会导致环芯微腔的支撑柱出现方形等非圆形模样，从而影响到微腔的品质因子。为了能够缓解上述两种不均匀情况带来的后果，常用的方法是通过减少氟化氙的刻蚀量来实现的。一种方式是提高刻蚀腔内的空气湿度，这是由于氟化氙和空气中的水蒸气发生化学反应，生成氟化氢后会失去对硅基的刻蚀能力，如此一来低浓度氟化氙就更容易均匀分布在刻蚀腔内，通过牺牲刻蚀速度就能够实现硅基支撑柱的高圆度。第二种方式是减少刻蚀系统喷出的氟化氙粉末量。该种方法缺少一定的稳定性，不能够保证每次刻蚀结果均理想。
技术实现思路
基于此，本申请提供一微腔刻蚀基底盛放装置及微腔刻蚀系统，以使微腔在反应过程中更均匀地刻蚀。一种微腔刻蚀基底盛放装置，包括：基座；置片架，可转动的设置于所述基座，所述置片架开设有置片槽，所述置片槽用于放置基底材料；以及旋转控制单元，与所述置片架连接，用于控制所述置片架以预设转速进行旋转。在其中一个实施例中，所述置片架包括：>转轴，可转动的设置于所述基座，一端与所述旋转控制单元可转动连接；以及旋转台，与所述转轴的另一端固定连接，所述置片槽开设于所述旋转台远离所述基座的一面。在其中一个实施例中，所述置片槽开设于所述旋转台的中心位置。在其中一个实施例中，所述置片槽沿所述旋转台的径向，贯穿所述旋转台。在其中一个实施例中，所述旋转台与所述转轴的另一端固定连接方式为焊接或螺纹连接。在其中一个实施例中，所述置片架的数量为多个，多个所述置片架等间隔设置于所述基座。在其中一个实施例中，所述置片架的数量为六个，六个所述置片架的中心的连线为一个正六边形。在其中一个实施例中，所述旋转控制单元包括：旋转电机，与所述转轴连接；电机控制电路，与所述旋转电机电连接，用于控制所述旋转电机以预设转速进行旋转。在其中一个实施例中，所述基座具有容纳腔，所述旋转控制单元设置于所述容纳腔。在其中一个实施例中，所述基座为空心柱体，且所述基座的材料为不锈钢。一种微腔刻蚀系统，包括：上述实施例中任一项所述的微腔刻蚀基底盛放装置；以及刻蚀装置，具有刻蚀腔，所述微腔刻蚀基底盛放装置置于所述刻蚀腔内。上述微腔刻蚀基底盛放装置，包括基座、置片架以及旋转控制单元。所述置片架可转动的设置于所述基座，所述置片架开设有置片槽，所述置片槽用于放置基底材料。所述旋转控制单元与所述置片架连接，用于控制所述置片架以预设转速进行旋转。刻蚀使用时，将上述微腔刻蚀基底盛放装置放到刻蚀腔中，并在所述置片槽中放入准备进行氟化氙刻蚀的基底材料，启动所述旋转控制单元，以使得基底材料在置片架的带动下匀速缓慢旋转。基底材料的旋转使得氟化氙气体能较为均匀的接触正在刻蚀的微腔，可有效提升在低湿度、高氟化氙浓度下微腔刻蚀的圆度，从而使环芯微腔有较高的Q值。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请一个实施例提供的微腔刻蚀基底盛放装置结构图；图2为本申请一个实施例提供的置片架主视图；图3为本申请一个实施例提供的微腔刻蚀基底盛放装置主视图；图4为本申请一个实施例提供的微腔刻蚀基底盛放装置俯视图；图5为本申请一个实施例提供的微腔刻蚀基底盛放装置主视图；图6为本申请一个实施例提供的微腔刻蚀系统结构图。主要元件附图标号说明10、微腔刻蚀基底盛放装置；110、基座；111、容纳腔；120、置片架；121、置片槽；122、转轴；123、旋转台；130、旋转控制单元；131、旋转电机；132、电机控制电路；20、微腔刻蚀系统；200、刻蚀装置；210、刻蚀腔。具体实施方式为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施的限制。可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一元件与另一个元件区分。举例来说，在不脱离本申请的范围的情况下，可以将第一获取模块称为第二获取模块，且类似地，可将第二获取模块称为第一获取模块。第一获取模块和第二获取模块两者都是获取模块，但其不是同一个获取模块。需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。传统方案中对实验室湿度要求较高，需要通过较大功率的加湿器来提高空气湿度到40％左右，并且在刻蚀的过程中，氟化氙会有较多的浪费，而刻蚀机器在高湿度的情况之下运作很容易出现损耗，同时也会导致时间的浪费。并且减少氟化氙粉末量并不能确保硅基支撑柱的圆度，且会花费大量时间成本，不利于大量生产。基于上述问题，请参见图1，本申请一个实施例提供一种微腔刻蚀基底盛放装置10。所述微腔刻蚀基底盛放装置10包括基座110、置片架120以及旋转控制单元130。所述置片架120可转动的设置于所述基座110。所述置片架120开设有置片槽121。所述置片槽121用于放置基底材料。所述旋转控制单元130与所述置片架120连接。所述旋转控制单元130用于控制所述置片架120以预设转速进行旋转。可以理解，所述基座110的形状以及材料不做具体限定，只要所述基座110可以起到支撑作用即可。在一个可选的实施例中，所述基座110的材料为不锈钢。所述基座110的形状为柱体、台体等其他形状。可以理解，所述置片架120的形状以及材料不做具体限定，只要所述置片架1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微腔刻蚀基底盛放装置，其特征在于，包括：/n基座(110)；/n置片架(120)，可转动的设置于所述基座(110)，所述置片架(120)开设有置片槽(121)，所述置片槽(121)用于放置基底材料；以及/n旋转控制单元(130)，与所述置片架(120)连接，用于控制所述置片架(120)以预设转速进行旋转。/n

【技术特征摘要】
1.一种微腔刻蚀基底盛放装置，其特征在于，包括：
基座(110)；
置片架(120)，可转动的设置于所述基座(110)，所述置片架(120)开设有置片槽(121)，所述置片槽(121)用于放置基底材料；以及
旋转控制单元(130)，与所述置片架(120)连接，用于控制所述置片架(120)以预设转速进行旋转。


2.根据权利要求1所述的微腔刻蚀基底盛放装置，其特征在于，所述置片架(120)包括：
转轴(122)，可转动的设置于所述基座(110)，一端与所述旋转控制单元(130)可转动连接；以及
旋转台(123)，与所述转轴(122)的另一端固定连接，所述置片槽(121)开设于所述旋转台(123)远离所述基座(110)的一面。


3.根据权利要求2所述的微腔刻蚀基底盛放装置，其特征在于，所述置片槽(121)开设于所述旋转台(123)的中心位置。


4.根据权利要求3所述的微腔刻蚀基底盛放装置，其特征在于，所述置片槽(121)沿所述旋转台(123)的径向，贯穿所述旋转台(123)。


5.根据权利要求4所述的微腔刻蚀基底盛放装置，其特征在于，所述旋转台(123)与所述转轴(122)的另一端固定连接方式为焊接或螺纹连接。


6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：张靖，杨震宁，张皖哲，关剑卿，霍跃，施炜，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11