一种半导体集成电路制造技术

本实用新型专利技术涉及集成电路技术领域，且公开了一种半导体集成电路。该半导体集成电路，包括基板，所述基板上固定连接有时序产生器，所述基板上且位于时序产生器的一侧电性连接有脉冲发生器，所述脉冲发生器的一端电性连接有第一二极管，所述第一二极管的另一端电性连接有充电器。本实用新型专利技术，通过脉冲发生器内输入的脉冲信号为高电平，场效应管导通，利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流，第二电容从场效应管的源极、漏极和第一二极管放电，生成瞬态大电流，此时第二二极管保护第一二极管，防止电源的电压反接发生危险事故，该集成电路能设计简单，方便操作，当获取大电流时，实现了对电源的保护，具有实用性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体集成电路
本技术涉及集成电路
，具体为一种半导体集成电路。
技术介绍
半导体激光器又称半导体激光器，是用半导体材料作为工作物质的半导体激光器。半导体二极管半导体激光器是最实用最重要的一类半导体激光器。它体积小、寿命长，并可采用简单的注入电流的方式来泵浦其工作电压和电流与集成电路兼容，因而可与之单片集成。并且还可以用高达GHz的频率直接进行电流调制以获得高速调制的激光输出。由于这些优点，半导体二极管半导体激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及雷达等方面以及获得了广泛的应用。现有技术中半导体激光器电路复杂、效率偏低，晶体闸流管电路相对简单，但是容易受到开关电路速度的限制，在低电压下获取大电流时对电源的保护效果差。因此，我们提出了一种半导体集成电路。
技术实现思路
针对现有技术的不足，技术提供了一种半导体集成电路，具备保护电源等优点，解决了的目前在低电压下获取大电流时对电源产生的伤害问题。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种半导体集成电路，包括基板，所述基板上固定连接有时序产生器，所述基板上且位于时序产生器的一侧电性连接有脉冲发生器，所述脉冲发生器的一端电性连接有第一二极管，所述第一二极管的另一端电性连接有充电器，所述基板上固定连接有开关装置，所述基板上安装有控制器。进一步的，所述脉冲发生器上安装有第一电容，所述第一电容的一端安装有发射装置。进一步的，所述开关装置与第一二极管电性连接，所述开关装置的一端与充电器电性连接。进一步的，所述充电器内固定连接有第二电容，所述第二电容的一端电性连接有电源。进一步的，所述开关装置包括第三电容和场效应管，所述场效应管的漏极固定连接有第一电阻，所述场效应管的源极固定连接有第二电阻，所述第一二极管的两端电性连接有第二二极管，所述第二电容的一端电性连接有第三电阻，所述第三电阻远离第二电容的一端电性连接有第三二极管。进一步的，所述第一电阻的另一端与第一二极管电性连接。本技术的有益效果是：1、该半导体集成电路，通过基板、时序产生器、脉冲发生器、第一电容、发射装置、第一二极管、充电器、第二电容、电源、开关装置、第二电容、场效应管、第一电阻、第二电阻、第二二极管、第三电阻、第三二极管、控制器的联合设置，本装置通过控制器控制整个装置的工作，通过时序产生器使本装置可以准确、迅速、有条不紊地工作，当通过脉冲发生器内输入的脉冲信号为高电平，场效应管导通，利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流，第二电容从场效应管的源极、漏极和第一二极管放电，生成瞬态大电流，此时第二二极管保护第一二极管，防止电源的电压反接发生危险事故，第一电阻作为场效应管漏极的限流电阻，第三电阻和第三二极管对第二电容的工作提供保护，当输入的脉冲信号为低电平，电源继续为第二电容充电，该集成电路能设计简单，方便操作，当获取大电流时，实现了对电源的保护，具有实用性。附图说明为了更清楚地说明技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中或现有技术中所需要使用的附图作简单地介绍。图1为本技术结构示意图；图2为本技术电路图。附图标记说明：1、基板；2、时序产生器；3、脉冲发生器；301、第一电容；302、发射装置；4、第一二极管；5、充电器；501、第二电容；502、电源；6、开关装置；601、第二电容；602、场效应管；603、第一电阻；604、第二电阻；605、第二二极管；606、第三电阻；607、第三二极管；7、控制器。具体实施方式下面将结合技术实施例中的附图，对技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。请参阅图1-2，一种半导体集成电路，包括基板1，基板1上固定连接有时序产生器2，通过时序产生器2使本装置可以准确、迅速、有条不紊地工作，基板1上且位于时序产生器2的一侧电性连接有脉冲发生器3，脉冲发生器3上安装有第一电容301，第一电容301的一端安装有发射装置302，脉冲发生器3的一端电性连接有第一二极管4，第一二极管4的另一端电性连接有充电器5，充电器5内固定连接有第二电容501，第二电容501的一端电性连接有电源502，基板1上固定连接有开关装置6，开关装置6包括第三电容601和场效应管602，场效应管602的漏极固定连接有第一电阻603，第一电阻603的另一端与第一二极管4电性连接，场效应管602的源极固定连接有第二电阻604，第一二极管4的两端电性连接有第二二极管605，第二电容501的一端电性连接有第三电阻606，第三电阻606远离第二电容501的一端电性连接有第三二极管607，开关装置6与第一二极管4电性连接，开关装置6的一端与充电器5电性连接，基板1上安装有控制器7，通过控制器7控制整个装置的工作。在使用时，本装置通过控制器7控制整个装置的工作，通过时序产生器2使本装置可以准确、迅速、有条不紊地工作，当通过脉冲发生器3内输入的脉冲信号为高电平，场效应管602导通，利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流，第二电容501从场效应管602的源极、漏极和第一二极管4放电，生成瞬态大电流，此时第二二极管605保护第一二极管4，防止电源502的电压反接发生危险事故，第一电阻603作为场效应管602漏极的限流电阻，第三电阻606和第三二极管607对第二电容501的工作提供保护；当输入的脉冲信号为低电平，电源502继续为第二电容501充电。需要说明的是，在本文中，诸如术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个引用结构”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本技术将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体集成电路，包括基板（1），其特征在于：所述基板（1）上固定连接有时序产生器（2），所述基板（1）上且位于时序产生器（2）的一侧电性连接有脉冲发生器（3），所述脉冲发生器（3）的一端电性连接有第一二极管（4），所述第一二极管（4）的另一端电性连接有充电器（5），所述基板（1）上固定连接有开关装置（6），所述基板（1）上安装有控制器（7）。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体集成电路，包括基板（1），其特征在于：所述基板（1）上固定连接有时序产生器（2），所述基板（1）上且位于时序产生器（2）的一侧电性连接有脉冲发生器（3），所述脉冲发生器（3）的一端电性连接有第一二极管（4），所述第一二极管（4）的另一端电性连接有充电器（5），所述基板（1）上固定连接有开关装置（6），所述基板（1）上安装有控制器（7）。


2.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路，其特征在于：所述脉冲发生器（3）上安装有第一电容（301），所述第一电容（301）的一端安装有发射装置（302）。


3.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路，其特征在于：所述开关装置（6）与第一二极管（4）电性连接，所述开关装置（6）的一端与充电器（5）电性连接。


4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑剑华，张元元，孙彬，
申请(专利权)人：南通华隆微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32