【技术实现步骤摘要】
用于具有电荷转移装置的存储器装置的写入技术交叉引用本专利申请案主张由施来克(Schreck)等人2018年12月26日提出申请的标题为“用于具有电荷转移装置的存储器装置的写入技术(WRITETECHNIQUESFORAMEMORYDEVICEWITHACHARGETRANSFERDEVICE)”的美国申请案第16/232,293号的优先权，所述美国申请案受让于本受让人且以其全文引用的方式明确并入本文中。
涉及使用写回装置的写入技术。
技术介绍
以下内容一般来说涉及包含至少一个存储器装置的系统且更具体来说涉及使用写回装置的写入技术。存储器装置广泛用于存储各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等等)中的信息。通过对存储器装置的不同状态进行编程而存储信息。举例来说，二进制装置最通常存储两个状态中的一者，所述两个状态通常由逻辑1或逻辑0表示。在其它装置中，可存储多于两个状态。为存取所存储信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为存储信息，装置的组件可将所述状态写入或编程于存储器装置中。存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)及其它。存储器装置可为易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如，FeRAM)可即使在不存在外部电源的情况下维持...
【技术保护点】
1.一种方法，其包括：/n通过第一感测组件及第二感测组件而感测存储器单元的状态，所述存储器单元经配置以至少存储高电平状态、中电平状态及低电平状态；/n至少部分地基于感测所述存储器单元的所述状态而将所述第一感测组件及所述第二感测组件与数字线隔离；/n至少部分地基于所述第一感测组件及所述第二感测组件与所述数字线隔离而将所述高电平状态存储到所述存储器单元；及/n至少部分地基于将所述高电平状态存储到所述存储器单元而将所述数字线与所述第一感测组件及所述第二感测组件耦合。/n
【技术特征摘要】
20181226 US 16/232,2931.一种方法，其包括：
通过第一感测组件及第二感测组件而感测存储器单元的状态，所述存储器单元经配置以至少存储高电平状态、中电平状态及低电平状态；
至少部分地基于感测所述存储器单元的所述状态而将所述第一感测组件及所述第二感测组件与数字线隔离；
至少部分地基于所述第一感测组件及所述第二感测组件与所述数字线隔离而将所述高电平状态存储到所述存储器单元；及
至少部分地基于将所述高电平状态存储到所述存储器单元而将所述数字线与所述第一感测组件及所述第二感测组件耦合。
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
在将所述高电平状态存储到所述存储器单元之后，将所述中电平状态或所述低电平状态存储到所述存储器单元。
3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
在将所述第一感测组件及所述第二感测组件与所述数字线隔离之后，通过第一晶体管将所述数字线与电压源耦合，其中将所述高电平状态存储到所述存储器单元是至少部分地基于将所述数字线与所述电压源耦合。
4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：
在将所述数字线与所述第一感测组件及所述第二感测组件耦合之前且在通过所述第一晶体管将所述数字线与所述电压源耦合之后，通过所述第一晶体管将所述电压源与所述数字线隔离。
5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
在感测所述存储器单元的所述状态之前，激活字线以选择所述存储器单元。
6.一种方法，其包括：
在读取操作的第一周期期间感测存储器单元的状态，所述存储器单元经配置以存储第一状态及第二状态；
在所述读取操作的第二周期期间将所述第一状态存储到所述存储器单元，所述第二周期在感测所述存储器单元的所述状态之后发生；及
在所述读取操作的第三周期的至少一部分期间至少部分地基于将所述第一状态存储到所述存储器单元而将所述第二状态存储到所述存储器单元，所述第三周期在所述第二周期之后发生。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第二周期包括行激活时间(tRAS)时序循环且所述第三周期包括行预充电时间(tRP)时序循环。
8.根据权利要求6所述的方法，其中将所述第二状态存储到所述存储器单元在所述第二周期的至少一部分及所述第三周期的至少一部分期间发生。
9.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括：
在将所述第二状态存储到所述存储器单元之前，接收预充电命令。
10.根据权利要求6所述的方法，其中将所述第二状态存储到所述存储器单元进一步包括：
在所述读取操作的所述第三周期之前，将字线向下偏置到足以将所述第二状态写入到所述存储器单元的电压电平。
11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：
至少部分地基于将所述第二状态存储到所述存储器单元而将所述字线放电，其中所述字线与所述存储器单元耦合。
12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：
至少部分地基于将所述字线放电而将数字线上的电压电平平衡到预定电压电平。
13.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括：
至少部分地基于感测所述存储器单元的所述状态而将第一感测组件及第二感测组件与数字线隔离。
14.根据权利要求13所述的方法，其中将所述第一状态存储到所述存储器单元进一步包括：
至少部分地基于将所述第一感测组件及所述第二感测组件与所述数字线隔离而通过晶体管将所述数字线与电压源耦合。
15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：
至少部分地基于将所述第一状态存储到所述存储器单元而将写回组件与所述数字线耦合。
16.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：
在将所述数字线与所述第一感测组件及所述第二感测组件耦合之前且在通过所述晶体管将所述数字线与所述电压源耦合之后，通过所述晶体管将所述电压源与所述数字线隔离。
17.根据权利要求13所述的方法，其中将所述第一感测组件及所述第二感测组件与所述数字线隔离进一步包括：
阻止电荷流动穿过与所述数字线及节点耦合的第二晶体管，其中所述节点与所述第一感测组件及所述第二感测组件耦合。
18.一种设备，其包括：
存储器单元，其与数字线耦合且经配置以存储高电平状态、中电平状态及低电平状态；
第一感测组件，其与节点耦合；
第二感测组件，其与所述节点耦合；
晶体管，其与所述节点及所述数字线耦合，且经配置以在所述数字线与所述第一感测组件及所述第二感测组件两者之间转移电荷；及
写回组件，其与所述第一感测组件及所述第二感测组件耦合，所述写回组件经配置以将所述中电平状态或所述低电平状态写入到所述存储器单元。
19.根据权利要求18所述的设备，其进一步包括：
第二晶体管，其与所述节点及所述数字线耦合，所述第二晶体管经配置以将所述第一感测组件及所述第二感测组件与所述数字线隔离。
20.根据权利要求18所述的设...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·F·施雷克，G·B·雷德，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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