具有沿着半导体材料支柱的导电结构的组件以及形成集成电路的方法技术

一些实施例包含一种组件，所述组件具有半导体材料支柱，所述半导体材料支柱布置成沿着第一方向延伸的行。所述行包含所述支柱之间的间隔区。所述行由间隙区彼此间隔开。两个导电结构处于所述间隙区中的每一个内且由分隔区彼此间隔开。所述分隔区具有底部区段，所述底部区段具有跨半导体段和绝缘段延伸的波状表面。所述半导体段具有在所述绝缘段的上表面之上的上表面；晶体管包含处于所述半导体材料支柱内的沟道区且包含处于所述导电结构内的栅极。一些实施例包含用于形成集成电路的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有沿着半导体材料支柱的导电结构的组件以及形成集成电路的方法
具有沿着半导体材料支柱的导电结构的组件以及形成集成电路的方法。
技术介绍
集成电路可包含竖直延伸的半导体材料支柱。这些支柱可以布置在阵列中。可认为所述阵列包括行和列；其中列与行交叉。支柱可并入到晶体管中。晶体管可包括沿着所述支柱的导电栅极。导电字线可沿着阵列的行延伸，且可与晶体管的导电栅极电耦合。晶体管可并入到存储器/存储装置、逻辑、感测器和/或任何其它合适的应用中。集成电路制造的一个持续目标是增大整合密度，且一个相关目标是将装置缩放到越来越小的尺寸。将期望研发用于制造上文所描述的晶体管的改进方法，且期望研发包括这些晶体管的新架构。附图说明图1是处于实例过程阶段的组件的概略三维图。图2是图1的组件的俯视图，且图2A是沿着图2的线A-A的横截面概略侧视图。图3到11展示处于用于制造实例组件的实例方法的实例过程阶段的图1和2的构造。在一些实施例中，图6的组件可等同于图5的组件；其中图6之后的视图使用图6的说明方式而非本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造集成电路的方法，其包括：/n形成包括与第二轨道交替的第一轨道的组件；所述第一轨道包括半导体材料，且所述第二轨道包括绝缘材料；所述第一轨道和所述第二轨道沿着第一方向延伸；用第一保护性覆盖材料覆盖所述第一轨道；/n相对于所述第一轨道使所述第二轨道凹陷；所述第二轨道凹陷到所述第一保护性覆盖材料的底表面下方的深度；/n在所述凹陷的第二轨道上方形成第二保护性覆盖材料；/n形成沿着第二方向延伸的沟槽；所述第二方向与所述第一方向交叉；所述沟槽延伸穿过所述第一保护性覆盖材料和所述第二保护性覆盖材料，且延伸到所述第一轨道和所述第二轨道中；所述沟槽由包括交替的第一支柱和第二支柱的中介线性结构彼此间...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171222 US 62/609,8751.一种用于制造集成电路的方法，其包括：
形成包括与第二轨道交替的第一轨道的组件；所述第一轨道包括半导体材料，且所述第二轨道包括绝缘材料；所述第一轨道和所述第二轨道沿着第一方向延伸；用第一保护性覆盖材料覆盖所述第一轨道；
相对于所述第一轨道使所述第二轨道凹陷；所述第二轨道凹陷到所述第一保护性覆盖材料的底表面下方的深度；
在所述凹陷的第二轨道上方形成第二保护性覆盖材料；
形成沿着第二方向延伸的沟槽；所述第二方向与所述第一方向交叉；所述沟槽延伸穿过所述第一保护性覆盖材料和所述第二保护性覆盖材料，且延伸到所述第一轨道和所述第二轨道中；所述沟槽由包括交替的第一支柱和第二支柱的中介线性结构彼此间隔开；所述第一支柱包括所述半导体材料，且所述第二支柱包括所述绝缘材料；所述中介线性结构中的每一个内的所述第一支柱配置为一行所述第一支柱；
相对于所述第一支柱的侧壁使所述第二支柱的侧壁凹陷；所述凹陷将所述沟槽转换到线性导引件中，所述线性导引件沿着所述第二方向延伸且具有包括所述行所述第一支柱的侧壁区；所述线性导引件具有沿着所述侧壁区的侧壁段，其中所述侧壁段包括所述第一支柱的侧壁；以及
在所述使所述第二支柱的所述侧壁凹陷之后，沿着所述线性导引件的所述侧壁段形成栅极介电材料，且在所述线性导引件内并沿着所述栅极介电材料形成线性导电结构；所述线性导电结构沿着所述第二方向延伸。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述使所述第二支柱的所述侧壁凹陷从所述第一支柱之间移除所述第二支柱，且其中所述线性导电结构完全环绕所述第一支柱。


3.根据权利要求1所述的方法，其中所述使所述第二支柱的所述侧壁凹陷留下所述第二支柱的处于所述第一支柱之间的区，且其中所述线性导电结构并不完全环绕所述第一支柱。


4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一保护性覆盖材料和所述第二保护性覆盖材料彼此具有相同的组成。


5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一保护性覆盖材料和所述第二保护性覆盖材料包括氮化硅。


6.根据权利要求5所述的方法，其中所述绝缘材料包括二氧化硅。


7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二保护性覆盖材料相对于所述第一保护性覆盖材料具有不同组成。


8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二保护性覆盖材料包括碳掺杂二氧化硅。


9.根据权利要求1所述的方法，其中形成为沿着所述第二方向延伸的所述沟槽为第二沟槽；其中所述使所述第二轨道凹陷形成沿着所述第一方向延伸的第一沟槽；且其中所述形成所述第二保护性覆盖材料包括在所述第一沟槽内形成氧化物内衬以及接着利用氮化硅填充所述第一沟槽。


10.根据权利要求1所述的方法，其中所述线性导电结构中的两个形成于所述线性导引件中的每一个内，其中所述线性导引件中的每一个内的两个线性导电结构彼此间隔开。


11.根据权利要求10所述的方法，其中所述线性导电结构由字线包括；其中形成于所述线性导引件中的每一个内的所述两个线性导电结构由相对于彼此不同的字线包括；且其中同一行所述第一支柱的相对侧上的所述线性导电结构是共用字线的一部分。


12.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体材料包括硅。


13.根据权利要求1所述的方法，其中晶体管形成为包含所述线性导电结构的邻近于所述第一支柱的区和所述半导体材料的处于所述第一支柱内的区。


14.根据权利要求1所述的方法，其中所述线性导电结构由字线包括；其中晶体管形成为包含所述字线的邻近于所述第一支柱的区和所述半导体材料的处于所述第一支柱内的区；且进一步包括形成与所述晶体管耦合的存储器单元。


15.一种用于制造集成...

【专利技术属性】
技术研发人员：山·D·唐，李宏，艾瑞卡·L·珀尔斯特拉，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US