具有厚金属层的半导体发光器件制造技术

根据本发明专利技术的实施例的器件包括半导体结构，该半导体结构包括：发光层，该发光层夹在n型区和p型区之间，以及第一金属接触和第二金属接触，其中，该第一金属接触与n型区直接接触，并且该第二金属接触与p型区直接接触。第一金属层和第二金属层分别布置在第一金属接触和第二金属接触上。第一金属层和第二金属层充分厚以机械地支撑半导体结构。第一金属层和第二金属层之一的侧壁包括三维特征。

【技术实现步骤摘要】
具有厚金属层的半导体发光器件本案为分案申请，母案是申请号为201280060299.9的进入国家阶段的PCT申请，其专利技术名称为“具有厚金属层的半导体发光器件”，申请日为2012年12月4日。
本专利技术涉及一种具有厚金属层的半导体发光器件。
技术介绍
包括发光二极管(LED)、谐振腔发光二极管(RCLED)、诸如表面发射激光器的垂直腔激光二极管(VCSEL)以及边发射激光器的半导体发光器件是目前可用的最有效的光源。在制造能够跨越整个可见光谱工作的高亮度发光器件中，目前所感兴趣的材料系统包括：III-V族半导体，特别是镓、铝、铟和氮的二元、三元及四元合金，也称为III族氮化物材料。典型地，III族氮化物发光器件由通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)，分子束外延(MBE)或者其它外延技术在蓝宝石、碳化硅、III族氮化物或其它适合的衬底上外延生长不同成分和掺杂物浓度的半导体层的堆叠来制造。该堆叠通常包括：在衬底之上形成的掺杂有例如硅的一个或多个n型层、在n型层或多个n型层之上形成的有源区内的一个或多个发光层、以及在有源区之上形成的掺杂有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种器件，包括：/n半导体结构，该半导体结构包括夹在n型区和p型区之间的发光层；/n与所述n型区直接接触的第一金属接触和与所述p型区直接接触的第二金属接触；/n分别布置在所述第一金属接触和第二金属接触上的第一金属层和第二金属层，其中所述第一金属层和第二金属层足够厚以机械支撑所述半导体结构，并且其中所述第一金属层和第二金属层之一的侧壁包括三维特征，其中所述三维特征重复地包括第一金属部分、提供在第一金属部分上的第二金属部分，以及提供在第二金属部分上的第三金属部分，其中第二金属部分的一部分延伸超过第一金属部分和第三金属部分，并且第一金属部分和第三金属部分的外边缘与半导体结构的外边缘对齐，/n其中...

【技术特征摘要】
20111208 US 61/5682871.一种器件，包括：
半导体结构，该半导体结构包括夹在n型区和p型区之间的发光层；
与所述n型区直接接触的第一金属接触和与所述p型区直接接触的第二金属接触；
分别布置在所述第一金属接触和第二金属接触上的第一金属层和第二金属层，其中所述第一金属层和第二金属层足够厚以机械支撑所述半导体结构，并且其中所述第一金属层和第二金属层之一的侧壁包括三维特征，其中所述三维特征重复地包括第一金属部分、提供在第一金属部分上的第二金属部分，以及提供在第二金属部分上的第三金属部分，其中第二金属部分的一部分延伸超过第一金属部分和第三金属部分，并且第一金属部分和第三金属部分的外边缘与半导体结构的外边缘对齐，
其中所述三维特征包括锚固电绝缘材料的一系列突起或凹陷。


2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一金属层和所述第二金属层是铜层。


3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述三维特征包括从否则平坦的侧壁伸出的突起。


4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述三维特征包括形成在否则平坦的侧壁中的凹陷。


5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述三维特征包括一系列突起。


6.根据权利要求1所述的器件，还包括布置成与所述三维特征直接接触的电绝缘材料。


7.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一金属层和所述第二金属层比50µm厚。


8.一种方法，包括：
提供半导体器件的晶圆，所述晶圆包括：
半导体结构，所述半导体结构包括夹在n型区和p型区之间的发光层；和
各半导体器件的第一金属接触和第二金属接触，各第一金属接触与所述n型区直接接触，并且各第二金属接触与所述p型区直接接触；
分别在晶圆上的各半导体器件的所述第一金属接触和第二金属接触上形成第一金属层和第二金属层，其中所述第一金属层和第二金属层足够厚以在稍后的处理期间支撑所述半导体结构，并且其中形成第一金属层和第二金属层包括，通过以下来在所述第一金属层和第二金属层之一的侧壁上形成三维特征，所述三维特征包括一系列突起或凹陷：重复地提供所述第一金属层和第二金属层的第一金属部分，在第一金属部分上提供所述第一金属层和第二金属层的第二金属部...

【专利技术属性】
技术研发人员：S施亚夫菲诺，AH尼克伊尔，J勒，
申请(专利权)人：亮锐控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL