一种淡化ITO蚀刻纹的方法技术

本发明专利技术公开了一种淡化ITO蚀刻纹的方法，该方法包括以下步骤：绘制ITO通道图案，ITO通道图案的线距设定为A，ITO通道图案线距的工艺公差值为n；在ITO通道图案之间的间隙内，绘制靠近ITO通道图案的外层ITO悬浮块，外层ITO悬浮块与ITO通道图案的间距为A，此处的工艺公差值为n；绘制不与ITO通道图案相邻的内层ITO悬浮块，内层ITO悬浮块之间的间隙为B，B≤|n|。本发明专利技术提供了淡化ITO蚀刻纹的方法，摈弃了传统的等距间隙设置方式，充分考虑到难以避免的工艺公差，合理设置悬浮块的间距，使得悬浮块之间产生位置、大小和形状随机分布的导通，将整条规则的条状蚀刻纹分割成不规则的各个片段，进而起到淡化蚀刻纹的作用，成本低，操作简单，非常值得推广。

【技术实现步骤摘要】
一种淡化ITO蚀刻纹的方法
本专利技术涉及触摸屏
，具体为一种淡化ITO蚀刻纹的方法。
技术介绍
触摸屏现已广泛运用到人们的日常生活中，触摸屏特别是ITO薄膜应用的触摸屏实际产品几乎都有蚀刻纹。该蚀刻纹的产生原理为ITO材质与其PET基材(聚酯薄膜)的折射率不同，同时功能片部分区域有ITO图案、部分区域无ITO图案仅存在PET基材，进而导致人视觉上察觉到的ITO图案区域与无ITO的区域的界线，影响产品外观。目前行业内大多采用从各种材料本身开发匹配层、增加雾度的方式去淡化蚀刻纹，但均需要额外付出一定的成本，不仅在研发上需要投入较多的费用，而且设计中需要额外添加材料，生产成本也随之提高了。本专利通过调整ITO图案的设计，结合工艺来淡化蚀刻纹，几乎不会产生额外费用，成本更低，量产性高。现有技术中，申请号为“201420550212.2”的一种新型ITO的布线结构，ITO层上设有若干个触控电极，所述触控电极为长条状并且其长度方向两侧设有若干个连续排列的锯齿，所述触控电极长度方向的两侧布置有若干个悬浮块，所述悬浮块与所述锯齿本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种淡化ITO蚀刻纹的方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：/n绘制ITO通道图案，ITO通道图案的线距设定为A，ITO通道图案线距的工艺公差值为n；/n在ITO通道图案之间的间隙内，绘制靠近ITO通道图案的外层ITO悬浮块，外层ITO悬浮块与ITO通道图案的间距为A，此处的工艺公差值为n；/n绘制不与ITO通道图案相邻的内层ITO悬浮块，内层ITO悬浮块之间的间隙为B，B≤|n|。/n

【技术特征摘要】
1.一种淡化ITO蚀刻纹的方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：
绘制ITO通道图案，ITO通道图案的线距设定为A，ITO通道图案线距的工艺公差值为n；
在ITO通道图案之间的间隙内，绘制靠近ITO通道图案的外层ITO悬浮块，外层ITO悬浮块与ITO通道图案的间距为A，此处的工艺公差值为n；
绘制不与ITO通道图案相邻的内层ITO悬浮块，内层ITO悬浮块之间的间隙为B，B≤|n|。


2.根据权利要求1所述的淡化ITO蚀刻纹的方法，其特征在于：所述绘制ITO通道图案，ITO通道图案的线距设定为A，ITO通道图案线距的工艺公差值为n，具体包括：
根据电性需求，绘制ITO通道图案，各个ITO通道图案之间的线距为A，ITO通道图案线距的工艺公差值为n，ITO通道图案的实际线距处于A-n≤A≤A+n的范围内，此时相邻的ITO通道图案之间不接触。


3.根据权利要求1所述的淡化ITO蚀刻纹的方法，其特征在于：所述在ITO通道图案之间的间隙内，绘制靠近ITO通道图案的外层ITO悬浮块，外层ITO悬浮块与ITO通道图案的间距为A，此处的工艺公差值为n，具体包括：
在ITO通道图案之间的间隙内，绘制靠近IT...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑琦林，刘月豹，晏竹冰，张阳，廖晓芮，叶飞，
申请(专利权)人：安徽方兴光电新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34