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本发明公开了一种淡化ITO蚀刻纹的方法，该方法包括以下步骤：绘制ITO通道图案，ITO通道图案的线距设定为A，ITO通道图案线距的工艺公差值为n；在ITO通道图案之间的间隙内，绘制靠近ITO通道图案的外层ITO悬浮块，外层ITO悬浮块与IT...
该专利属于安徽方兴光电新材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽方兴光电新材料科技有限公司授权不得商用。

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