触控元件及其加工方法技术

技术编号:25184415 阅读:24 留言:0更新日期:2020-08-07 21:12
本发明专利技术提供了一种触控元件及其加工方法,涉及表面加工技术领域,所述触控元件包括:基板,所述基板表面上设置有呈周期排列的多个凸起,多个所述凸起的周期为4~20微米,所述凸起的底面直径为1~28微米,凸起的高度为0.5~4.6微米,且凸起底面直径与高度的比值为2~10。通过上述的多个圆锥形凸起形成的表面,表面的反射率和粗糙度分别为1.0±0.2和5±1nm,通过在表面进行微结构的加工,可以改变表面的反射率和粗糙度,因为凸起的尺寸很小,所以,并不会使使用者感到阻挡感,反而因为凸起与凸起之间的间距,降低了手指与表面之间的接触面积,降低手指表面的汗渍带去的粘滞感,使该表面更加触摸顺滑。

【技术实现步骤摘要】
触控元件及其加工方法
本专利技术涉及表面加工
,尤其是涉及一种触控元件及其加工方法。
技术介绍
现今的消费电子市场中,触控元件广泛应用于各式各样的消费电子装备,例如电脑按键、鼠标按键或者触摸屏等。作为用户与电子产品之间最直接的信息传输媒介,对于触控元件的触感精度和触摸手感的追求随着时间越来越高。触摸手感直接影响着用户使用触控元件时的流畅度和体验感,现有的触控元件的触摸面触感差,影响使用者的操作手感和使用心情。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种触控元件及其加工方法,以缓解现有的触控元件的触摸面手感差,摸起来不顺滑的技术问题。第一方面,本专利技术实施例提供的一种触控元件,所述触控元件包括:基板,所述基板表面上设置有呈周期排列的多个凸起,多个所述凸起的周期为4~20微米,所述凸起的底面直径为1~28微米,凸起的高度为0.5~4.6微米,且凸起底面直径与高度的比值为2~10。进一步的,所述凸起的顶端具有渐变部,自上而下,所述渐变部的横截面积逐渐减小。进一步的,所述凸起呈圆锥状,且所述凸本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种触控元件,其特征在于,所述触控元件包括:基板(100),所述基板(100)表面上设置有呈周期排列的多个凸起(400),多个所述凸起(400)的周期为4~20微米,所述凸起(400)的底面直径为1~28微米,凸起(400)的高度为0.5~4.6微米,且凸起(400)底面直径与高度的比值为2~10。/n

【技术特征摘要】
1.一种触控元件,其特征在于,所述触控元件包括:基板(100),所述基板(100)表面上设置有呈周期排列的多个凸起(400),多个所述凸起(400)的周期为4~20微米,所述凸起(400)的底面直径为1~28微米,凸起(400)的高度为0.5~4.6微米,且凸起(400)底面直径与高度的比值为2~10。


2.根据权利要求1所述的触控元件,其特征在于,所述凸起的顶端具有渐变部,自上而下,所述渐变部的横截面积逐渐减小。


3.根据权利要求2所述的触控元件,其特征在于,所述凸起呈圆锥状,且所述凸起的顶端为尖端或者为球形端面。


4.根据权利要求2所述的触控元件,其特征在于,所述凸起包括自下而上连接的圆柱状底部和球形顶部。


5.根据权利要求1所述的触控元件,其特征在于,多个所述凸起呈矩阵排列或者随机排列。


6.根据权利要求1所述的触控元件,其特征在于,所述基板(100)的材料为玻璃、石英、蓝宝石或者金属。


7.一种触控元件的加工方法,用于加工权利要求1-6任意一项所述的触控元件,其特征在于,所述触控元件的加工方法包括步骤:
S1.在基板(100)上涂抹胶,形成胶层(200);
S2.在胶层(200)上形成掩膜图形(300);
S3.通过掩膜图形(300)对基板(100)进行刻蚀,从而在基板(100)表面加工出呈周期排列的多个所述凸起(400)。


8.根据权利要求7所述的触控元件的加工方法,其特征在于,所述步骤S3中,利用等离子刻蚀法对基板(100)进行刻蚀。


9.根据权利要求7所述的触控元件的加工方法,其特征在于,所述步骤S1中,在基板(100)上涂抹光刻胶,形成光刻胶层(200);
所述步骤S2中,利用掩膜版对基板(100)上的光刻胶层(200)进行曝光及显影,从而在光刻胶层(200)上得到掩膜图形(300)。


10.根据权利要求7所述的触控元件的加工方法,其特征在于,所述步骤S2中,利用掩膜压板对基板(100)上的胶层(200)进行压印,从而在胶层(200)上得到掩膜图形(300)。


11.根据权利要求9所述的触控元件的加工方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述光刻胶层(200)的厚度为1.5~13微米。


12.根据权利要求9所述的触控元件的加工方法,其特征在于,所述光刻胶层(200)上掩膜图形(300)包括多个圆柱形光刻胶柱,所述圆柱形光刻胶柱的直径为0.75~20微米。


13.根据权利要求8所述的触控元件的加工方法,其特征在于,所述步骤S3中,利用感应耦合等离子体干法刻蚀设备对材质为玻璃的基板(100)进行刻蚀,其中,使用的刻蚀气体包括三氯化硼、三氟甲烷和氧气,或者包括三氯化硼和三...

【专利技术属性】
技术研发人员:王琳蒋晓李其凡陈瑶
申请(专利权)人:浙江水晶光电科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:浙江;33

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