一种易于拾取的晶圆切割膜及其制备方法技术

本发明专利技术属于半导体晶圆处理技术，更具体地，本发明专利技术涉及一种易于拾取的晶圆切割膜及其制备方法。一种易于拾取的晶圆切割膜，包含基材膜、胶粘层和离型膜，按重量份计，所述胶粘层包括粘结树脂80‑120份、光引发剂1‑7份、交联剂2‑10份。本发明专利技术提供了一种易于拾取的晶圆切割膜，可以提高加工器件的拾取性能，又不会造成初粘力与剥离强度较低，不容易出现脱落，可以实现在切割过程中提高切割膜的粘着力，同时在捡取的过程中降低切割膜的粘着力，可以获得高扩张性、低颈缩且操作性良好的切割膜可以提高切割过程中提高切割膜的粘着力，同时避免切割过程中崩裂，可减少晶片的污染。

【技术实现步骤摘要】
一种易于拾取的晶圆切割膜及其制备方法
本专利技术属于半导体晶圆处理技术，更具体地，本专利技术涉及一种易于拾取的晶圆切割膜及其制备方法。
技术介绍
半导体晶片或基板在贴合切割胶带后将经历分割(切割)成元件小片、切割胶带的延伸(扩展)、将元件小片从切割胶带剥离(拾取，即pickup)等各工序。将硅晶片贴附于粘着膜上并将硅晶片切断成小片状，对粘着膜在纵横方向上均进行拉伸，扩大元件的间隔而进行拾取。对于切割用扩张性基材，要求在拉伸时不引起颈缩(necking)而整体均匀地伸长，若产生颈缩，则容易产生以下问题：仅膜的周边部伸长，膜的中心部并不充分伸长，中央部的元件不进行单片化。扩张性不充分，膜拉伸时容易断裂，在扩张时可能会导致晶片的破损。切割工艺包括：使用切割刀片来切割半导体晶圆的步骤，半导体晶圆的基底膜，并拾取通过半导体晶圆的切割而分离的单个晶片的步骤，但是存在以下问题：因为在拾取过程期间发生膜之间固定，和因膜之间的剥离(peel)强度过大而在拾取期间拾取晶片的成功率被降低或者在拾取过程中产生晶片裂纹的问题。对于这些工序中使用的切割胶带，期望对切割工序中形成的元件小片(芯片)具有充分的粘合力，同时在拾取工序时粘合力减小至不产生残胶的程度。由于半导体晶圆厚度薄，当粘合层和粘合层分离时施加过大的力的情况下，薄型化的晶片会受损且拾取能力会降低。然而，根据切割膜、切割晶片粘合膜、半导体晶圆的切割方法，可改善拾取能力，从而可以顺利地进行拾取工艺，并可防止薄型化的半导体晶片的受损。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术第一个方面提供了一种易于拾取的晶圆切割膜，包含基材膜、胶粘层和离型膜，按重量份计，所述胶粘层包括粘结树脂80-120份、光引发剂1-7份、交联剂2-10份。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述基材膜选自聚烯烃膜、聚酯膜、聚碳酸酯膜、聚氯乙烯膜、聚四氟乙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、氯乙烯共聚物膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯-丙烯共聚物膜、乙烯-丙烯酸烷基酯共聚物膜中的任一种。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述粘结树脂选自丙烯酸酯类树脂、环氧树脂、烯烃共聚物中的一种或多种。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述丙烯酸酯类树脂为不含羟基的丙烯酸酯类单体与含羟基的丙烯酸酯类单体的共聚物。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述不含羟基的丙烯酸酯类单体为丙烯酸烷基酯；所述烷基碳原子数为C4-C8。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述含羟基的丙烯酸酯类单体选自(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙二醇酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙二醇酯中的一种或多种。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述烯烃共聚物为1-丁烯·α-烯烃共聚物；所述1-丁烯·α-烯烃共聚物中α-烯烃的摩尔含量不大于15％。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述光引发剂选自苯偶姻、苯偶酰衍生物、α-羟基酮衍生物、α-氨基酮衍生物、酰基膦氧化物、二苯甲酮及其衍生物、三芳基硫鎓盐、芳茂铁盐中的一种或多种。作为本专利技术的一种优选技术方案，所述交联剂选自异氰酸酯类化合物、氮丙啶类化合物、环氧类化合物和金属螯合物化合物中的一种或多种。本专利技术的第二个方面提供了一种所述晶圆切割膜的制备方法，包括如下步骤：将胶粘层的制备原料涂布于基材膜表面，烘干；再于胶粘层表面贴合离型膜层，即得所述晶圆切割膜。有益效果：本专利技术提供了一种易于拾取的晶圆切割膜，可以提高加工器件的拾取性能，又不会造成初粘力与剥离强度较低，不容易出现脱落；采用丙烯酸酯类树脂和烯烃共聚物作为粘结树脂，可以实现在切割过程中提高切割膜的粘着力，同时在捡取的过程中降低切割膜的粘着力；采用1-丁烯·α-烯烃共聚物可以获得高扩张性、低颈缩且操作性良好的切割膜；采用不含羟基的丙烯酸酯类单体与含羟基的丙烯酸酯类单体的共聚物作为丙烯酸酯类树脂，可以提高切割过程中提高切割膜的粘着力，同时避免切割过程中崩裂。具体实施方式下面结合具体实施方式对本专利技术提供技术方案中的技术特征作进一步清楚、完整的描述，并非对其保护范围的限制。本专利技术中的词语“优选的”、“更优选的”等是指，在某些情况下可提供某些有益效果的本专利技术实施方案。然而，在相同的情况下或其他情况下，其他实施方案也可能是优选的。此外，对一个或多个优选实施方案的表述并不暗示其他实施方案不可用，也并非旨在将其他实施方案排除在本专利技术的范围之外。“聚合物”意指通过聚合相同或不同类型的单体所制备的聚合化合物。通用术语“聚合物”包含术语“均聚物”、“共聚物”、“三元共聚物”与“共聚体”。“共聚体”意指通过聚合至少两种不同单体制备的聚合物。通用术语“共聚体”包括术语“共聚物”(其一般用以指由两种不同单体制备的聚合物)与术语“三元共聚物”(其一般用以指由三种不同单体制备的聚合物)。其亦包含通过聚合四或更多种单体而制造的聚合物。“共混物”意指两种或两种以上聚合物通过物理的或化学的方法共同混合而形成的聚合物。为了解决上述技术问题，本专利技术第一个方面提供了一种易于拾取的晶圆切割膜，包含基材膜、胶粘层和离型膜，按重量份计，所述胶粘层包括粘结树脂80-120份、光引发剂1-7份、交联剂2-10份。基材膜在一种实施方式中，所述基材膜选自聚烯烃膜、聚酯膜、聚碳酸酯膜、聚氯乙烯膜、聚四氟乙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、氯乙烯共聚物膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯-丙烯共聚物膜、乙烯-丙烯酸烷基酯共聚物膜中的任一种。在一种优选的实施方式中，所述基材膜为聚氯乙烯膜。本专利技术的聚氯乙烯膜为本领域技术熟悉的材料，对购买厂家不做特别限制，可以购买自南亚塑胶工业(广州)有限公司。所述基材膜的厚度根据实际需求进行选择。胶粘层在一种优选的实施方式中，按重量份计，所述胶粘层包括粘结树脂100份、光引发剂4份、交联剂6份。(粘结树脂)在一些实施方式中，所述粘结树脂选自丙烯酸酯类树脂、环氧树脂、烯烃共聚物中的一种或多种。在一些优选的实施方式中，所述粘结树脂包括丙烯酸酯类树脂和烯烃共聚物。在一些优选的实施方式中，所述丙烯酸酯类树脂和烯烃共聚物的质量比为(3-8)：1。在一些优选的实施方式中，所述丙烯酸酯类树脂和烯烃共聚物的质量比为5：1。通过实验专利技术人意外的发现，采用丙烯酸酯类树脂和烯烃共聚物作为粘结树脂，特别是丙烯酸酯类树脂和烯烃共聚物的质量比为(3-8)：1，可以实现在切割过程中提高切割膜的粘着力，同时在捡取的过程中降低切割膜的粘着力。专利技术人认为的原因可能是由于丙烯酸酯类树脂和烯烃共聚物相互作用，丙烯酸酯类树脂交联固化成膜形成网络结构，使得晶圆完美的固定位置，利于将硅晶片贴附于粘着膜上并将硅晶片切断成小片状，且烯烃共聚物出色的韧性，对粘着膜在纵横方向上均进行拉伸，扩大元件的间隔而进行拾取。在一些优选的实施方式中，所述丙烯酸酯类树脂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种易于拾取的晶圆切割膜，包含基材膜、胶粘层和离型膜，其特征在于，按重量份计，所述胶粘层包括粘结树脂80-120份、光引发剂1-7份、交联剂2-10份。/n

【技术特征摘要】
1.一种易于拾取的晶圆切割膜，包含基材膜、胶粘层和离型膜，其特征在于，按重量份计，所述胶粘层包括粘结树脂80-120份、光引发剂1-7份、交联剂2-10份。


2.根据权利要求1所述的晶圆切割膜，其特征在于，所述基材膜选自聚烯烃膜、聚酯膜、聚碳酸酯膜、聚氯乙烯膜、聚四氟乙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、氯乙烯共聚物膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯-丙烯共聚物膜、乙烯-丙烯酸烷基酯共聚物膜中的任一种。


3.根据权利要求1所述的晶圆切割膜，其特征在于，所述粘结树脂选自丙烯酸酯类树脂、环氧树脂、烯烃共聚物中的一种或多种。


4.根据权利要求3所述的晶圆切割膜，其特征在于，所述丙烯酸酯类树脂为不含羟基的丙烯酸酯类单体与含羟基的丙烯酸酯类单体的共聚物。


5.根据权利要求4所述的晶圆切割膜，其特征在于，所述不含羟基的丙烯酸酯类单体为丙烯酸烷基酯；所述烷基碳原子数为C4-C8。


6.根据权利要求4所述的晶圆切割膜，其特征在于，所述含羟基的丙烯酸酯类单体选自(甲基)丙烯酸2-...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯跃虎，诸葛锋，宋亦健，曾庆明，
申请(专利权)人：广东硕成科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44