一种多功能单晶培养设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种多功能单晶培养设备，包括无水无氧操作系统、多组培养装置以及温控箱；培养装置置于温控箱内；无水无氧操作系统包括双排管、抽真空装置、氮气罐以及尾气接收装置，双排管包括通过A阀门与抽真空装置相连通的A管以及一端通过B阀门与氮气罐相连通，另一端通过C阀门与尾气接收装置相连通的B管；培养装置包括通过细管相连通的A样品管和B样品管；B样品管通过三通管分别与双排管的A管和B管相连通，三通管上设有双斜三通活塞。本实用新型专利技术的多功能单晶培养设备，可以进行多种不同的结晶方式，且各种结晶方式能够同步开展，提高了单晶培养的效率；对于稳定性差的样品，该设备可通过氮气的保护开展单晶培养，适用范围广泛。

【技术实现步骤摘要】
一种多功能单晶培养设备
本技术涉及实验仪器
，具体涉及一种多功能单晶培养设备。
技术介绍
单晶，即结晶体内部的微粒在三维空间呈有规律地、周期性地排列，或者说晶体的整体在三维方向上由同一空间格子构成，整个晶体中质点在空间的排列为长程有序。单晶整个晶格是连续的，具有重要的工业应用，其在配位化学、无机材料化学、金属有机化学，特别是手性药物开发等领域的结构解析中有着广泛的应用。使用单晶衍射技术解析单晶结构，必须培养出良好的单晶，因此单晶培养具有重要的意义。目前，单晶培养的方法多种多样，有挥发法、扩散法、温差法、接触法以及高压釜法等。在实验室中常用的方法一般是通过冷却结晶、挥发结晶、扩散结晶来实现；晶体生长受到多种外界因素的影响，比如温度的变化、溶剂挥发的气压等。在实验室培养单晶，外部条件通常难以控制，导致培养单晶的成功率低。中国专利201420444653.4公布了一种多功能挥发结晶器，便于不同单晶培养方式的变换，可进行控速控温挥发结晶、控速控温扩散结晶和冷却结晶。但是这种装置不适用稳定性差的化合物。中国专利201620576464.1提供了一种可控条件的单晶培养装置，能够控制单晶培养温度、压力条件，用户可以远程监控单晶生长情况，但是这种单晶培养方式较为单一。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种多功能单晶培养设备，可以进行多种不同的结晶方式，而且各种结晶方式能够同步开展，提高了单晶培养的效率；而且该设备对于稳定性差的样品，可以通过氮气的保护开展单晶培养，适用范围广泛。本技术的技术方案：一种多功能单晶培养设备，包括无水无氧操作系统、温控箱以及多组培养装置；所述培养装置置于所述温控箱内；所述无水无氧操作系统包括双排管、抽真空装置、氮气罐以及尾气接收装置，所述双排管包括A管和B管；所述A管通过A阀门与抽真空装置相连通，所述B管的一端通过B阀门与氮气罐相连通，另一端通过C阀门与尾气接收装置相连通；所述培养装置包括A样品管和B样品管，所述A样品管和所述B样品管之间通过细管相连通；所述B样品管通过三通管分别与所述双排管的A管和B管相连通，且所述三通管上设有双斜三通活塞。与现有技术相比，本申请的多功能单晶培养设备，能够实现多种不同方式的单晶培养，例如挥发结晶、扩散结晶、冷却结晶等多种结晶方式，实用性较高；而且该设备通过设置多组培养装置可以同步开展各种不同的结晶方式，提高了单晶培养的效率；此外，本技术的多功能单晶培养设备通过设置无水无氧操作系统可以对整个培养体系进行抽真空和充氮气处理，因此对于稳定性差的样品，可以通过氮气的保护开展单晶培养，使得单晶培养的适用范围更加广泛。作为优化，所述细管呈倾斜设置，且所述B样品管与细管连通的位置相较A样品管与细管连通的位置要高。A样品管与B样品管高低差的位置设计更有利于在挥发结晶、扩散结晶或冷却结晶过程中气体的向上运动。作为优化，所述A样品管和所述B样品管均通过螺旋塞进行密封。螺旋塞的密封性强，因此在单晶培养过程中，使用螺旋塞可以达到较好的管口密封效果，防止外界气体进入，对结晶造成影响，而且螺旋塞也不存在氧化的隐患，不会影响到样品管内晶体的生长，保证了单晶培养的质量；此外，螺旋塞价格低廉，有利于控制成本。作为优化，所述细管上设有D阀门。当在培养过程中，有晶体出现时，可以通过控制D阀门来控制孔径大小以此来调节结晶的速度，使晶体能够成长到合适的大小，保证单晶培养的效率。作为优化，所述温控箱的内壁上设有摄像头，所述摄像头与计算机相连。此时，工作人员可以通过摄像头观察在培养过程中晶体的生长状态，当感觉晶体的生长状态不对或存在缺陷时可及时作出调整，提高了单晶培养的效率和质量；而且设置摄像头之后就不需要工作人员时刻守在装置旁进行观察，节约了人力资源。附图说明图1是本技术的一种多功能单晶培养设备的结构示意图；图2是图1中的多功能单晶培养设备中的双斜三通活塞的结构示意图。附图中的标记为：1-无水无氧操作系统，11-双排管，111-A管，112-B管，12-抽真空装置，13-氮气罐，14-尾气接收装置，15-A阀门，16-B阀门，17-C阀门；2-培养装置，21-A样品管，22-B样品管，23-细管，24-螺旋塞，25-D阀门；3-温控箱；4-三通管，41-双斜三通活塞；5-摄像头。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术作进一步的说明，但并不作为对本技术限制的依据。参见图1和图2，本技术的一种多功能单晶培养设备，包括无水无氧操作系统1、温控箱3(可以选择在温控箱3内部安装温控器来进行温度的调节；也可以通过在温控箱3上设置进出水接口与控温水泵相连接并通过控温水泵来调节温度)以及多组培养装置2(培养装置2的数量可根据用户自己的需要来设置，本实施例中的培养装置2的数量为3组)；所述培养装置2置于所述温控箱3内；所述无水无氧操作系统1包括双排管11、抽真空装置12、氮气罐13以及尾气接收装置14，所述双排管11包括A管111和B管112；所述A管111通过A阀门15与抽真空装置12相连通，所述B管112的一端通过B阀门16与氮气罐13相连通，另一端通过C阀门17与尾气接收装置14相连通；所述培养装置2包括A样品管21和B样品管22，所述A样品管21和所述B样品管22之间通过细管23相连通；所述B样品管22通过三通管4分别与所述双排管11的A管111和B管112相连通，且所述三通管4上设有双斜三通活塞41。作为一个具体实施例：所述细管23呈倾斜设置，且所述B样品管22与细管23连通的位置相较A样品管21与细管23连通的位置要高。A样品管21与B样品管22高低差的位置设计更有利于在挥发结晶、扩散结晶或冷却结晶过程中气体的向上运动。作为一个具体实施例：所述A样品管21和所述B样品管22均通过螺旋塞24进行密封。螺旋塞24的密封性强，因此在单晶培养过程中，使用螺旋塞24可以达到较好的管口密封效果，防止外界气体进入，对结晶造成影响，而且螺旋塞24也不存在氧化的隐患，不会影响到样品管内晶体的生长，保证了单晶培养的质量；此外，螺旋塞24价格低廉，有利于控制成本。作为一个具体实施例：所述细管23上设有D阀门25。当在单晶培养过程中，有晶体出现后，可以通过控制D阀门25来控制细管23的孔径大小以此来调节结晶的速度，使晶体能够成长到合适的大小，保证单晶培养的效率。作为一个具体实施例：所述温控箱3的内壁上设有摄像头5，所述摄像头5与计算机相连。此时，工作人员可以通过摄像头5观察在培养过程中晶体的生长状态，当感觉晶体的生长状态不对或存在缺陷时可以及时作出调整，例如可以通过控制相应条件达到培养不同单晶需要的最佳条件，提高单晶培养的效率和质量；而且设置摄像头5之后就不需要工作人员时刻守在装置旁进行观察，节约了人力资源。单晶培养实验过程：首先，打开A阀门15，并关闭B阀门16和C阀门17，旋转三通管4上的双斜三通活塞41，使整个培养装置2与抽真空装置1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多功能单晶培养设备，其特征在于：包括无水无氧操作系统(1)、温控箱(3)以及多组培养装置(2)；所述培养装置(2)置于所述温控箱(3)内；所述无水无氧操作系统(1)包括双排管(11)、抽真空装置(12)、氮气罐(13)以及尾气接收装置(14)，所述双排管(11)包括A管(111)和B管(112)；所述A管(111)通过A阀门(15)与抽真空装置(12)相连通，所述B管(112)的一端通过B阀门(16)与氮气罐(13)相连通，另一端通过C阀门(17)与尾气接收装置(14)相连通；所述培养装置(2)包括A样品管(21)和B样品管(22)，所述A样品管(21)和所述B样品管(22)之间通过细管(23)相连通；所述B样品管(22)通过三通管(4)分别与所述双排管(11)的A管(111)和B管(112)相连通，且所述三通管(4)上设有双斜三通活塞(41)。/n

【技术特征摘要】
1.一种多功能单晶培养设备，其特征在于：包括无水无氧操作系统(1)、温控箱(3)以及多组培养装置(2)；所述培养装置(2)置于所述温控箱(3)内；所述无水无氧操作系统(1)包括双排管(11)、抽真空装置(12)、氮气罐(13)以及尾气接收装置(14)，所述双排管(11)包括A管(111)和B管(112)；所述A管(111)通过A阀门(15)与抽真空装置(12)相连通，所述B管(112)的一端通过B阀门(16)与氮气罐(13)相连通，另一端通过C阀门(17)与尾气接收装置(14)相连通；所述培养装置(2)包括A样品管(21)和B样品管(22)，所述A样品管(21)和所述B样品管(22)之间通过细管(23)相连通；所述B样品管(22)通过三通管(4)分别与所述双排管(11)的A管(111)...

【专利技术属性】
技术研发人员：莫俊，
申请(专利权)人：杭州禹正医药科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33