半导体装置、半导体装置的制造方法和粘接剂制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种制造半导体装置的方法，其具备如下工序：使具有连接部的第一构件与具有连接部的第二构件通过热固性粘接剂在低于第一构件的连接部的熔点和第二构件的连接部的熔点的温度下进行压接，从而得到第一构件的连接部与第二构件的连接部相对配置的临时压接体的工序；将临时压接体夹在相对配置的一对挤压构件之间，一边加热至大于或等于第一构件的连接部或第二构件的连接部中至少一方的熔点的温度一边加压，从而得到压接体的工序；以及将压接体在加压气氛下进一步加热的工序。第一构件为半导体芯片或半导体晶片，第二构件为配线电路基板、半导体芯片或半导体晶片。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置、半导体装置的制造方法和粘接剂
本专利技术涉及半导体装置、半导体装置的制造方法和粘接剂。
技术介绍
以往，在将半导体芯片与基板连接时，一直广泛应用使用金线等金属细线的引线接合方式。近年来，为了应对针对半导体装置的高功能、高集成、高速化等要求，广泛采用在半导体芯片或配线电路基板上设置被称为凸块的导电性突起作为连接部，通过连接部彼此的连接将半导体芯片与配线电路基板或其他半导体芯片直接连接的倒装芯片连接方式(FC连接方式)。例如，作为半导体芯片与配线电路基板间的连接的COB(ChipOnBoard，板上芯片)型的连接方式为FC连接方式。FC连接方式还广泛用于在半导体芯片上设置凸块或配线作为连接部而在半导体芯片间进行连接的CoC(ChipOnChip，叠层芯片)型连接方式。在FC连接方式中，从连接部的可靠性的观点考虑，通常大多使焊料、锡、金、银、铜等的连接部进行金属接合。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2008-294382号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体装置的方法，其具备如下工序：/n将具有连接部的第一构件与具有连接部的第二构件通过热固性粘接剂在低于所述第一构件的连接部的熔点和所述第二构件的连接部的熔点的温度下进行压接，从而得到所述第一构件的连接部与所述第二构件的连接部相对配置的临时压接体的工序；/n将所述临时压接体夹在相对配置的一对按压构件之间，一边加热至大于或等于所述第一构件的连接部或所述第二构件的连接部中的至少一方的熔点的温度一边加压，从而得到压接体的工序；以及/n将所述压接体在加压气氛下进一步加热的工序，/n所述第一构件为半导体芯片或半导体晶片，所述第二构件为配线电路基板、半导体芯片或半导体晶片。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造半导体装置的方法，其具备如下工序：
将具有连接部的第一构件与具有连接部的第二构件通过热固性粘接剂在低于所述第一构件的连接部的熔点和所述第二构件的连接部的熔点的温度下进行压接，从而得到所述第一构件的连接部与所述第二构件的连接部相对配置的临时压接体的工序；
将所述临时压接体夹在相对配置的一对按压构件之间，一边加热至大于或等于所述第一构件的连接部或所述第二构件的连接部中的至少一方的熔点的温度一边加压，从而得到压接体的工序；以及
将所述压接体在加压气氛下进一步加热的工序，
所述第一构件为半导体芯片或半导体晶片，所述第二构件为配线电路基板、半导体芯片或半导体晶片。


2.根据权利要求1所述的方法，在通过对所述临时压接体一边加热一边加压而得到所述压接体的所述工序中，使所述热固性粘接剂部分固化，
在将所述压接体在加压气氛下加热的所述工序中，使所述热固性粘接剂进一步固化。


3.根据权利要求2所述的方法，在通过对所述临时压接体一边加热一边加压而得到所述压接体的所述工序中，使所述热固性粘接剂固化直至固化反应率小于或等于30％为止。


4.根据权利要求2或3所述的方法，在将所述压接体在加压气氛下加热的所述工序中，进一步固化直至所述热固性粘接剂的固化反应率大于或等于85％为止。


5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：本田一尊，柳田裕贵，上野惠子，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP