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本发明公开一种制造半导体装置的方法，其具备如下工序：使具有连接部的第一构件与具有连接部的第二构件通过热固性粘接剂在低于第一构件的连接部的熔点和第二构件的连接部的熔点的温度下进行压接，从而得到第一构件的连接部与第二构件的连接部相对配置的临时压...
该专利属于日立化成株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日立化成株式会社授权不得商用。

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