改善外延片滑片的装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了改善外延片滑片的装置及方法，属于外延片制造技术领域，改善外延片滑片的装置包括基座，基座上端面设有载片槽；基座的上方设置有机械手盘，机械手盘上设置有用于负压吸附外延片的吸气通路，机械手盘上还设置有用于向机械手盘内充入气体的充气通路；外延片在充气通路充入的气体压力作用下落入所述载片槽内。改善外延片滑片的方法采用了上述装置。本发明专利技术提供的改善外延片滑片的装置和方法增大了外延片与载片槽之间的摩擦力，缩短了外延片与载片槽内的气体排出的时间，避免了外延片在载片槽内的滑动，提高了外延片厚度和电阻率的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
改善外延片滑片的装置及方法
本专利技术属于外延片制造
，更具体地说，是涉及一种改善外延片滑片的装置及方法。
技术介绍
在半导体芯片制造中，硅外延片有着重要的地位。在实际生产中，化学气相沉积技术被广泛应用于硅外延片的制造，其中，外延炉是制造外延片的主要设备。目前在使用外延炉生长外延片过程中，外延炉采用机械手盘自动将硅片装载到基座的载片槽中，硅片在运动到载片槽过程中会在硅片表面沉积一层单晶硅，此层单晶硅即为外延片，外延片脱离机械手盘与载片槽表面接触时容易在两者中间产生气模，气模的厚度约为0.6mm，导致外延片和载片槽之间的摩擦力很小，外延片就容易在载片槽内滑动导致装载错位，进而导致外延片厚度、电阻率均匀性变差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供改善外延片滑片的装置和方法，旨在解决外延片与载片槽表面接触时外延片在载片槽内滑动导致的外延片厚度、电阻率均匀性差的问题。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：提供一种改善外延片滑片的装置，包括：基座，上端面设有载片槽，所述基座上方设置有机械手盘，所述机械手盘上设置有用于负压吸附外延片的吸气通路，所述机械手盘上还设置有用于向所述机械手盘内充入气体的充气通路；外延片在所述充气通路充入的气体压力作用下落入所述载片槽内。作为本申请另一实施例，还包括：三通阀，分别设有出气端、第一进气端和第二进气端，所述出气端与所述机械手盘连通，所述第一进气端与所述出气端形成所述吸气通路，所述第二进气端与所述出气端形成所述充气通路。作为本申请另一实施例，所述第一进气端的管路上安装有文丘里真空泵。作为本申请另一实施例，所述第一进气端的管路上和所述第二进气端的管路上分别安装有流量调节阀。作为本申请另一实施例，所述第一进气端的管路上安装有气闭式气动阀，所述第二进气端的管路上安装有气开式气动阀。作为本申请另一实施例，所述气闭式气动阀与所述气开式气动阀通过同一气源控制。作为本申请另一实施例，还包括：压力传感器，安装在所述机械手盘管路上。作为本申请另一实施例，所述充气通路内充有氮气。本专利技术提供的改善外延片滑片的装置的有益效果在于：与现有技术相比，本专利技术改善外延片滑片的装置的基座的上端面设有载片槽；基座的上方设置有机械手盘；同时在原有的气路结构上进行改进，增加一个充气通路，吸气通路可使机械手盘内形成负压以使机械手盘吸附外延片，充气通路可向机械手盘内充入气体，外延片在充气通路充入的气体压力作用下外延片轻松从机械手盘上脱下，同时在气体的压力作用下增大了外延片与载片槽之间的摩擦力，缩短了外延片与载片槽内的气体排出的时间，使外延片不容易在载片槽内滑动，制作的外延片厚度和电阻率都非常均匀。本专利技术的改善外延片滑片的装置增大了外延片与载片槽之间的摩擦力，缩短了外延片与载片槽内的气体排出的时间，避免了外延片在载片槽内的滑动，提高了外延片厚度和电阻率的均匀性。本专利技术还提供改善外延片滑片的方法，包括以下步骤：S1:在机械手盘内形成负压，以吸取外延片；S2:机械手盘带动外延片移动到基座的载片槽的上方；S3:向机械手盘内通入气体，以将外延片推动至基座的载片槽内。作为本申请另一实施例，在所述步骤3)之前切断机械手盘内的负压。本专利技术提供的改善外延片滑片的方法的有益效果在于：与现有技术相比，本专利技术改善外延片滑片的方法的包括下述步骤，首先，在机械手盘内形成负压以吸取外延片；其次，机械手盘带动外延片移动到基座的载片槽的上方；最后，向机械手盘内通入气体，以将外延片推动至基座的载片槽内。本专利技术的改善外延片滑片的方法向机械手盘内充入的气体压力作用下外延片轻松从机械手盘上脱下，避免了在外延炉内部高温环境下外延片粘附在机械手盘上的情况，同时在气体的压力作用下增大了外延片与载片槽之间的摩擦力，缩短了外延片与载片槽内的气体排出的时间，使外延片不容易在载片槽内滑动，制作的外延片厚度和电阻率都非常均匀。本专利技术的改善外延片滑片的装置增大了外延片与载片槽之间的摩擦力，缩短了外延片与载片槽内的气体排出的时间，避免了外延片在载片槽内的滑动，提高了外延片厚度和电阻率的均匀性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的改善外延片滑片的装置的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的改善外延片滑片的方法的流程示意图；图3为本专利技术实施例提供的基座的俯视结构示意图。图中：1、三通阀；101、出气端；102、第一进气端；103、第二进气端；2、吸气通路；3、充气通路；4、文丘里真空泵；5、流量调节阀；6、气开式气动阀；7、气闭式气动阀；8、CDA气源；9、压力传感器；10、机械手盘；11、高纯度氮气源；12、外延片；13、基座；131、载片槽。具体实施方式为了使本专利技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。图1为本专利技术实施例改善外延片滑片的装置，图3为本专利技术实施例提供的基座的俯视结构示意图，请参阅图1及图3，现对本专利技术提供的改善外延片滑片的装置进行说明。改善外延片滑片的装置包括基座13，基座13上端面设有载片槽131；基座13的上方设置有机械手盘10，机械手盘10上设置有用于负压吸附外延片12的吸气通路2，机械手盘10上还设置有用于向机械手盘10内充入气体的充气通路3；外延片12在充气通路3充入的气体压力作用下落入所述载片槽131内。本实施例中，基座13和机械手盘10都设置在外延炉内部，因外延炉内的工作环境是充满高纯度氮气，所以向机械手内通入的气体为高纯度氮气。本专利技术提供的改善外延片滑片的装置，与现有技术相比，基座13上设有载片槽131；基座13的上方设置有机械手盘10，在原有的气路结构上进行改进，增加一个充气通路3，吸气通路2可使机械手盘10内形成负压以吸附外延片12，充气通路3可向机械手盘10内充入气体，在气体的压力作用下外延片12轻松从机械手盘10上脱下，避免了在外延炉高温环境下外延片12粘附在机械手盘10上的情况，同时在气体的压力作用下增大了外延片12与载片槽131之间的摩擦力，缩短了外延片12与载片槽131内的气体排出的时间，使外延片12不容易在载片槽131内滑动，制作的外延片12厚度和电阻率都非常均匀。本专利技术的改善外延片滑片的装置增大了外延片12与载片槽131之间的摩擦力，缩短了外延片12与载片槽131内的气体排出的时间，避免了外延片12在载片槽131内的滑动，提高了外延片12厚度和电阻率的均匀性。作为本专利技术实施例的一种具体实施方式，请参阅图1，改善外延片滑片的装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.改善外延片滑片的装置，其特征在于，包括：/n基座，上端面设有载片槽，所述基座上方设置有机械手盘，所述机械手盘上设置有用于负压吸附外延片的吸气通路，所述机械手盘上还设置有用于向所述机械手盘内充入气体的充气通路；/n外延片在所述充气通路充入的气体压力作用下落入所述载片槽内。/n

【技术特征摘要】
1.改善外延片滑片的装置，其特征在于，包括：
基座，上端面设有载片槽，所述基座上方设置有机械手盘，所述机械手盘上设置有用于负压吸附外延片的吸气通路，所述机械手盘上还设置有用于向所述机械手盘内充入气体的充气通路；
外延片在所述充气通路充入的气体压力作用下落入所述载片槽内。


2.如权利要求1所述的改善外延片滑片的装置，其特征在于，还包括：
三通阀，分别设有出气端、第一进气端和第二进气端，所述出气端与所述机械手盘连通，所述第一进气端与所述出气端形成所述吸气通路，所述第二进气端与所述出气端形成所述充气通路。


3.如权利要求2所述的改善外延片滑片的装置，其特征在于，所述第一进气端的管路上安装有文丘里真空泵。


4.如权利要求3所述的改善外延片滑片的装置，其特征在于，所述第一进气端的管路上和所述第二进气端的管路上分别安装有流量调节阀。


5.如权利要求2所述的改...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏桂忠，陈秉克，薛宏伟，袁肇耿，仇根忠，任丽翠，任永升，霍晓阳，
申请(专利权)人：河北普兴电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13