用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法技术

本发明专利技术涉及用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法，夹具包括PCB基板、排针、底座、底座插针、簧片阵列、压杆和杆套；底座设置在PCB基板上；底座上设有两列所述簧片阵列；杆套设置在PCB基板上，压杆与杆套连接；待分析扁平封装半导体器件置于底座上，器件两侧的两管脚阵列分别与两列簧片阵列对接，压杆一端部紧压在器件的边框上，使器件管脚阵列与簧片阵列压紧连接；PCB基板上排布有微带引线，簧片阵列通过底座插针与微带引线连接，微带引线与排针连接。本发明专利技术的用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法，既能保证扁平封装半导体器件管脚与夹具良好连接，又能使扁平封装半导体器件的芯片充分暴露。

【技术实现步骤摘要】
用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法
本专利技术涉及半导体测试分析
，具体涉及一种用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法。
技术介绍
半导体材料中存在着多种载流子跃迁，包括带间跃迁、带隙内跃迁、缺陷能级跃迁等，除少数辐射跃迁外，其它跃迁都伴随着光子的产生。微光显微镜(EMMI)分析就是通过外置电场，收集样品辐射跃迁中产生的光子，以确定缺陷位置的技术。进行EMMI分析时，首先将失效半导体器件开封，而后在器件的异常管脚间加电并获取存在亮点的芯片EMMI图像，将失效器件和正常器件的芯片EMMI图像进行对比，失效器件芯片EMMI图像存在亮点而正常器件芯片EMMI图像不存在亮点的位置，往往就是存在失效缺陷的位置。由此可知，进行EMMI分析时，要保证半导体器件的芯片处于暴露状态。对于双列直插(DIP)等封装器件，将开封后的器件直接安装在相应的夹具上进行加电，即能完成EMMI分析。但对扁平封装半导体器件管脚加电，需通过夹具、PCB基板将扁平封装转换为DIP封装以方便进行加电测试，扁平封装半导体器件管脚与夹具是上下结构的电气连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具，其特征在于，包括PCB基板、排针、底座、底座插针、簧片阵列、压杆和杆套；/n所述底座设置在所述PCB基板上；/n所述底座上设有两列所述簧片阵列；/n所述杆套设置在所述PCB基板上，所述压杆与所述杆套连接；待分析扁平封装半导体器件置于所述底座上，待分析扁平封装半导体器件两侧的两管脚阵列分别与两列所述簧片阵列对接，所述压杆一端部紧压在待分析扁平封装半导体器件的边框上，使待分析扁平封装半导体器件管脚阵列与所述簧片阵列压紧连接；/n所述PCB基板上排布有微带引线，所述簧片阵列通过所述底座插针与所述微带引线连接，所述微带引线与所述排针连接。/n

【技术特征摘要】
1.用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具，其特征在于，包括PCB基板、排针、底座、底座插针、簧片阵列、压杆和杆套；
所述底座设置在所述PCB基板上；
所述底座上设有两列所述簧片阵列；
所述杆套设置在所述PCB基板上，所述压杆与所述杆套连接；待分析扁平封装半导体器件置于所述底座上，待分析扁平封装半导体器件两侧的两管脚阵列分别与两列所述簧片阵列对接，所述压杆一端部紧压在待分析扁平封装半导体器件的边框上，使待分析扁平封装半导体器件管脚阵列与所述簧片阵列压紧连接；
所述PCB基板上排布有微带引线，所述簧片阵列通过所述底座插针与所述微带引线连接，所述微带引线与所述排针连接。


2.如权利要求1所述的用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具，其特征在于，所述杆套包括支柱和套筒，所述支柱一端固定在所述底座上，所述套筒固连在所述支柱另一端；所述套筒套在所述压杆上，所述压杆能相对所述套筒沿套筒轴线方向移动；所述套筒与所述支柱成一定角度，使所述压杆一端部能压向置于底座上的待分析扁平封装半导体器件。


3.如权利要求2所述的用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具，其特征在于，所述杆套采用硬塑料制作；所述压杆具有一定弹性，所述压杆一端部设有压头，该压头紧压在待分析扁平封装半导体器件的边框上。


4.如权利要求3所述的用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具，其特征在于，所述压杆设有压头的端部向下偏离水平方向20°。


5.如权利要求1所述的用...

【专利技术属性】
技术研发人员：廉鹏飞，张辉，李娟，刘楠，鲁子牛，李君恒，孔泽斌，楼建设，王昆黍，
申请(专利权)人：上海精密计量测试研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31