光纤制造技术

本发明专利技术提供的一种光纤，从内到外依次包括芯层、缓冲包层、凹陷包层、深掺氟层、外包层及涂层，所述芯层为相对于二氧化硅的折射率差为0.37～0.5％的掺锗二氧化硅；所述缓冲包层的折射率为渐变结构，其与所述芯层接触的内界面处折射率相对于二氧化硅的折射率差为‑0.05～0.1％，与所述凹陷包层接触的外界面处折射率和所述凹陷包层的折射率相等；所述凹陷包层相对于二氧化硅的折射率差为‑0.12～‑0.2％；所述深掺氟层相对于二氧化硅的折射率差为‑0.3～‑0.5％；所述外包层为二氧化硅，所述涂层涂覆在所述外包层外。本发明专利技术的光纤具有大模场直径，抗弯曲的优点。

【技术实现步骤摘要】
光纤
本专利技术涉及通讯
，特别是指一种光纤。
技术介绍
通用光纤，可以应用于长途干线、局域网建设、FTTX到户建设等等，实现原有不同区域应用的通用替代，多场景光纤于一体，实现一种光纤兼容原来的G652单模光纤和G657单模光纤。现有的单模光纤中，一般在长途传输、局域网建设中采用G.652光纤，成本低，前期应用多，新上建设与早期的光纤实现最大兼容，在局域网和接入网建设中，采用G657光纤，抗弯曲性能好，更能应对不同的复杂环境，但是在局域网会产生两种光纤需要对接的情况，因为两者之间的模场直径存在较大差异，例如普通G652光纤模场直径在9.2±0.5μm，而常规G657光纤模场直径在8.6±0.5，模场直径的差异造成两者之间对接带来的接续损耗较大，对线路带来不良影响。
技术实现思路
鉴于以上内容，有必要提供一种改进的光纤。本专利技术提供的技术方案为：一种光纤，从内到外依次包括芯层、缓冲包层、凹陷包层、深掺氟层、外包层及涂层，所述芯层为相对于二氧化硅的折射率差为0.37～0.5％的掺锗二氧化硅；所述缓冲包层的折射率为渐变结构，其与所述芯层接触的内界面处折射率相对于二氧化硅的折射率差为-0.05～0.1％，与所述凹陷包层接触的外界面处折射率和所述凹陷包层的折射率相等；所述凹陷包层相对于二氧化硅的折射率差为-0.12～-0.2％；所述深掺氟层相对于二氧化硅的折射率差为-0.3～-0.5％；所述外包层为二氧化硅，所述涂层涂覆在所述外包层外。进一步的，所述芯层的半径为4.1～4.7μm，所述缓冲包层的厚度为3～5μm；所述凹陷包层的厚度为6～10μm；所述深掺氟层的厚度为10～20μm；所述外包层的厚度为22.8～39.4μm。进一步的，所述芯层的不圆度≤1％；所述芯层至所述外包层的整体不圆度≤0.4％。进一步的，所述涂层的材料为聚丙烯酸酯。进一步的，所述涂层包括内涂层和外涂层，所述内涂层的不圆度≤6％；所述外涂层的外直径为245±7μm，其不圆度≤6％。进一步的，所述涂层包括内涂层和外涂层，所述内涂层的不圆度≤6％；所述外涂层的外直径为200±7μm，其不圆度≤6％。进一步的，所述涂层包括内涂层和外涂层，所述内涂层的不圆度≤6％；所述外涂层的外直径为180±7μm，其不圆度≤6％。进一步的，所述光纤在1310nm处的模场直径为8.7～9.5μm。进一步的，光纤在半径15mm，10圈的条件下，1550nm的宏弯损耗不大于0.03dB，在1625nm处的宏弯损耗不大于0.1dB；光纤在半径10mm，1圈的条件下，1550nm的宏弯损耗不大于0.1dB，在1625nm处的宏弯损耗不大于0.2dB；光纤在半径7.5mm，1圈的条件下，1550nm的宏弯损耗不大于0.5dB，在1625nm处的宏弯损耗不大于1dB。进一步的，光纤在温度20～30℃之内，相对湿度在40％～60％之内，光纤抗疲劳参数大于22。与现有技术相比，本专利技术提供的一种新型光纤，具备大模场直径8.7～9.5μm，同时具备良好的抗弯曲性能，宏弯损耗可以达到G657光纤水平，可以在15mm直径的条件下，宏弯损耗1550nm不高于0.03dB，1625nm的宏弯损耗不高于0.1dB，实现G652、G657光纤的完全兼容；且外径可以达到245μm、200μm、180μm，形成外径不同系列，满足多应用场景。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。图1为本专利技术一实施方式中光纤的剖面折射率分布图。图2为图1示出的光纤的剖面结构图。主要元件符号说明:芯层1缓冲包层3凹陷包层5深掺氟层7外包层9如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术实施例。具体实施方式为了能够更清楚地理解本专利技术实施例的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术进行详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施方式中的特征可以相互组合。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术实施例，所描述的实施方式仅是本专利技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本专利技术实施例保护的范围。本文中“外直径”指一结构层外边界之间的最远距离。本文中“外半径”指一结构层外边界至芯层中心轴的距离。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术实施例的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本专利技术实施例。请参阅图1和图2，本专利技术提供一种光纤，从内到外依次包括芯层1、缓冲包层3、凹陷包层5、深掺氟层7、外包层9及涂层，所述芯层1为相对于二氧化硅的折射率差n1为0.37～0.5％的掺锗二氧化硅；所述缓冲包层3的折射率为渐变结构，其与所述芯层1接触的内界面处折射率相对于二氧化硅的折射率差n3为-0.05～0.1％，与所述凹陷包层5接触的外界面处折射率和所述凹陷包层5的折射率相等；所述凹陷包层5相对于二氧化硅的折射率差n5为-0.12～-0.2％；所述深掺氟层7相对于二氧化硅的折射率差n7为-0.3～-0.5％；所述外包层9为二氧化硅，折射率为nc，所述涂层涂覆在所述外包层9外。在一些实施方式中，如图1示出的凹陷包层5和深掺氟层7可以通过在二氧化硅中添加下掺杂剂来实现相对折射率的调控，通常采用的下掺杂剂如氟、硼等。在一些实施方式中，如图1示出的缓冲包层3可以通过在二氧化硅中添加上掺杂剂或者上、下掺杂剂的组合来调控折射率，通常采用的上掺杂剂如锗、氯、磷、铝、钛等。在其他实施方式中，芯层1也可以采用含锗的混合型上掺杂剂对二氧化硅玻璃进行折射率调控；亦或者采用等同的其他上掺杂剂对二氧化硅玻璃进行折射率调控。在具体实施方式中，所述芯层1的半径为4.1～4.7μm，所述缓冲包层3的厚度为3～5μm；所述凹陷包层5的厚度为6～10μm；所述深掺氟层7的厚度为10～20μm；所述外包层9的厚度为22.8～39.4μm。在具体实施方式中，所述芯层1的不圆度≤1％；所述芯层1至所述外包层9的整体不圆度≤0.4％。在具体实施方式中，所述涂层的材料为聚丙烯酸酯。在第一实施方式中，所述涂层包括内涂层和外涂层，所述内涂层的不圆度≤6％；所述外涂层的外直径为245±7μm，其不圆度≤6％。在一些实施例中，所述内涂层的外直径为192μm，其不圆度为0.6％；所述外涂层的外直径为245μm，其不圆度为0.8％。在第二实施方式中，所述涂层包括内涂层和外涂层，所述内涂层的不圆度≤6％；所述外涂层的外直径为200±7μm，其不圆度≤6％。在一些实施例中，所述内涂层的外直径为165μm，其不圆度为0.5％；所述外涂层的外直径为198μm，其不圆度为0.7％。第三实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光纤，其特征在于：从内到外依次包括芯层、缓冲包层、凹陷包层、深掺氟层、外包层及涂层，所述芯层为相对于二氧化硅的折射率差为0.37～0.5％的掺锗二氧化硅；所述缓冲包层的折射率为渐变结构，其与所述芯层接触的内界面处折射率相对于二氧化硅的折射率差为-0.05～0.1％，与所述凹陷包层接触的外界面处折射率和所述凹陷包层的折射率相等；所述凹陷包层相对于二氧化硅的折射率差为-0.12～-0.2％；所述深掺氟层相对于二氧化硅的折射率差为-0.3～-0.5％；所述外包层为二氧化硅，所述涂层涂覆在所述外包层外。/n

【技术特征摘要】
1.一种光纤，其特征在于：从内到外依次包括芯层、缓冲包层、凹陷包层、深掺氟层、外包层及涂层，所述芯层为相对于二氧化硅的折射率差为0.37～0.5％的掺锗二氧化硅；所述缓冲包层的折射率为渐变结构，其与所述芯层接触的内界面处折射率相对于二氧化硅的折射率差为-0.05～0.1％，与所述凹陷包层接触的外界面处折射率和所述凹陷包层的折射率相等；所述凹陷包层相对于二氧化硅的折射率差为-0.12～-0.2％；所述深掺氟层相对于二氧化硅的折射率差为-0.3～-0.5％；所述外包层为二氧化硅，所述涂层涂覆在所述外包层外。


2.根据权利要求1所述的光纤，其特征在于：所述芯层的半径为4.1～4.7μm，所述缓冲包层的厚度为3～5μm；所述凹陷包层的厚度为6～10μm；所述深掺氟层的厚度为10～20μm；所述外包层的厚度为22.8～39.4μm。


3.根据权利要求1所述的光纤，其特征在于：所述芯层的不圆度≤1％；所述芯层至所述外包层的整体不圆度≤0.4％。


4.根据权利要求1所述的光纤，其特征在于：所述涂层的材料为聚丙烯酸酯。


5.根据权利要求4所述的光纤，其特征在于：所述涂层包括内涂层和外涂层，所述内涂层的不圆度≤6％；所述外涂...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹珊珊，刘志忠，沈一春，蒋新力，王震，徐海涛，钱宜刚，薛驰，苏海燕，
申请(专利权)人：中天科技光纤有限公司，江苏中天科技股份有限公司，江东科技有限公司，中天科技精密材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32