一种用于晶体材料的晶型与缺陷的检测装置及检测方法制造方法及图纸

本发明专利技术属于材料检测技术领域，提供了一种用于晶体材料的晶型与缺陷的检测装置，包括：工作面，其上设有工作台，用于放置待检测的晶体；外罩，呈倒置的U型，其扣盖在所述工作面上并与其形成密闭的空腔；光源，设置于所述密闭的空腔内，用于直射在所述晶体上；图像采集器，设置于所述外罩外部顶端且位于所述晶体的上方；和图像处理设备，设置于所述密闭的空腔外且与所述图像采集器相连接。本申请相比于常用的高分辨透射电镜法、光吸收法和Raman光谱法三种鉴别晶体多型的方法，具有对样品无损检测的优点，也不需要特殊处理，快速判断，且检测装置成本大大降低，在一定的精度要求下，能达到最佳性价比。

【技术实现步骤摘要】
一种用于晶体材料的晶型与缺陷的检测装置及检测方法
本专利技术涉及材料检测
，具体涉及一种用于晶体材料的晶型与缺陷的检测装置及检测方法。
技术介绍
固体用光激发引起发光的现象，是物质内部吸收能量后，以热辐射以外的光辐射形式发射出多余的能量。它大致经过吸收、能量传递及光发射三个主要阶段，光的吸收及发射都发生于能级之间的跃迁，即发光中心吸收外界能量后从基态激发到激发态，当从激发态回到基态时就以发光形式释放能量。紫外辐射、可见光及红外辐射均可引起光致发光。理论上，质量较好的晶体，提供比其带隙能量高的光能，可以观察到晶体发光。同一种晶体有多种晶型，且不同晶型晶体的带隙存在差异，受同一波长的光辐照时，晶体发光，并且不同晶型的晶体发光颜色也表现出差异。以碳化硅(SiC)为例，由于原子的排列结构不同，可以形成几百种形态各异的晶体结构即晶型。如将晶体在室温用紫外光(UV)照射时，非掺杂晶体：4H-SiC为深蓝—绿色、6H-SiC发红—紫色、15R晶体则为桔红色。在强光灯下：n型掺杂的4H-SiC呈棕黄色、6H-SiC呈绿色、15R-SiC呈本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于晶体材料的晶型与缺陷的检测装置，其特征在于，包括：/n工作面，其上设有工作台，用于放置待检测的晶体；/n外罩，呈倒置的U型，其扣盖在所述工作面上并与其形成密闭的空腔；/n光源，设置于所述密闭的空腔内，用于直射在所述晶体上；/n图像采集器，设置于所述外罩外部顶端且位于所述晶体的上方；和/n图像处理设备，设置于所述密闭的空腔外且与所述图像采集器相连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于晶体材料的晶型与缺陷的检测装置，其特征在于，包括：
工作面，其上设有工作台，用于放置待检测的晶体；
外罩，呈倒置的U型，其扣盖在所述工作面上并与其形成密闭的空腔；
光源，设置于所述密闭的空腔内，用于直射在所述晶体上；
图像采集器，设置于所述外罩外部顶端且位于所述晶体的上方；和
图像处理设备，设置于所述密闭的空腔外且与所述图像采集器相连接。


2.根据权利要求1所述的用于晶体材料的晶型与缺陷的检测装置，其特征在于，所述密闭的空腔内还设置有晶体移动工具，所述工作面下方设有箱体，所述箱体内设置有真空发生器，所述晶体移动工具通过软管与所述真空发生器连接。


3.根据权利要求2所述的用于晶体材料的晶型与缺陷的检测装置，其特征在于，所述箱体外侧面设置有控制所述真空发生器的开关。


4.根据权利要求1所述的用于晶体材料的晶型与缺陷的检测装置，其特征在于，所述光源通过定型弯管固定在所述工作面上且其能够直射在所述晶体上。


5.根据权利要求1所述的用于晶体材料的晶型与缺陷的检测装置，其特征在于，所述图像采集器通过固定架设置于所述外罩上，所述固定架包括至少两条互相垂直的轨道，从而可以实现晶体在水平平面内的位置移...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁振洲，刘欣宇，
申请(专利权)人：江苏超芯星半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32