复合陶瓷滤波器及其制备方法技术

技术编号:25029486 阅读:24 留言:0更新日期:2020-07-29 05:24
本发明专利技术提供的复合陶瓷滤波器,包括粗晶粒陶瓷胚体和包裹在粗晶粒陶瓷胚体表面的细晶粒陶瓷包裹层,通过使细晶粒陶瓷包裹层的晶粒尺寸小于0.2μm,能够降低复合陶瓷滤波器表面的晶粒尺寸,从而增大其介电常数,由于细晶粒陶瓷包裹层的存在,还能够提升复合陶瓷滤波器表面的致密性,并降低其表面粗糙度;本发明专利技术还提供上述复合陶瓷滤波器的制备方法,该方法先制备粗晶粒陶瓷胚体及纳米制程溶液,再将粗晶粒陶瓷胚体浸泡在纳米制程溶液中,使粗晶粒陶瓷胚体的表面被纳米制程溶液完全覆盖,再将浸泡后的粗晶粒陶瓷胚体捞起烘干,经低温热处理后,得到所述复合陶瓷滤波器,该方法形成细晶粒陶瓷包裹层的速度快、效果好、易于推广使用。

【技术实现步骤摘要】
复合陶瓷滤波器及其制备方法
本申请涉及陶瓷滤波器领域,具体涉及一种复合陶瓷滤波器及其制备方法。
技术介绍
陶瓷滤波器具有较好的滤波性能,广泛应用于汽车电话、移动电话、雷达、GPS天线等现代移动通信领域或卫星通信领域,传统的陶瓷滤波器主要采用将陶瓷粉体干压成型后,经高温烧结后再通过机加工而成,在高温烧结时,遵循最小能量原则,由于原子扩散作用,烧结后的陶瓷滤波器的晶粒尺寸远大于烧结前的陶瓷粉体尺寸,严重的,可高达50-200μm,甚至200μm以上。在陶瓷滤波器的使用过程中,由于表面效应的存在,即陶瓷滤波器上的点与电极接触位置越近,则陶瓷滤波器的电特性越大,陶瓷滤波器上的点与电极接触位置越远,则陶瓷滤波器的电特性越小,使得陶瓷滤波器的介电特性由表面往心部递减,由于粗晶粒的陶瓷滤波器表面坑洼不平,使得陶瓷滤波器的表面与电极接触位置的远近存在差异,从而影响陶瓷滤波器的介电特性,反应在陶瓷滤波器的性能参数上,会对陶瓷滤波器的介电常数造成严重影响,该影响的特点为:陶瓷滤波器的介电常数会随着陶瓷滤波器的晶粒尺寸的减小而增加,特别是陶瓷滤波器表面的晶粒本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.复合陶瓷滤波器,包括:/n粗晶粒陶瓷胚体;/n包裹在所述粗晶粒陶瓷胚体表面的细晶粒陶瓷包裹层;/n其特征在于:/n所述细晶粒陶瓷包裹层的晶粒尺寸小于0.2μm。/n

【技术特征摘要】
1.复合陶瓷滤波器,包括:
粗晶粒陶瓷胚体;
包裹在所述粗晶粒陶瓷胚体表面的细晶粒陶瓷包裹层;
其特征在于:
所述细晶粒陶瓷包裹层的晶粒尺寸小于0.2μm。


2.根据权利要求1所述的复合陶瓷滤波器,其特征在于,所述粗晶粒陶瓷胚体的晶粒尺寸大于10μm,所述粗晶粒陶瓷胚体与所述细晶粒陶瓷包裹层的成分相同。


3.根据权利要求2所述的复合陶瓷滤波器,其特征在于,所述粗晶粒陶瓷胚体与所述细晶粒陶瓷包裹层的成分均为同一微波介电陶瓷材料。


4.根据权利要求1所述的复合陶瓷滤波器,其特征在于,所述细晶粒陶瓷包裹层的厚度大于等于5μm。


5.制备权利要求1-4中任意一项权利要求所述的复合陶瓷滤波器的制备方法,包括以下步骤:
a.通过高温烧结的方式制备所述粗晶粒陶瓷胚体,并制备纳米制程溶液;
b.将所述粗晶粒陶瓷胚体浸泡在所述纳米制程溶液中,使所述粗晶粒陶瓷胚体的表面被所述纳米制程溶液完全覆盖;
c.将步骤b中浸泡后的所述粗晶粒陶瓷胚体捞起烘干,挥发所述粗晶粒陶瓷胚体表面的所述纳米制程溶液中的溶剂,使所述粗晶粒陶瓷胚体表面的所述纳米制程溶液中的溶质包裹在所述粗晶粒陶瓷胚体表面;
d.对步骤c中烘干...

【专利技术属性】
技术研发人员:侯咏轩徐元莉侯春树侯文洁
申请(专利权)人:昆山卡德姆新材料科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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