在MEMS力传感器中的应变传递堆叠制造技术

本文描述了一种加固型微机电(“MEMS”)力传感器，其包括传感器管芯和应变传递层。MEMS力传感器采用压阻或压电应变计用于应变感测，其中应变通过应变传递层传递，所述应变传递层设置在所述传感器管芯的顶侧或底侧上。在顶侧应变传递层的情况下，MEMS力传感器包括机械锚。在底侧应变传递层的情况下，保护层添加在传感器管芯的顶侧上以用于结合线保护。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在MEMS力传感器中的应变传递堆叠相关申请的交叉引用本申请要求2017年7月19日提交的名称为“STRAINTRANSFERSTACKINGINAMEMSFORCESENSOR(在MEMS力传感器中的应变传递堆叠)”的美国临时专利申请第62/534,287号的权益，其公开内容以全文引用的方式明确地并入本文中。
本公开涉及具有应变传递层的微机电(“MEMS”)力传感器。
技术介绍
力感测应用需要介质将力或应变传递到感测元件。在常规系统中，传递介质通常在组装机构上实施但不在传感器自身上实施。当在组装机构上实施传递介质时，在传递介质与传感器之间总是存在对准容差。为了更好的准确性和更紧密的容差，需要将传递介质实施到传感器上。
技术实现思路
本公开涉及一种包括应变传递层的MEMS力传感器。根据本文中描述的一种实施方式，应变传递层设置在传感器管芯(die)的顶表面上，且所述传感器管芯由在所述传感器管芯的底表面处的机械锚支撑。所述感测元件可以是压阻式或压电式，并且可以电耦合到机械锚。根据另一种实施方式，所述应变传递本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微机电(“MEMS”)力传感器，其包括：/n传感器管芯，所述传感器管芯被配置成接收所施加的力，其中，所述传感器管芯包括顶侧和与所述顶侧相对的底侧，/n布置在所述传感器管芯上的至少一个应变感测元件，其中，所述至少一个应变感测元件被配置成将应变转换成与所述应变成比例的模拟电信号，/n应变传递层，所述应变传递层布置在所述传感器管芯的所述顶侧上，其中所述应变传递层被配置成将所述应变传递到所述传感器管芯，以及/n至少一个机械锚，所述至少一个机械锚布置在所述传感器管芯的所述底侧上。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170719 US 62/534,2871.一种微机电(“MEMS”)力传感器，其包括：
传感器管芯，所述传感器管芯被配置成接收所施加的力，其中，所述传感器管芯包括顶侧和与所述顶侧相对的底侧，
布置在所述传感器管芯上的至少一个应变感测元件，其中，所述至少一个应变感测元件被配置成将应变转换成与所述应变成比例的模拟电信号，
应变传递层，所述应变传递层布置在所述传感器管芯的所述顶侧上，其中所述应变传递层被配置成将所述应变传递到所述传感器管芯，以及
至少一个机械锚，所述至少一个机械锚布置在所述传感器管芯的所述底侧上。


2.根据权利要求1所述的MEMS力传感器，其中，所述至少一个机械锚被配置成直接附接到外表面。


3.根据权利要求1或2中任一项所述的MEMS力传感器，其中，所述至少一个应变感测元件至少部分地与所述至少一个机械锚重叠。


4.根据权利要求1-3中任一项所述的MEMS力传感器，其中，所述至少一个机械锚和所述至少一个应变感测元件电耦合。


5.根据权利要求1-4中任一项所述的MEMS力传感器，其中，所述应变传递层完全在所述传感器管芯的顶表面上方延伸并且包裹在所述传感器管芯的边缘周围。


6.根据权利要求1-4中任一项所述的MEMS力传感器，其中，所述应变传递层与所述传感器管芯的顶表面共同延伸。


7.根据权利要求1-4中任一项所述的MEMS力传感器，其中，所述应变传递层仅部分地在所述传感器管芯的顶表面上方延伸。


8.根据权利要求1-7中任一项所述的MEMS力传感器，其中，所述应变传递层由比硅更柔软的材料形成。


9.根据权利要求1-7中任一项所述的MEMS力传...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·M·蔡，D·本杰明，
申请(专利权)人：触控解决方案股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US