具有容差沟槽的加固的晶圆级MEMS力传感器制造技术

本公开涉及具有容差沟槽的加固的晶圆级MEMS力传感器。本文描述了一种示例MEMS力传感器。MEMS力传感器可包括用于接收施加的力的盖以及粘结至盖的传感器。沟槽和腔可形成在传感器中。沟槽可沿着传感器的周边边缘的至少一部分形成。可密封在盖和传感器之间的腔可限定外壁和柔性感测元件，并且外壁可布置在沟槽和腔之间。传感器还可包括形成在柔性感测元件上的传感器元件。传感器元件可响应于柔性感测元件的挠曲而更改电特性。

【技术实现步骤摘要】

技术介绍

1、常规技术微机电(mems)力裸片基于将施加的力连接到感测隔膜的中心，该感测薄膜上形成有四个压阻式应变仪。接触焊盘围绕隔膜定位，这使常规mems力裸片相对较大。此外，常规mems力裸片易碎、缺乏其它力感测技术(例如力敏电阻器)的稳健性，并且易受来自外部环境的碎屑的影响。因此，在相关领域中需要小型、低成本的硅力传感器，该硅力传感器可被密封并且对于机械过载具有稳健性。

技术实现思路

1、在本文中描述了示例mems力传感器。mems力传感器可包括用于接收施加的力的盖以及粘结至盖的传感器。沟槽和腔可形成在传感器中。沟槽可沿着传感器的周边边缘的至少一部分形成。腔可限定外壁和柔性感测元件，并且外壁可布置在沟槽和腔之间。腔可被密封在盖和传感器之间。传感器还可包括形成在柔性感测元件上的传感器元件。传感器元件可响应于柔性感测元件的挠曲而更改电特性。

2、另外，外壁的至少一部分的厚度可任选地由沟槽的尺寸或宽度确定。另选地或除此之外，外壁部分的厚度可任选地被构造成提供预定水平的力测量灵敏度。另选地或除此之本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种微机电MEMS力传感器，包括：

2.根据权利要求1所述的MEMS力传感器，其中所述外壁的至少一部分的厚度由所述沟槽的尺寸确定。

3.根据权利要求2所述的MEMS力传感器，其中所述外壁的所述部分的厚度被构造成提供预定水平的力测量灵敏度。

4.根据权利要求1-3中的任一项所述的MEMS力传感器，其中所述沟槽被构造成将所述外壁的所述部分与划片刀隔离。

5.根据权利要求1-4中的任一项所述的MEMS力传感器，其中所述沟槽和所述腔从所述传感器蚀刻，并且其中所述沟槽的深度和所述腔的深度大致相等。

6.根据权利要求1-5中的任一项所述...

【技术特征摘要】

1.一种微机电mems力传感器，包括：

2.根据权利要求1所述的mems力传感器，其中所述外壁的至少一部分的厚度由所述沟槽的尺寸确定。

3.根据权利要求2所述的mems力传感器，其中所述外壁的所述部分的厚度被构造成提供预定水平的力测量灵敏度。

4.根据权利要求1-3中的任一项所述的mems力传感器，其中所述沟槽被构造成将所述外壁的所述部分与划片刀隔离。

5.根据权利要求1-4中的任一项所述的mems力传感器，其中所述沟槽和所述腔从所述传感器蚀刻，并且其中所述沟槽的深度和所述腔的深度大致相等。

6.根据权利要求1-5中的任一项所述的mems力传感器，其中所述腔还限定从所述外壁朝向所述传感器的中心向内延伸的至少一个凸出部。

7.根据权利要求6所述的mems力传感器，其中所述传感器和所述盖沿着所述至少一个凸出部的至少一部分粘结。

8.根据权利要求1-7中的任一项所述的mems力传感器，还包括形成在所述盖或所述传感器中的至少一者中的间隙，其中所述间隙的深度被构造成限制所述至少一个柔性感测元件的挠曲量。

9.根据权利要求8所述的mems力传感器，其中所述传感器包括中心和所述周边边缘，并且其中所述间隙与所述传感器的所述中心重叠。

10.根据权利要求1-9中的任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：I·凯姆贝尔，R·戴斯特儿霍斯特，D·本杰明，S·S·纳斯理，
申请(专利权)人：触控解决方案股份有限公司，
类型：发明
国别省市：