一种高硬度的柔韧二氧化硅保护膜制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高硬度的柔韧二氧化硅保护膜，涉及保护膜技术领域，为解决现有的二氧化硅保护膜都是直接贴在设备的外壳上的，抗冲击性一般，无法为内部元件起到保护作用的问题。所述半导体硅上主体的上端面设置有指示铭牌，所述半导体硅上主体的下方设置有半导体硅下主体，所述半导体硅下主体和半导体硅上主体的一端均设置有第一加固套件，且第一加固套件设置有两个，两个所述第一加固套件的一端均设置有输入端口，所述半导体硅下主体和半导体硅上主体的另一端均设置有第二加固套件，且第二加固套件设置有两个，两个所述第二加固套件的一端均设置有输出端口。

【技术实现步骤摘要】
一种高硬度的柔韧二氧化硅保护膜
本技术涉及保护膜
，具体为一种高硬度的柔韧二氧化硅保护膜。
技术介绍
保护膜按照用途可以分为数码产品保护膜，汽车保护膜，家用保护膜，食品保鲜保护膜等。保护膜已经慢慢的成为屏幕保护膜的一种统称，而其在屏幕保护膜领域的功能也是五花八门。材料从最早的PP材料到现今流行的AR材质，经历了多年的发展，慢慢的被广大手机群体所接受，保护膜在用途上可分：塑胶保护膜，数码产品保护膜，汽车保护膜等。不过随着手机等数码产品在中国的普及，保护膜已经慢慢的成为屏幕保护膜的一种统称，而其在屏幕保护膜领域的功能也是五花八门，最早高清防刮。保护膜在功能上讲是要对我们所要保护的实体物品外放一层膜。现在世面上已有AR防反光膜、AG磨砂抗反射膜、手机镜子膜、防窥膜，高清防刮膜等功能型保护膜。但是，现有的二氧化硅保护膜都是直接贴在设备的外壳上的，抗冲击性一般，无法为内部元件起到保护作用的问题；因此，不满足现有的需求，对此我们提出了一种高硬度的柔韧二氧化硅保护膜。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种高硬度的柔韧二氧化硅保护膜，以解决上述
技术介绍
中提出的现有的二氧化硅保护膜都是直接贴在设备的外壳上的，抗冲击性一般，无法为内部元件起到保护作用的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种高硬度的柔韧二氧化硅保护膜，包括半导体硅上主体，所述半导体硅上主体的上端面设置有指示铭牌，所述半导体硅上主体的下方设置有半导体硅下主体，所述半导体硅下主体和半导体硅上主体的一端均设置有第一加固套件，且第一加固套件设置有两个，两个所述第一加固套件的一端均设置有输入端口，所述半导体硅下主体和半导体硅上主体的另一端均设置有第二加固套件，且第二加固套件设置有两个，两个所述第二加固套件的一端均设置有输出端口。优选的，所述半导体硅下主体的外壁上设置有卡扣槽，且卡扣槽设置有若干个，所述卡扣槽的内部设置有卡扣块，且卡扣块设置有若干个。优选的，所述半导体硅上主体的外壁上设置有二氧化硅上主体保护膜，所述半导体硅下主体的外壁上设置有二氧化硅下主体保护膜。优选的，所述半导体硅上主体的下端面设置有第一密封圈，所述半导体硅下主体的上端面设置有密封槽机构。优选的，所述半导体硅下主体和半导体硅上主体的内部设置有连接片，所述连接片通过螺栓机构与半导体硅下主体螺纹连接，且螺栓机构设置有若干个。优选的，所述半导体硅下主体的上端面设置有芯块机构，且芯块机构设置有若干个，所述芯块机构的外壁上设置有二氧化硅芯块保护膜，所述半导体硅下主体和半导体硅上主体的两端均设置有转化器机构，且转化器机构设置有两个。与现有技术相比，本技术的有益效果是：1、本技术通过将设备壳体分为上下两部分，且两部分均通过浸满的方式使壳体内外附着上一层二氧化硅保护膜，让原有设备单一的贴膜方式，改善成由二氧化硅保护膜将整个元件进行保护，避免损坏。2、通过二氧化硅芯块保护膜的设置，对内部的芯片进行保护，可以最大的程度的避免设备受外部力量的冲撞造成的损坏，延长了内部芯片的使用寿命。附图说明图1为本技术的整体结构示意图；图2为本技术的设备侧面结构示意图；图3为本技术的设备内部结构示意图；图中：1、半导体硅上主体；101、半导体硅下主体；2、指示铭牌；3、第一加固套件；4、输入端口；5、第二加固套件；6、输出端口；7、二氧化硅上主体保护膜；8、二氧化硅下主体保护膜；9、第一密封圈；10、密封槽机构；11、卡扣块；12、连接片；13、螺栓机构；14、芯块机构；15、二氧化硅芯块保护膜；16、转化器机构；17、卡扣槽。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。请参阅图1-3，本技术提供的一种实施例：一种高硬度的柔韧二氧化硅保护膜，包括半导体硅上主体1，半导体硅上主体1的上端面设置有指示铭牌2，半导体硅上主体1的下方设置有半导体硅下主体101，半导体硅下主体101和半导体硅上主体1的一端均设置有第一加固套件3，且第一加固套件3设置有两个，第一加固套件3加大连接的稳定性，两个第一加固套件3的一端均设置有输入端口4，半导体硅下主体101和半导体硅上主体1的另一端均设置有第二加固套件5，且第二加固套件5设置有两个，两个第二加固套件5的一端均设置有输出端口6，第二加固套件5加大连接的稳定性。进一步，半导体硅下主体101的外壁上设置有卡扣槽17，且卡扣槽17设置有若干个，卡扣槽17的内部设置有卡扣块11，且卡扣块11设置有若干个，卡扣块11和卡扣槽17的连接，减少脱落的机率。进一步，半导体硅上主体1的外壁上设置有二氧化硅上主体保护膜7，半导体硅下主体101的外壁上设置有二氧化硅下主体保护膜8，二氧化硅上主体保护膜7和二氧化硅下主体保护膜8一体的方式，较少断面的产生。进一步，半导体硅上主体1的下端面设置有第一密封圈9，半导体硅下主体101的上端面设置有密封槽机构10，第一密封圈9和密封槽机构10可以让连接更加的紧凑，从而避免后期的松动。进一步，半导体硅下主体101和半导体硅上主体1的内部设置有连接片12，连接片12通过螺栓机构13与半导体硅下主体101螺纹连接，且螺栓机构13设置有若干个，螺栓机构13的设置，可以让连接片12的安装和拆卸都较为的便捷。进一步，半导体硅下主体101的上端面设置有芯块机构14，且芯块机构14设置有若干个，芯块机构14的外壁上设置有二氧化硅芯块保护膜15，半导体硅下主体101和半导体硅上主体1的两端均设置有转化器机构16，且转化器机构16设置有两个，二氧化硅芯块保护膜15可以加大对内部的芯块机构14的保护，避免冲撞带来的损坏。工作原理：使用时，将半导体硅上主体1和半导体硅下主体101通过卡扣块11和卡扣槽17连接，将半导体硅上主体1和半导体硅下主体101通过浸满的方式，将二氧化硅保护膜对半导体硅上主体1和半导体硅下主体101形成一体式的保护膜，而在芯块机构14的外壁上设置的二氧化硅芯块保护膜15对内部的元件进行保护。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高硬度的柔韧二氧化硅保护膜，包括半导体硅上主体(1)，其特征在于：所述半导体硅上主体(1)的上端面设置有指示铭牌(2)，所述半导体硅上主体(1)的下方设置有半导体硅下主体(101)，所述半导体硅下主体(101)和半导体硅上主体(1)的一端均设置有第一加固套件(3)，且第一加固套件(3)设置有两个，两个所述第一加固套件(3)的一端均设置有输入端口(4)，所述半导体硅下主体(101)和半导体硅上主体(1)的另一端均设置有第二加固套件(5)，且第二加固套件(5)设置有两个，两个所述第二加固套件(5)的一端均设置有输出端口(6)。/n

【技术特征摘要】
1.一种高硬度的柔韧二氧化硅保护膜，包括半导体硅上主体(1)，其特征在于：所述半导体硅上主体(1)的上端面设置有指示铭牌(2)，所述半导体硅上主体(1)的下方设置有半导体硅下主体(101)，所述半导体硅下主体(101)和半导体硅上主体(1)的一端均设置有第一加固套件(3)，且第一加固套件(3)设置有两个，两个所述第一加固套件(3)的一端均设置有输入端口(4)，所述半导体硅下主体(101)和半导体硅上主体(1)的另一端均设置有第二加固套件(5)，且第二加固套件(5)设置有两个，两个所述第二加固套件(5)的一端均设置有输出端口(6)。


2.根据权利要求1所述的一种高硬度的柔韧二氧化硅保护膜，其特征在于：所述半导体硅下主体(101)的外壁上设置有卡扣槽(17)，且卡扣槽(17)设置有若干个，所述卡扣槽(17)的内部设置有卡扣块(11)，且卡扣块(11)设置有若干个。


3.根据权利要求1所述的一种高硬度的柔韧二氧化硅保护膜，其特征在于：所述半导体硅上主体(1)的外壁上设置有二氧化硅上主...

【专利技术属性】
技术研发人员：程丽华，
申请(专利权)人：深圳市华堃电子材料有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44