检测单个晶体结构中的异常的方法技术

本发明专利技术公开了一种检测晶体学结构中的异常的方法，所述方法包括：在相对于所述晶体学取向的已知方向上利用x射线辐射对所述结构进行照明；对所述结构进行定位使得所述结构的晶体学取向是已知的；对透射穿过所述结构的衍射的所述x射线辐射的图案进行检测；基于相对于所述晶体学取向的所述已知方向来生成模拟的所述图案；将所检测图案与在所述已知方向上进行照明的x射线辐射的模拟图案进行比较；以及基于所述比较来检测所述晶体学结构中的所述异常。

【技术实现步骤摘要】
检测单个晶体结构中的异常的方法
技术介绍

本公开涉及检测单个晶体结构中的异常的方法、分析衍射信号的方法和用于检测金属合金的单个晶体结构中的缺陷的分析方法的用途。相关技术的描述飞行器引擎(诸如气体涡轮引擎)的部件可具有晶体学结构。例如，涡轮叶片可由具有晶体学结构的金属合金制成，具体地讲，可由具有单个晶体的金属合金制成。分析晶体学结构以识别异常或缺陷。已知使用x射线衍射来检测亚表面晶体学结构。US9,939,393B2和US2018/0231478A1公开了对航空航天部件中的晶体学特性的检测。获得第一光束图案的参考规格。插入该部件以进行分析。激活辐射源。获得第二光束图案。将第二光束图案与第一光束图案进行比较。确定偏差是否大于阈值。如果偏差大于阈值，则该部件例如被拒绝或修复。如果偏差不高于阈值，则将该部件投入使用。已知的检查过程是劳动密集的。由于依赖操作员的技能和/或解释，因此已知的检查过程是主观的。本公开的目的是提供更准确和/或更容易地检测单个晶体结构中的异常的方法。r>
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种检测晶体学结构(50)中的异常的方法，所述方法包括：/n在相对于晶体学取向的已知方向上利用x射线辐射对所述结构进行照明；/n对所述结构进行定位使得所述结构的晶体学取向是已知的；/n对透射穿过所述结构的衍射的所述x射线辐射的图案进行检测；/n基于相对于所述晶体学取向的所述已知方向来生成模拟的所述图案；/n将所检测图案与在所述已知方向上进行照明的x射线辐射的模拟图案进行比较；并且，/n基于所述比较来检测所述晶体学结构中的所述异常。/n

【技术特征摘要】
20190116 GB 1900583.41.一种检测晶体学结构(50)中的异常的方法，所述方法包括：
在相对于晶体学取向的已知方向上利用x射线辐射对所述结构进行照明；
对所述结构进行定位使得所述结构的晶体学取向是已知的；
对透射穿过所述结构的衍射的所述x射线辐射的图案进行检测；
基于相对于所述晶体学取向的所述已知方向来生成模拟的所述图案；
将所检测图案与在所述已知方向上进行照明的x射线辐射的模拟图案进行比较；并且，
基于所述比较来检测所述晶体学结构中的所述异常。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述定位步骤包括基于对所述结构的所述晶体学取向的测量来控制机器以控制所述结构的所述取向。


3.根据权利要求1所述的方法，包括：
测量所述结构的所述晶体学取向。


4.根据权利要求3所述的方法，其中使用劳厄背反射或空间分辨声音光谱学测量所述结构的所述晶体学取向。


5.根据权利要求1所述的方法，其中针对相对于所述晶体学取向的多个不同方向来执行所述照明步骤和所述检测步骤。


6.根据权利要求5所述的方法，其中在每个照明步骤之前重新定位所述结构，以便控制相对于所述晶体学取向的所述方向。


7.根据权利要求1所述的方法，其中所述照明步骤的所述x射线辐射为源自x射线源的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杰奎琳·格瑞菲斯，斯科特·杜菲维尔，纳西莎·C·平扎里乌，卡洛斯·爱德华多·梅斯基塔弗里亚斯，
申请(专利权)人：劳斯莱斯有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB