基片台及用等离子体原位清洗的方法技术

技术编号:24989530 阅读:42 留言:0更新日期:2020-07-24 17:52
本发明专利技术提供了一种基片台,所述基片台包含一个轴对称的圆柱形真空腔体,在所述真空腔体内的中央处,放置一个带金属丝的金属底座。在进行真空腔内壁的表面清洁过程中,微波馈入真空腔后,金属丝靠近真空腔壁端的针刺状结构由于微波电场容易在金属尖端处产生“尖端放电”效应,将真空腔体内的气体激发产生等离子体,等离子体靠近真空腔壁从而对真空腔内壁进行等离子体清洁作用,产生的副产物被真空系统给抽走,金属丝随着基片台的旋转运动和上下运动,使得金属丝尖端放电端能将真空腔内壁进行有效清洁。该方法操作简单,清洁效果明显。

【技术实现步骤摘要】
基片台及用等离子体原位清洗的方法
本专利技术属于真空微电子
,具体涉及一种利用微波激发的等离子体原位清洁微波等离子体真空腔体内壁的方法。
技术介绍
微波等离子体化学气相沉积(简称MPCVD),是一种常用的制备材料的方法。尤其是在制备金刚石膜方面,其原理是利用微波能将反应气体激发呈等离子体状态,在真空腔中央区域的基片台上沉积金刚石膜。由于等离子体是靠微波能激发,等离子体纯净,因此微波等离子体CVD法是高质量,大面积,高速率制备金刚石膜的首选方法。大致的工作原理是将反应气体通入一个轴对称的圆柱形真空腔内,利用微波发生器产生的微波沿波导管传输,经过一个微波模式转换器转换传输模式后馈入真空腔中,将反应气体激发呈等离子体状态,因为反应腔独特的设计,球状或者椭球状等离子体集中真空腔中轴线处的基片台表面。在基片台表面放置衬底材料,控制好工艺参数,就可以在衬底材料表面沉积出金刚石膜。然而在实际使用中,随着反应不断地进行,有少量的固态产物(非金刚石成分)会在真空腔内部附着,这些附着物中含有的杂质浓度较高。在正常的使用中,这些杂质会被等离子体刻蚀而返本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片台,其特征在于:所述基片台包含一个轴对称的圆柱形真空腔体,在所述真空腔体内的中央处,放置一个带金属丝的金属底座。/n

【技术特征摘要】
1.一种基片台,其特征在于:所述基片台包含一个轴对称的圆柱形真空腔体,在所述真空腔体内的中央处,放置一个带金属丝的金属底座。


2.根据权利要求1所述的基片台,其特征在于:所述金属底座上面插有一根或者多根金属丝。


3.根据权利要求1所述的基片台,其特征在于:所述金属丝由熔点较高的金属单质或者合金组成。


4.根据权利要求3所述的基片台,其特征在于:所述金属丝的材料为金属钨、金属钼或者金属钽。


5.根据权利要求2所述的基片台,其特...

【专利技术属性】
技术研发人员:满卫东龚闯朱长征吴剑波
申请(专利权)人:上海征世科技有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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