【技术实现步骤摘要】
一种低磁死层厚度的磁性薄膜材料及其制备方法
本专利技术属于磁性材料制备
，涉及一种磁性薄膜材料，尤其涉及一种低磁死层厚度的磁性薄膜材料及其制备方法。
技术介绍
自旋电子学器件凭借其优异的性能受到了科学家们广泛的关注，是如今社会发展的重要研究方向，由于其可广泛提高自旋电子器件性能，成为了自旋电子学研究的重点。但磁性薄膜却被磁性死层所限制。在实际应用中，为了减小磁性薄膜的退磁场效应，需要将其沉积的尽量薄。但是由此带来的问题是，随着薄膜厚度减小，薄膜的铁磁性和金属性也在迅速减小，甚至会出现当薄膜厚度小于某个临界厚度时，薄膜呈现绝缘性，铁磁性大幅降低，限制了其实际应用，这就是所谓的“死层效应”。随着磁性薄膜厚度的减小，薄膜的磁电阻随之急剧下降，并且在薄膜的接触界面会出现磁性死层，磁性死层对合金薄膜的磁性能会产生不利的影响。薄膜的磁性死层即材料的铁磁性质在界面处的退化，严重制约了薄膜的应用，因此研究低磁死层厚度的意义深远重大。对磁死层的相关研究以前主要集中在传统铁磁材料Co，NiFe等材料上。以Co材料为例，研究发现Co...
【技术保护点】
1.一种低磁死层厚度的磁性薄膜材料，其特征在于，通过在含有N
【技术特征摘要】
1.一种低磁死层厚度的磁性薄膜材料，其特征在于，通过在含有N2的混合气体氛围下利用Pt反应溅射得到PtN缓冲层，在PtN缓冲层上利用磁控溅射方法得到目标磁性薄膜材料。
2.如权利要求1所述的磁性薄膜材料，其特征在于，磁性薄膜为Co2FeAl薄膜。
3.如权利要求1所述的磁性薄膜材料，其特征在于，混合气体的总流量为20sccm。
4.如权利要求1所述的磁性薄膜材料，其特征在于，混合气体中N2气体占混合气体流量的3%~10%。
5.如权利要求1所述的磁性薄膜材料，其特征在于，混合气体还包括Ar。
6.一种低磁死层厚度的磁性薄膜材料的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：
S1、以高纯Pt为靶材，以洁净的高纯SiO2作为衬底，在含有N2的混合气体氛围下，采用高真空磁控溅射制备PtN缓冲层；
...
【专利技术属性】
技术研发人员：尤柱，徐锋，徐展，廖政炜，杜金威，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。