【技术实现步骤摘要】
一种基片及器件
本技术涉及旋涂器件领域，尤其涉及一种基片及器件。
技术介绍
现有技术通常采用溶液方法制备旋涂器件，目前旋涂器件的常用结构是在已预制ITO的基片上旋涂数道功能层，再通过蒸镀的方式制备金属阴极。由于旋涂器件会在基片整个表面形成致密膜层，因此在蒸镀之前必须经过数道擦边工艺来将基片边缘的膜层擦掉，露出ITO边缘便于与外电极形成良好接触，确保测试准确性。然而，在旋涂过程中，擦边工序易造成以下问题：1)、增加工序复杂性，器件制备时间延长。以目前的量子点器件制备为例，至少需要经两次擦边，且两次擦边所用溶液也不相同。擦边工序需要繁琐的更换棉签、蘸取溶液，某些功能层较厚时更会增大擦边难度。要确保擦边干净且不能损伤到基片中心的发光区，很耗费人力；2)、溶液飞溅导致膜层受损。擦边过程需要用棉签蘸取溶液进行擦除，容易造成棉签上溶液飞溅损伤膜层，当某些较厚的功能层擦除时，膜层本身也会形成大颗粒的材料飞溅，对膜层均匀性和稳定性的影响很大；3)、部分特殊器件结构难以实现擦边。特殊性的器件结构，有时会...
【技术保护点】
1.一种基片，其特征在于，所述基片为阶梯式基片，所述阶梯式基片包括第一基片以及堆叠在所述第一基片上且与所述第一基片形成阶梯落差的第二基片；/n所述阶梯式基片用于设置第一电极，所述第一电极横跨所述第一基片和第二基片，所述第二基片用于设置功能层，所述功能层还覆盖所述第一电极，所述功能层上设置有第二电极，所述第二电极横跨所述第一基片和第二基片，所述第二电极位于所述第一基片的部分与所述第一电极位于所述第一基片的部分错开。/n
【技术特征摘要】
1.一种基片，其特征在于，所述基片为阶梯式基片，所述阶梯式基片包括第一基片以及堆叠在所述第一基片上且与所述第一基片形成阶梯落差的第二基片；
所述阶梯式基片用于设置第一电极，所述第一电极横跨所述第一基片和第二基片，所述第二基片用于设置功能层，所述功能层还覆盖所述第一电极，所述功能层上设置有第二电极，所述第二电极横跨所述第一基片和第二基片，所述第二电极位于所述第一基片的部分与所述第一电极位于所述第一基片的部分错开。
2.根据权利要求1所述的基片，其特征在于，所述第二基片的侧边与所述第一基片平面的夹角为120-150°。
3.根据权利要求1所述的基片，其特征在于，所述阶梯式基片的高度为1-2mm。
4.根据权利要求3所述的基片，其特征在于，所述第二基片的高度为500-1000um。
5.根据权利要求1所述的基片，其特征在于，所述第一基片和所述第二基片均为矩形，所述第二基片位于所述第一基片的中心位置，所述第二基...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨帆，严怡然，敖资通，赖学森，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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