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本实用新型公开了一种基片及器件,其中,所述器件包括阶梯式基片,所述阶梯式基片包括第一基片以及堆叠在所述第一基片上且与所述第一基片形成阶梯落差的第二基片,设置在所述阶梯式基片上的第一电极,所述第一电极横跨所述第一基片和第二基片,设置在所述第二...该专利属于TCL科技集团股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过TCL科技集团股份有限公司授权不得商用。
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本实用新型公开了一种基片及器件,其中,所述器件包括阶梯式基片,所述阶梯式基片包括第一基片以及堆叠在所述第一基片上且与所述第一基片形成阶梯落差的第二基片,设置在所述阶梯式基片上的第一电极,所述第一电极横跨所述第一基片和第二基片,设置在所述第二...