【技术实现步骤摘要】
研磨头及研磨装置
本专利技术涉及研磨头及研磨装置。
技术介绍
在专利文献1中公开有如下一种无蜡安装式研磨装置，该无蜡安装式研磨装置在背部衬垫(backpad)的中央部的表侧利用与背部衬垫相同的原材料一体形成大致圆形状的中央部分背部衬垫，在模板的孔部内使背部衬垫的中央部比背部衬垫的外周部朝向研磨布突出规定高度d，在该状态下进行半导体晶片的研磨。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2008-60598号公报图19是示意性表示专利文献1所记载的研磨装置100的图。近年来，如研磨装置100那样，使用将在中空部设置晶片W的模板(保持环)103与背衬件102一体化而得到的研磨头101。在这种一体型的研磨头101中，晶片W的背面抵接于在研磨头101设置的背衬件102，同时且以相同的力按压晶片W和模板103。然而，在图19所示那样的一体型的研磨头中，模板103比晶片W薄，且晶片W的表面比模板103向研磨垫104侧突出，因此存在在晶片W的周缘部处研磨压力增加，导致晶片W的周缘部相比于晶片W的中央部分...
【技术保护点】
1.一种研磨头，其一边保持晶片的背面，一边将所述晶片的表面按压于在平台上设置的研磨垫而对所述晶片进行研磨，/n所述研磨头的特征在于，具备：/n模板，其具有：大致圆板形状的背衬件，其供所述晶片的背面抵接；以及大致圆环形状的晶片保持部，其设置于所述背衬件的供所述晶片抵接的面，能够在中空部收容所述晶片；以及/n头主体部，其供所述背衬件的不与所述晶片抵接的面抵接，/n所述晶片保持部具有由不会弹性变形的材料形成且厚度为所述晶片的厚度以下的大致圆环形状的框部、以及由能够弹性变形的材料形成的大致圆环形状的缓冲件，/n所述缓冲件粘接或者贴附于所述背衬件，所述框部粘接或者贴附于所述缓冲件。/n
【技术特征摘要】
20190111 JP 2019-003542;20190315 JP 2019-0485341.一种研磨头，其一边保持晶片的背面，一边将所述晶片的表面按压于在平台上设置的研磨垫而对所述晶片进行研磨，
所述研磨头的特征在于，具备：
模板，其具有：大致圆板形状的背衬件，其供所述晶片的背面抵接；以及大致圆环形状的晶片保持部，其设置于所述背衬件的供所述晶片抵接的面，能够在中空部收容所述晶片；以及
头主体部，其供所述背衬件的不与所述晶片抵接的面抵接，
所述晶片保持部具有由不会弹性变形的材料形成且厚度为所述晶片的厚度以下的大致圆环形状的框部、以及由能够弹性变形的材料形成的大致圆环形状的缓冲件，
所述缓冲件粘接或者贴附于所述背衬件，所述框部粘接或者贴附于所述缓冲件。
2.一种研磨头，其一边保持晶片的背面，一边将所述晶片的表面按压于在平台上设置的研磨垫而对所述晶片进行研磨，
所述研磨头的特征在于，具备：
大致圆板形状的背衬件，其供所述晶片的背面抵接；
大致圆环形状的晶片保持部，其能够在中空部收容所述背衬件以及所述晶片；以及
头主体部，其供所述背衬件的不与所述晶片抵接的面以及所述晶片保持部抵接，
所述晶片保持部具有由不会弹性变形的材料形成且厚度为所述晶片的厚度以下的大致圆环形状的框部、以及由能够弹性变形的材料形成的大致圆环形状的缓冲件，
所述缓冲件粘接或者贴附于所述头主体部，所述框部粘接或者贴附于所述缓冲件。
3.根据权利要求1或2所述的研磨头，其特征在于，
所述缓冲件以及所述框部的以包含所述晶片保持部的中心线的面进行剖切时的剖面形状为大致矩形形状。
4.根据权利要求1或2所述的研磨头，其特征在于，
所述晶片保持部的厚度无论径向的位置如何都大致恒定，
所述缓冲件以及所述框部的厚度分别在内周侧与外周侧不同。
5.根据权利要求1或2所述的研磨头，其特征在于，
所述缓冲件的以包含所述晶片保持部的...
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