A wafer grinding wheel comprises a plurality of wheel tips. The multiple wheel tips include a plurality of diamond abrasive grains and an adhesive material mixed with the plurality of diamond abrasive grains. The ratio of the length of the diamond abrasive particles in the long axis direction to the width in the short axis direction is 2.5:1 to 3.5:1, and includes edges or vertices with grinding angle of 90 \u00b0 or less.
【技术实现步骤摘要】
晶片研磨轮相关申请的交叉引用本申请要求于2018年12月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0168164的优先权，该韩国申请的全部公开内容以引用的方式合并于本申请中。
与示例实施例一致的装置涉及晶片研磨轮。
技术介绍
由于对紧凑且轻质的半导体器件的需求，可能需要用于使半导体器件更薄的技术。在半导体工艺中，在封装工艺之前执行研磨晶片的不必要的后部的工艺。硅晶片可以进行粗研磨、细研磨和抛光。同时，为了保证研磨质量，重要的是防止硅晶片的表面在研磨工艺期间破裂。
技术实现思路
本专利技术构思的示例实施例旨在提供一种研磨轮，所述研磨轮包括具有高长宽比和有角形状的金刚石磨料粒。根据示例实施例，提供了一种包括多个轮尖端的研磨轮。所述多个轮尖端中的每个轮尖端可以包括多个金刚石磨料粒和与所述多个金刚石磨料粒混合的粘合材料。所述多个金刚石磨料粒在长轴方向上的长度与在短轴方向上的宽度之比可以为2.5:1至3.5:1，并且可以包括研磨角度为90°或更小的边或顶点。在一个...
【技术保护点】
1.一种研磨轮，所述研磨轮包括多个轮尖端，/n其中：/n所述多个轮尖端中的每个轮尖端包括多个金刚石磨料粒和与所述多个金刚石磨料粒混合的粘合材料；并且/n所述多个金刚石磨料粒在长轴方向上的长度与在短轴方向上的宽度之比为2.5:1至3.5:1，并且包括研磨角度为90°或更小的边或顶点。/n
【技术特征摘要】
20181224 KR 10-2018-01681641.一种研磨轮，所述研磨轮包括多个轮尖端，
其中：
所述多个轮尖端中的每个轮尖端包括多个金刚石磨料粒和与所述多个金刚石磨料粒混合的粘合材料；并且
所述多个金刚石磨料粒在长轴方向上的长度与在短轴方向上的宽度之比为2.5:1至3.5:1，并且包括研磨角度为90°或更小的边或顶点。
2.根据权利要求1所述的研磨轮，其中，所述多个金刚石磨料粒的浓度范围为90至120。
3.根据权利要求1所述的研磨轮，其中，所述多个金刚石磨料粒的所述边或顶点的所述研磨角度在30°至50°的范围内。
4.根据权利要求1所述的研磨轮，其中，所述多个轮尖端中的每个轮尖端还包括位于所述粘合材料内部的孔。
5.根据权利要求4所述的研磨轮，其中，每个所述孔的尺寸为大约40μm。
6.根据权利要求1所述的研磨轮，其中，所述粘合材料包括玻璃化粘合剂。
7.根据权利要求1所述的研磨轮，其中，所述多个金刚石磨料粒的平均粒度在300目至1000目的范围内。
8.根据权利要求1所述的研磨轮，其中，所述多个金刚石磨料粒中包括研磨角度为90°或更小的至少两个边或顶点的金刚石磨料粒的比率为80％或更大。
9.根据权利要求1所述的研磨轮，其中，所述多个轮尖端沿着所述研磨轮的边缘周向地间隔开。
10.根据权利要求1所述的研磨轮，其中，每个所述轮尖端中包括大约600万个金刚石磨料粒。
11.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：全成基，崔相壹，郑昶秀，姜太圭，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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