【技术实现步骤摘要】
一种基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构及制备方法
本专利技术涉及基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器领域，特别涉及了一种基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构及制备方法。
技术介绍
目前，现有振荡器结构组件易于磨损，物理冲击可能导致输出频率和相位误差，震动和极限温度可能使它们损坏,而且因为这些组件依靠具有匹配驱动器的调谐电路,并不总是像计划的那样启动,或者不以预期频率振荡.即使是同一个器件,在不同加电周期启动情形也可能不同，同时稳定性较差。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服上述问题，特提供了一种基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构及制备方法。本专利技术提供了一种基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构及制备方法，其特征在于：所述的基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构,包括衬底硅1，底层氧化层2，中间硅层3，中间氧化层4，顶层硅层5，顶层氧化层6，内部电学连接7，封堵结构8，顶层金属件9，空腔结构10，谐振器结构11；其中：衬底硅1作为谐振器的支撑层，底层氧化层2为在底层硅1上沉积的氧化层，为谐振器的底部支撑和空腔...
【技术保护点】
1.一种基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构，其特征在于：所述的基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构,包括衬底硅(1)，底层氧化层(2)，中间硅层(3)，中间氧化层(4)，顶层硅层(5)，顶层氧化层(6)，内部电学连接(7)，封堵结构(8)，顶层金属件(9)，空腔结构(10)，谐振器结构(11)；/n其中：衬底硅(1)作为谐振器的支撑层，底层氧化层(2)为在底层硅(1)上沉积的氧化层，为谐振器的底部支撑和空腔材料，有部分底层氧化层(2)在后续的工艺中被刻蚀掉，从而形成空腔结构(10)；中间硅层(3)为在底层氧化层(2)上沉积的硅薄膜，高掺杂特性，作为谐振器的结构层；中间氧化层(4)...
【技术特征摘要】
1.一种基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构，其特征在于：所述的基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构,包括衬底硅(1)，底层氧化层(2)，中间硅层(3)，中间氧化层(4)，顶层硅层(5)，顶层氧化层(6)，内部电学连接(7)，封堵结构(8)，顶层金属件(9)，空腔结构(10)，谐振器结构(11)；
其中：衬底硅(1)作为谐振器的支撑层，底层氧化层(2)为在底层硅(1)上沉积的氧化层，为谐振器的底部支撑和空腔材料，有部分底层氧化层(2)在后续的工艺中被刻蚀掉，从而形成空腔结构(10)；中间硅层(3)为在底层氧化层(2)上沉积的硅薄膜，高掺杂特性，作为谐振器的结构层；中间氧化层(4)为在中间硅层(3)形成的氧化层；顶层硅层(5)为在中间氧化层(4)上沉积硅薄膜，作为谐振器空腔封盖；顶层氧化层(6)为在顶层硅层(5)形成的氧化层，作为绝缘层；
内部电学连接(7)的侧壁有氧化层，用来与顶层硅层(5)形成电学隔离，用于连接谐振器结构(11)和顶层金属件(9)；封堵结构(8)为在顶层硅层(5)的开口处的氧化层，将顶层硅层(5)中的开口用氧化硅封住，以形成密闭空腔结构(10)；顶层金属件(9)作为外部电学连接，能加强封堵结构(8)的气密性；谐振器结构(11)设置在中间硅层(3)上形成谐振器的主体结构部分。
2.按照权利要求1所述的基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构，其特征在于：所述的顶层金属件(9)为片状结构。
3.按照权利要求1所述的基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构，其特征在于：所述的基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构，整体为圆柱形或长方体结构。
4.一种如权利要求1所述的基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构的制备方法，其特征在于：所述的基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构的制备方法，衬底硅(1)作为谐振器的支撑层，SOI晶圆的底层硅或硅晶圆构成；底层氧化层(2)：SOI晶圆的埋层氧化层或者利用热氧化或者化学气相沉积技术在底层硅(1)上沉积的氧化层，主要为谐振器的底部支撑和空腔材料，有部分底层氧化层(2)在后...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄向向，杨敏，道格拉斯·雷·斯巴克斯，关健，
申请(专利权)人：罕王微电子辽宁有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21
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