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一种基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构，包括衬底硅，底层氧化层，中间硅层，中间氧化层，封堵结构，顶层金属件，谐振器结构；底层氧化层为在底层硅上沉积的氧化层，中间硅层为在底层氧化层上沉积的硅薄膜，中间氧化层为在中间硅层形成的氧化层；顶层硅层为在...
该专利属于罕王微电子(辽宁)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过罕王微电子(辽宁)有限公司授权不得商用。

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