镭射设备的能量密度的校正方法及镭射系统技术方案

本发明专利技术提供一种镭射设备的能量密度的校正方法及镭射系统，镭射设备的能量密度的校正方法包括：利用量测设备量测待校正的镭射设备所生产的产品的晶粒参数和条纹参数；根据量测到的晶粒参数和条纹参数计算出当前时间段内镭射设备生成的激光束的预定能量密度值；根据计算出的预定能量密度值对镭射设备生成的激光束的能量密度进行校正。利用晶粒参数和条纹参数与预定能量密度值的线性关系计算出当前时间段内所需要的预定能量密度值，根据预定能量密度值及时对激光束的能量密度进行校正，从而减少生产过程中对激光束进行能量扫描的时间，提高产能。

【技术实现步骤摘要】
镭射设备的能量密度的校正方法及镭射系统
本专利技术涉及一种镭射设备，尤其涉及一种镭射设备的能量密度的校正方法及镭射系统。
技术介绍
目前，制作低温多晶硅薄膜时，一般采用准分子镭射退火设备(ELA)生成的激光束照射并扫描非晶硅薄膜，从而将非晶硅薄膜熔化并使其重新结晶成为多晶硅晶粒，从而形成低温多晶硅薄膜。通常，低温多晶硅薄膜的结晶品质主要受非晶硅薄膜的膜厚以及准分子镭射退火设备发出的激光束的能量密度的影响，因此，使用ELA进行生产前需使用控片对ELA生成的激光束进行Energyscan(能量扫描)，以选取最佳能量密度，再以选定的最佳能量密度进行生产。一个生产周期中，随着ELA工作时间的增加，ELA处理后的低温多晶硅薄膜的晶粒和条纹状况会变差，因此，一个生产周期内，通常会对激光束进行三次(初期/中期/末期)能量扫描，确认三次最佳能量密度并进行校正调整，以便ELA在整个生产周期内生产的产品的晶粒和条纹状况良好。然而，每次能量扫描耗时约1小时，一个生产周期需要进行至少3次能量扫描以确认最佳能量密度，而能量扫描时无法生产，从而导致产能损失。
技术实现思路
本专利技术提供一种镭射设备的能量密度的校正方法，以解决一个生产周期需要进行至少3次能量扫描以确认最佳能量密度，而能量扫描时无法生产，从而导致产能损失的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：一种镭射设备的能量密度的校正方法，其包括以下步骤：S10、利用量测设备量测待校正的镭射设备所生产的产品的晶粒参数和条纹参数；S20、根据量测到的所述晶粒参数和所述条纹参数计算出当前时间段内所述镭射设备生成的激光束的预定能量密度值；S30、根据计算出的所述预定能量密度值对所述镭射设备生成的激光束的能量密度进行校正。进一步的，在所述步骤S10前，所述镭射设备的能量密度的校正方法还包括：S40、收集多个生产周期的周期时间、生产周期中镭射设备在不同时间段生成的激光束的预定能量密度值，以及，对应时间段内生产的产品的晶粒参数和条纹参数；S50、根据收集到的数据计算出一个生产周期中激光束的预定能量密度值与时间段、产品的晶粒参数和条纹参数的线性关系的公式。进一步的，所述步骤S40包括：S41、收集多个生产周期中早期、中期和晚期这三个时间段内镭射设备生成的激光束的预定能量密度值以及生产的产品的晶粒参数和条纹参数。进一步的，在所述步骤S40后，并且所述步骤S50前，所述镭射设备的能量密度的校正方法还包括：S60、根据收集到的数据确定一个生产周期中镭射设备生成的激光束的预定能量密度值的变化趋势，以及，产品的晶粒参数和条纹参数的变化趋势。进一步的，在所述步骤S10前，所述镭射设备的能量密度的校正方法还包括：S70、一个生产周期中，在生产初期对镭射设备生成的激光束的能量密度进行扫描，确认初始预定能量密度值。进一步的，在所述步骤S50后，并且所述步骤S10前，将公式以及生产周期的周期时间导入到一计算设备中。进一步的，所述步骤S20包括：S21、利用量测设备对产品的晶粒参数和条纹参数进行量测；S22、将量测到的产品的晶粒参数和条纹参数导入计算设备中，计算设备根据公式计算出当前时间段内所述镭射设备生成的激光束的预定能量密度值，并将计算出的预定能量密度值反馈给镭射设备。进一步的，所述量测设备包括对产品的晶粒参数进行量测的第一量测器和对产品的条纹参数进行量测的第二量测器。本专利技术还提供一种镭射系统，所述镭射系统包括镭射设备、量测设备和计算设备；所述镭射设备用于生成激光束；所述量测设备用于量测所述镭射设备生产的产品的晶粒参数和条纹参数；所述计算设备用于根据产品的晶粒参数和条纹参数计算所述镭射设备的预定能量密度值。进一步的，所述量测设备包括对产品的晶粒参数进行量测的第一量测器和对产品的条纹参数进行量测的第二量测器。本专利技术的有益效果为：利用晶粒参数和条纹参数与预定能量密度值的线性关系计算出当前时间段内所需要的预定能量密度值，根据预定能量密度值及时对激光束的能量密度进行校正，从而防止随着镭射设备工作时间的增加导致镭射设备生产的产品的晶粒和条纹状况变差，同时减少生产过程中对激光束进行能量扫描的时间，提高产能。附图说明下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为本专利技术中镭射设备的能量密度的校正步骤示意图；图2为本专利技术中镭射系统的组成模块示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种镭射设备的能量密度的校正方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS10、利用量测设备量测待校正的镭射设备所生产的产品的晶粒参数和条纹参数；/nS20、根据量测到的所述晶粒参数和所述条纹参数计算出当前时间段内所述镭射设备生成的激光束的预定能量密度值；/nS30、根据计算出的所述预定能量密度值对所述镭射设备生成的激光束的能量密度进行校正。/n

【技术特征摘要】
1.一种镭射设备的能量密度的校正方法，其特征在于，包括以下步骤：
S10、利用量测设备量测待校正的镭射设备所生产的产品的晶粒参数和条纹参数；
S20、根据量测到的所述晶粒参数和所述条纹参数计算出当前时间段内所述镭射设备生成的激光束的预定能量密度值；
S30、根据计算出的所述预定能量密度值对所述镭射设备生成的激光束的能量密度进行校正。


2.根据权利要求1所述的镭射设备的能量密度的校正方法，其特征在于，在所述步骤S10前，所述镭射设备的能量密度的校正方法还包括：
S40、收集多个生产周期的周期时间、生产周期中镭射设备在不同时间段生成的激光束的预定能量密度值，以及，对应时间段内生产的产品的晶粒参数和条纹参数；
S50、根据收集到的数据计算出一个生产周期中激光束的预定能量密度值与时间段、产品的晶粒参数和条纹参数的线性关系的公式。


3.根据权利要求2所述的镭射设备的能量密度的校正方法，其特征在于，所述步骤S40包括：
S41、收集多个生产周期中早期、中期和晚期这三个时间段内镭射设备生成的激光束的预定能量密度值以及生产的产品的晶粒参数和条纹参数。


4.根据权利要求2所述的镭射设备的能量密度的校正方法，其特征在于，在所述步骤S40后，并且所述步骤S50前，所述镭射设备的能量密度的校正方法还包括：
S60、根据收集到的数据确定一个生产周期中镭射设备生成的激光束的预定能量密度值的变化趋势，以及，产品的晶粒参数和条纹参数的变化趋势。


5.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李坤，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42