一种镓掺杂单晶硅用的镓硅合金制作炉及其制作方法技术

技术编号:24930903 阅读:50 留言:0更新日期:2020-07-17 19:43
本发明专利技术公开了一种镓掺杂单晶硅用的镓硅合金制作炉,包括制作炉炉体、合金炉、冷凝机及合金接受槽,合金炉包括炉体及石英坩埚、加热器、埚邦及埚托,石英坩埚外设有埚邦,石英坩埚的底端通过中空石墨托杆连接有坩埚升降、转动装置,炉体的底部还设有中空石英锥,炉体的上端设有合金炉惰性气体入口,炉体的下端设有合金炉排气孔;制作炉炉体上表面设有惰性气体入口,制作炉炉体的下表面设有制作炉排气孔;该制作炉结构简单,使用方便,制作镓硅合金的方法简单易行,该镓硅合金的制作有效提高了掺杂加入的可操作性及掺杂及的稳定性,提高了生产效率及掺杂准确性,有效减少了镓金属被污染或掉落流失而引起的质量风险。

【技术实现步骤摘要】
一种镓掺杂单晶硅用的镓硅合金制作炉及其制作方法
本专利技术涉及一种合金的制作方法,具体涉及一种镓掺杂单晶硅用的镓硅合金制作炉及其制作方法,属于光伏制造领域。
技术介绍
单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势,近三十年来,太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展,成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。单晶硅可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造,其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域,在军事电子设备中也占有重要地位。在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素,形成P型半导体,掺入微量的第VA族元素,形成N型,N型和P型半导体结合在一起,就可做成太阳能电池,将辐射能转变为电能。随着传统资源的日益枯竭,新型可替代能源—太阳能电池以其自身绿色、安全及可再生能力的优势,得到了长足发展,高速发展的同时,原有的掺硼单晶硅片本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种镓掺杂单晶硅用的镓硅合金制作炉,其特征在于:包括制作炉炉体(18)、设置于所述制作炉炉体(18)内的合金炉、冷凝机(14)及合金接受槽(15),所述合金炉设置于所述冷凝机(14)的上方,所述合金接受槽(15)设置于所述冷凝机(14)的下方,其中:/n所述合金炉包括炉体及设置于炉体内的石英坩埚(4)、加热器(3)、埚邦(6)及埚托(10),所述石英坩埚(4)外设有所述的埚邦(6),所述埚邦(6)底端设有所述埚托,所述埚邦(6)外包围设置有加热器(3),所述石英坩埚(4)的底端通过中空石墨托杆(11)连接有坩埚升降、转动装置(13),所述炉体的底部还设有中空石英锥(9),所述中空石英锥(9...

【技术特征摘要】
1.一种镓掺杂单晶硅用的镓硅合金制作炉,其特征在于:包括制作炉炉体(18)、设置于所述制作炉炉体(18)内的合金炉、冷凝机(14)及合金接受槽(15),所述合金炉设置于所述冷凝机(14)的上方,所述合金接受槽(15)设置于所述冷凝机(14)的下方,其中:
所述合金炉包括炉体及设置于炉体内的石英坩埚(4)、加热器(3)、埚邦(6)及埚托(10),所述石英坩埚(4)外设有所述的埚邦(6),所述埚邦(6)底端设有所述埚托,所述埚邦(6)外包围设置有加热器(3),所述石英坩埚(4)的底端通过中空石墨托杆(11)连接有坩埚升降、转动装置(13),所述炉体的底部还设有中空石英锥(9),所述中空石英锥(9)位于所述中空石墨托杆(11)中,所述炉体的外表面设有合金炉水冷保护外套(1),所述炉体内还设有合金炉保温层(2),所述炉体的上端设有合金炉惰性气体入口(5),所述炉体的下端设有合金炉排气孔(12);
所述制作炉炉体(18)外设置有制作炉水冷保护外套(7),所述制作炉炉体(18)上表面设有惰性气体入口(8),所述制作炉炉体(18)的下表面设有制作炉排气孔(17)。


2.根据权利要求1所述的镓掺杂单晶硅用的镓硅合金制作炉,其特征在于:所述合金炉保温层的材料采用碳毡、石墨板。


3.根据权利要求2所述的镓掺杂单晶硅用的镓硅合金制作炉,其特征在于:所述合金炉保温层的厚度为80-150mm。


4.根据权利要求3所述的镓掺杂单晶硅用的镓硅合金制作炉,其特征在于:所述合金炉排气孔(12)和所述制作炉排气孔(17)上设有真空泵。


5.一种利用权利要求4所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:马新星王艺澄
申请(专利权)人:包头美科硅能源有限公司江苏高照新能源发展有限公司
类型:发明
国别省市:内蒙;15

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1