谐振子和谐振装置制造方法及图纸

在并联连接的压电谐振子中，抑制由杂散电容引起的特性降低。具备：基板；绝缘膜，其形成在基板上；多个振动区域，其为形成在绝缘膜上的多个振动区域，且各振动区域具有形成在绝缘膜上的下部电极、形成在下部电极上的压电膜和形成在压电膜上的上部电极，使形成在绝缘膜上的多个下部电极中的至少一个下部电极成为与其他下部电极不同的电位，以使得至少一个振动区域与其他振动区域反相振动；以及封装，其为对具有基板、绝缘膜、多个振动区域的谐振子进行密封的封装，且具有使基板接地的接地用端子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】谐振子和谐振装置
本专利技术涉及谐振子和谐振装置。
技术介绍
以往，使用了MEMS(MicroElectroMechanicalSystems)技术的压电谐振装置例如被作为定时设备使用。该压电谐振装置在装入智能手机等电子设备内的印刷基板上安装。伴随着电子设备的小型化，针对上述的压电谐振装置的振动面积，也谋求小型化。若振动面积变小，则谐振电阻增加，由此导致振荡余量降低。因此，为了在较少的振动面积下，也确保电容，正在研究将振动区域的连接方式从串联连接向并联连接变更。例如，专利文献1公开有并联连接结构的电连接的一个例子。专利文献1所述的MEMS振子1800具有硅层1810、绝缘层1811和振动臂1812、1813。振动臂1812具有上部电极1820、下部电极1821和压电层1822。同样，振动臂1813具有上部电极1830、下部电极1831和压电层1832。而且，控制各电极的电位，使施加于振动臂1812的电场与施加于振动臂1813的电场的朝向成为相反方向。在这样的并联连接结构中，MEMS振子1800的合成电容Cf成为振动臂1812的静本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种谐振装置，其特征在于，具备：/n基板；/n绝缘膜，其形成在所述基板上；/n多个振动区域，其为形成在所述绝缘膜上的多个振动区域，且各振动区域具有形成在所述绝缘膜上的下部电极、形成在所述下部电极上的压电膜和形成在所述压电膜上的上部电极，使形成在所述绝缘膜上的多个所述下部电极中的至少一个所述下部电极成为与其他所述下部电极不同的电位，以使得至少一个振动区域与其他振动区域反相振动；以及/n封装，其为对具有所述基板、所述绝缘膜、所述多个振动区域的谐振子进行密封的封装，且具有使所述基板接地的接地用端子。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171208 US 62/596,2891.一种谐振装置，其特征在于，具备：
基板；
绝缘膜，其形成在所述基板上；
多个振动区域，其为形成在所述绝缘膜上的多个振动区域，且各振动区域具有形成在所述绝缘膜上的下部电极、形成在所述下部电极上的压电膜和形成在所述压电膜上的上部电极，使形成在所述绝缘膜上的多个所述下部电极中的至少一个所述下部电极成为与其他所述下部电极不同的电位，以使得至少一个振动区域与其他振动区域反相振动；以及
封装，其为对具有所述基板、所述绝缘膜、所述多个振动区域的谐振子进行密封的封装，且具有使所述基板接地的接地用端子。


2.根据权利要求1所述的谐振装置，其特征在于，
所述基板是半导体基板。


3.根据权利要求1所述的谐振装置，其特征在于，
所述基板具有：
由绝缘体或者半导体构成的第1层和形成于该第1层与所述绝缘膜之间的由导电体构成的第2层，
所述接地用端子使所述第2层接地。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的谐振装置，其特征在于，
所述封装具备：与所述基板对置设置的下盖和与所述上部电极对置设置的上盖。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的谐振装置，其特征在于，
所述谐振子具有：
具有固定端和开放端的进行弯曲振动的两个以上的振动臂；以及具有与所述振动臂的固定端连接的前端和与该前端对置的后端的基部，
所述两个以上的振动臂是所述多个振动区域。


6.根据权利要求1～4中任一项所述的谐振装置，其特征在于，
所述谐振子构成为所述压电膜对应于施加于该压电膜的电压而进行轮廓振动，

【专利技术属性】
技术研发人员：广田和香奈，西村俊雄，维莱·卡亚卡里，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP